公开(公告)号：WO2005038865A3

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：PCT/US2004032324

申请日：2004-09-30

Applicant: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC ,  MANCINI DAVID PAUL ,  QUINTERO JAIME A ,  RESNICK DOUGLAS JEFFREY ,  SMITH STEVEN M

Inventor： MANCINI DAVID PAUL ,  QUINTERO JAIME A ,  RESNICK DOUGLAS JEFFREY ,  SMITH STEVEN M

IPC: G03F7/09 ,  H01L20060101 ,  H01L21/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/22 ,  H01L29/40

CPC classification number: G03F7/094 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/09

Abstract: A semiconductor device (10), including an amorphous carbon layer (16) for improved adhesion of photoresist layers. Also a method of fabricating said semiconductor device. The device (10) includes a substrate (12) having a surface (15), an amorphous carbon layer (16), formed overlying the surface (15) of the substrate, and a low surface energy material (14) layer overlying the surface of the substrate. The device (10) is formed by providing a substrate (12) having a surface (15), depositing a low surface energy material layer (14) and depositing an amorphous carbon layer (16) overlying the surface of the substrate (12) adjacent the low surface energy material layer (14) using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or sputtering.

Abstract translation: 一种半导体器件（10），包括用于改善光致抗蚀剂层粘附性的无定形碳层（16）。 还有一种制造所述半导体器件的方法。 装置（10）包括具有表面（15）的衬底（12），形成在衬底的表面（15）上方的非晶碳层（16）和覆盖在该表面上的低表面能材料（14） 的基底。 设备（10）通过提供具有表面（15）的衬底（12），沉积低表面能材料层（14）并沉积覆盖在衬底（12）的表面上的非晶碳层（16）相邻形成 使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）或溅射的低表面能材料层（14）。

公开(公告)号：WO2004013039A3

公开(公告)日：2004-12-16

申请号：PCT/US0314930

申请日：2003-05-13

Applicant: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC

Inventor： FOERSTNER JUERGEN A ,  SMITH STEVEN M ,  ROOP RAYMOND MERVIN

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01H49/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2203/0735 ,  H01G5/18

Abstract: A method is provided for making a MEMS structure (69). In accordance with the method, a CMOS substrate (51) is provided which has interconnect metal (53) deposited thereon. A MEMS structure is created on the substrate through the plasma assisted chemical vapor deposition (PACVD) of a material selected from the group consisting of silicon and silicon-germanium alloys. The low deposition temperatures attendant to the use of PACVD allow these materials to be used for MEMS fabrication at the back end of an integrated CMOS process.

Abstract translation: 提供了一种用于制造MEMS结构（69）的方法。 根据该方法，提供了具有沉积在其上的互连金属（53）的CMOS衬底（51）。 通过等离子体辅助化学气相沉积（PACVD）在基材上形成MEMS结构，该材料选自由硅和硅 - 锗合金组成的组。 伴随使用PACVD的低沉积温度允许这些材料在集成CMOS工艺的后端用于MEMS制造。