公开(公告)号：CN103650343A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280023350.9

申请日：2012-05-11

Applicant: 芬兰国家技术研究中心

Inventor： 米卡·普伦尼拉 ,  安特尔·亚科拉 ,  托马斯·彭萨拉

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/24 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/0177 ,  G06F17/5045 ,  H03H9/02448 ,  H03H9/2447 ,  H03H2009/2442

Abstract: 本发明涉及一种微机械装置，包括：半导体元件，所述半导体元件能够产生偏转或谐振，并且包括具有不同材料性质的至少两个区域；以及功能性连接到所述半导体元件的驱动或传感机构。根据本发明，所述区域中的至少一个包括一种或多种n型掺杂剂，并且所述区域的相对体积、掺杂浓度、掺杂剂和/或晶体定向构造成使得所述区域的广义刚度的温度敏感度至少在一个温度下符号相反，并且在100℃的温度范围内，所述半导体元件的广义刚度的总体温度漂移为50ppm或更少。所述装置可以为谐振器。还公开了一种设计所述装置的方法。

公开(公告)号：CN1246911C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN01813971.X

申请日：2001-06-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石桥清志 ,  堀川牧夫 ,  奥村美香 ,  青砥正明 ,  吉田大作 ,  高仓博文

IPC: H01L29/84 ,  G01P15/125

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0169 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  H01G4/33 ,  H01G5/16

Abstract: 本发明的目的在提供一种薄膜结构体及其制造方法，是关于使用半导体加工技术而形成的薄膜结构体及其制造方法，特别是构成半导体加速传感器的薄膜结构体及其制造方法，不仅可简便地进行薄膜体的应力控制，同时可很容易将薄膜体的膜厚予以加厚。为了达成上述目的，半导体加速传感器的质量体(3)、梁(7)及构成固定电极(5)的薄膜体(8)，是由多个的经掺杂的多晶硅薄膜(33，35)所构成，而该经掺杂的多晶硅薄膜(33，35)，则是薄由进行多次一边掺杂做为杂质的磷一边使多晶硅成膜的程序而层叠而成。

公开(公告)号：CN103130179B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201210510312.8

申请日：2012-12-03

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 野田隆一郎 ,  吉田隆司

IPC: B81C1/00 ,  G01L9/00 ,  G01L1/10

CPC classification number: H04R31/00 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0173 ,  H03H3/0072 ,  Y10T29/49005

Abstract: 一种制造具有振动梁的谐振式传感器的方法，包括：（a）提供SOI衬底，SOI衬底包括：第一硅层；在第一硅层上的氧化硅层；以及在氧化硅层上的第二硅层；（b）通过使用氧化硅层作为蚀刻阻挡层来蚀刻第二硅层，来穿过第二硅层形成第一间隙和第二间隙；（c）在第二硅层上形成杂质扩散源层；（d）在第二硅层的表面部分中形成杂质扩散层；（e）通过蚀刻去除杂质扩散源层；以及（f）通过蚀刻来去除氧化硅层的至少一部分，从而在第一硅层与由第一间隙和第二间隙围绕的第二硅层的区域之间形成空气间隙。

公开(公告)号：CN103130179A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210510312.8

申请日：2012-12-03

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 野田隆一郎 ,  吉田隆司

IPC: B81C1/00 ,  G01L9/00 ,  G01L1/10

CPC classification number: H04R31/00 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0173 ,  H03H3/0072 ,  Y10T29/49005

Abstract: 一种制造具有振动梁的谐振式传感器的方法，包括：（a）提供SOI衬底，SOI衬底包括：第一硅层；在第一硅层上的氧化硅层；以及在氧化硅层上的第二硅层；（b）通过使用氧化硅层作为蚀刻阻挡层来蚀刻第二硅层，来穿过第二硅层形成第一间隙和第二间隙；（c）在第二硅层上形成杂质扩散源层；（d）在第二硅层的表面部分中形成杂质扩散层；（e）通过蚀刻去除杂质扩散源层；以及（f）通过蚀刻来去除氧化硅层的至少一部分，从而在第一硅层与由第一间隙和第二间隙围绕的第二硅层的区域之间形成空气间隙。

公开(公告)号：CN1446379A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN01813971.X

申请日：2001-06-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石桥清志 ,  堀川牧夫 ,  奥村美香 ,  青砥正明 ,  吉田大作 ,  高仓博文

IPC: H01L29/84 ,  G01P15/125

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0169 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  H01G4/33 ,  H01G5/16

Abstract: 本发明的目的在提供一种薄膜结构体及其制造方法，是关于使用半导体加工技术而形成的薄膜结构体及其制造方法，特别是构成半导体加速传感器的薄膜结构体及其制造方法，不仅可简便地进行薄膜体的应力控制，同时可很容易将薄膜体的膜厚予以加厚。为了达成上述目的，半导体加速传感器的质量体(3)、梁(7)及构成固定电极(5)的薄膜体(8)，是由多个的经掺杂的多晶硅薄膜(33，35)所构成，而该经掺杂的多晶硅薄膜(33，35)，则是薄由进行多次一边掺杂做为杂质的磷一边使多晶硅成膜的程序而层叠而成。

公开(公告)号：CN103650343B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201280023350.9

申请日：2012-05-11

Applicant: 芬兰国家技术研究中心

Inventor： 米卡·普伦尼拉 ,  安特尔·亚科拉 ,  托马斯·彭萨拉

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/24 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/0177 ,  G06F17/5045 ,  H03H9/02448 ,  H03H9/2447 ,  H03H2009/2442

