公开(公告)号：KR20200138082A

公开(公告)日：2020-12-09

申请号：KR20200065462

申请日：2020-05-29

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV ,  UNIV CORNELL

Inventor： GUGUSCHEV CHRISTO ,  BRUTZAM MARIO ,  SCHLOM DARREL ,  PAIK HANJONG

IPC: C30B11/00 ,  C30B11/02 ,  C30B15/10 ,  C30B15/14 ,  C30B15/20 ,  C30B29/22 ,  C30B29/30 ,  C30B29/68

Abstract: 본발명은벌크단결정을성장시키기위한방법에관한것으로서, 도가니내로시작재료를삽입하는단계, 시작재료를가열하는것에의해도가니내의시작재료를용융시키는단계, 용융물의용융표면상에이격하여단열뚜껑을배열하여용융표면의적어도중앙부분이뚜껑에의해덮이는단계, 및용융표면상에배열된단열뚜껑으로제어가능하게용융물을냉각하는것에의해용융물로부터벌크단결정을성장시키는단계를포함한다.

公开(公告)号：DE102020114524A1

公开(公告)日：2020-12-03

申请号：DE102020114524

申请日：2020-05-29

Applicant: CORNELL UNIV CENTER FOR TECHNOLOGY LICENSING ,  FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

Inventor： GUGUSCHEV CHRISTO ,  BRÜTZAM MARIO ,  SCHLOM DARRELL ,  PAIK HANJONG

IPC: C30B11/02 ,  C30B29/30

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Züchten eines Volumeneinkristalls, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst- Einbringen eines Ausgangsmaterials in einen Tiegel,- Schmelzen des Ausgangsmaterials im Tiegel durch Erhitzen des Ausgangsmaterials,- Anordnen eines wärmeisolierenden Deckels in einem Abstand über einer Schmelzoberfläche der Schmelze derart, dass zumindest ein zentraler Teil der Schmelzoberfläche durch den Deckel abgedeckt wird, und- Züchten des Volumeneinkristalls aus der Schmelze durch steuerbares Abkühlen der Schmelze mit dem über der Schmelzoberfläche angeordneten wärmeisolierenden Deckel.

公开(公告)号：DE102020120715A1

公开(公告)日：2022-02-10

申请号：DE102020120715

申请日：2020-08-05

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

Inventor： KRÄNKEL CHRISTIAN ,  HAURAT EMILE ,  UVAROVA ANASTASIA ,  KLIMM DETLEF ,  GUGUSCHEV CHRISTO

IPC: C30B29/22 ,  C30B11/00 ,  C30B13/00 ,  C30B15/00

Abstract: Die Erfindung betrifft das Züchten eines Seltenerd-Sesquioxid-Kristalls mit kubischer Kristallstruktur aus einer Schmelze. Der Seltenerd-Sesquioxid-Kristall enthält wenigstens 5 % Yttriumoxid und wenigstens 5 % Scandiumoxid, so dass seine Liquidustemperatur unter 2400 °C beträgt. Alternativ kann der Seltenerd-Sesquioxid-Kristall auch Yttriumoxid und wenigstens 5 % Scandiumoxid enthalten und die Anteile von Yttriumoxid und Scandiumoxid können in einem Ausgangsmaterial so ausgewählt sein, dass der zu züchtende Selternerd-Sesquioxid-Kristall eine Liquidustemperatur von unter 2400 °C hat. Das Ausgangsmaterial kann in einem Tiegel, der aus einem Material besteht, welches eine Schmelztemperatur von unter 3000 °C hat, bei einer Temperatur von 2400 °C oder weniger geschmolzen werden. Der Seltenerd-Sesquioxid-Kristall kann aus dem geschmolzenen Ausgangsmaterial unter Verwenden eines Kristallzüchtungsverfahrens, beispielsweise des Czochralski-Verfahrens oder des HEM-Verfahrens gezüchtet werden. Auch ein tiegelfreies Züchten des Seltenerd-Sesquioxid-Kristalls ist bei einer Temperatur von 2400 °C oder weniger möglich, beispielsweise mittels optischem Zonenschmelzen.