Abstract: 本发明涉及一种微机械装置，包括：半导体元件，所述半导体元件能够产生偏转或谐振，并且包括具有不同材料性质的至少两个区域；以及功能性连接到所述半导体元件的驱动或传感机构。根据本发明，所述区域中的至少一个包括一种或多种n型掺杂剂，并且所述区域的相对体积、掺杂浓度、掺杂剂和/或晶体定向构造成使得所述区域的广义刚度的温度敏感度至少在一个温度下符号相反，并且在100℃的温度范围内，所述半导体元件的广义刚度的总体温度漂移为50ppm或更少。所述装置可以为谐振器。还公开了一种设计所述装置的方法。

公开(公告)号：CN1675126A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN03818563.6

申请日：2003-05-13

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 朱尔根·A.·弗斯特纳 ,  斯蒂文·M.·史密斯 ,  雷蒙德·M.·鲁普

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2203/0735 ,  H01G5/18

Abstract: 提供了一种用来制作MEMS结构(69)的方法。根据此方法，提供了其上淀积有互连金属(53)的CMOS衬底(51)。通过选自硅和硅锗合金的材料的等离子体辅助化学气相淀积(PACVD)，在衬底上产生了MEMS结构。伴随PACVD使用的低的淀积温度使得这些材料能够在集成CMOS工艺的后端被用于制造MEMS。

公开(公告)号：WO0212115A3

公开(公告)日：2003-01-09

申请号：PCT/US0124723

申请日：2001-08-07

Applicant: HONEYWELL INT INC

Inventor： CABUZ CLEOPATRA ,  HORNING ROBERT D ,  ERDMANN FRANCIS M ,  GLENN MAX C

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/308 ,  H01L29/84 ,  H01L21/22 ,  H01L21/20

CPC classification number: B81C1/00365 ,  B81C2201/0164 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/2495

Abstract: Layers of boron-doped silicon (36) having reduced out-of-plane curvature are disclosed. The layers have substantially equal concentrations of boron near th etop (38) and bottom (40) surfaces. Since the opposing concentrations are substantially equal, the compressive stresses on the layers (36) are substantially balanced, thereby resulting in layers (36) with reduced out-of-plane curvature.

Abstract translation: 公开了具有减小的平面外曲率的硼掺杂硅（36）的层。 这些层在顶部（38）和底部（40）表面附近具有基本相等的硼浓度。 由于相反的浓度基本相等，所以层（36）上的压缩应力基本平衡，从而导致具有减小的面外曲率的层（36）。

公开(公告)号：US12095447B1

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：US16591717

申请日：2019-10-03

Applicant: SiTime Corporation

Inventor： Charles I. Grosjean ,  Ginel C. Hill ,  Paul M. Hagelin ,  Renata Melamud Berger ,  Aaron Partridge ,  Markus Lutz

IPC: H03H9/24 ,  B81C1/00 ,  H03H3/00 ,  H03H3/007 ,  H03H9/10

CPC classification number: H03H9/2457 ,  B81C1/0069 ,  H03H3/0072 ,  H03H3/0076 ,  H03H9/1057 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0171

Abstract: A microelectromechanical system (MEMS) resonator includes a substrate having a substantially planar surface and a resonant member having sidewalls disposed in a nominally perpendicular orientation with respect to the planar surface. Impurity dopant is introduced via the sidewalls of the resonant member such that a non-uniform dopant concentration profile is established along axis extending between the sidewalls parallel to the substrate surface and exhibits a relative minimum concentration in a middle region of the axis.

公开(公告)号：US08558643B2

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US13468052

申请日：2012-05-10

Applicant: Mika Prunnila ,  Antti Jaakkola ,  Tuomas Pensala

Inventor： Mika Prunnila ,  Antti Jaakkola ,  Tuomas Pensala

IPC: H03H9/24 ,  H03H3/013 ,  H01L29/06 ,  H01L21/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/0177 ,  G06F17/5045 ,  H03H9/02448 ,  H03H9/2447 ,  H03H2009/2442

Abstract: The invention relates to a micromechanical device comprising a semiconductor element capable of deflecting or resonating and comprising at least two regions having different material properties and drive or sense means functionally coupled to said semiconductor element. According to the invention, at least one of said regions comprises one or more n-type doping agents, and the relative volumes, doping concentrations, doping agents and/or crystal orientations of the regions being configured so that the temperature sensitivities of the generalized stiffness are opposite in sign at least at one temperature for the regions, and the overall temperature drift of the generalized stiffness of the semiconductor element is 50 ppm or less on a temperature range of 100° C. The device can be a resonator. Also a method of designing the device is disclosed.

Abstract translation: 本发明涉及一种微机械装置，其包括能够偏转或谐振并且包括具有不同材料特性的至少两个区域的半导体元件和功能性耦合到所述半导体元件的驱动或感测装置。 根据本发明，所述区域中的至少一个包括一种或多种n型掺杂剂，并且所述区域的相对体积，掺杂浓度，掺杂剂和/或晶体取向被构造成使得广义刚度的温度敏感度 在区域的至少一个温度下符号相反，半导体元件的整体刚度的总体温度漂移在100℃的温度范围内为50ppm以下。该器件可以是谐振器。 还公开了一种设计该设备的方法。