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1.发明专利
公开(公告)号：BR112013024192B1
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：BR112013024192
申请日：2012-03-28
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： DAVID ALAN LILIENFELD , JODY ALAN FRONHEISER , JOSEPH DARRYL MICHAEL , KEVIN SEAN MATOCHA , STEPHEN DALEY ARTHUR , TAMMY LYNN JOHNSON , WILLIAM GREGG HAWKINS
IPC: H01L29/45 , H01L29/49 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: dispositivo semicondutor e dispositivo de transistor de efeito de campo de óxido metálico a presente invenção refere-se, geralmente, a dispositivos semicondutores e mais particularmente a um dispositivo semicondutor que tem um substrato (102) semicondutor que compreende carboneto de silício com um eletrodo de porta (106) disposto em uma porção do substrato (102) em uma primeira superfície com um eletrodo de dreno (112) disposto em uma segunda superfície do substrato (102). existe uma camada dielétrica disposta no eletrodo de porta (106) e uma camada corretiva disposta sobre, dentro ou abaixo da camada dielétrica, sendo que a camada corretiva é configurada para suavizar a instabilidade de temperatura de polarizações negativas que mantém uma troca na tensão limiar menor que 1 volt. um eletrodo de fonte (124) é disposto na camada corretiva, sendo que o eletrodo de fonte (124) é acoplado eletricamente a uma região de contato do substrato (102) semicondutor.
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公开(公告)号：BR102013019891B1
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：BR102013019891
申请日：2013-08-05
Applicant: GEN ELECTRIC
IPC: H01L21/04 , H01L29/772
Abstract: método para fabricar um dispositivo semicondutor, dispositivos de transistor de efeito de campo de óxido de metal (mosfet) e semicondutor trata-se de um dispositivo semicondutor e métodos para fabricar esse dispositivo. em determinadas realizações, o dispositivo semicondutor inclui um eletrodo fonte formado com o uso de um metal que limita um deslocamento, tal como devido à instabilidade em temperatura e polarização, em uma tensão limite do dispositivo semicondutor durante a operação. em determinadas realizações o dispositivo semicondutor pode ser baseado em carboneto de silício.
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公开(公告)号：BR102017017632A2
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：BR102017017632
申请日：2017-08-17
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： JASON FREDRICK TROTTER , JOSEPH DARRYL MICHAEL , KARIM YOUNSI , MOHAMED RAHMANE , TIMOTHY JOHN SOMMERER
Abstract: as realizações da presente divulgação se referem a um dispositivo de centelhador (100) que inclui um primeiro eletrodo (102) com uma primeira superfície (130) e um segundo eletrodo (104) com uma segunda superfície deslocada e de frente para a primeira superfície (130). o dispositivo centelhador (100) também inclui uma fonte de luz (120) configurada para emitir luz em direção a pelo menos a primeira superfície (130), de modo que os fótons emitidos pelo a fonte de luz (120), quando o centelhador (100) é operado, é incidente na primeira superfície (130) e causa a emissão do elétron a partir da primeira superfície (130). a fonte de luz (120) inclui uma sonda de descarga (121) com um terceiro eletrodo (122) selado em um tubo (124) preenchido com um gás inerte (126). o centelhador (100) não pode incluir um componente radioativo.
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公开(公告)号：BR112015023115A2
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：BR112015023115
申请日：2013-05-21
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： DAVID JOHN SMITH , JOSEPH DARRYL MICHAEL , SERGEY JOSEPH ZALUBOVSKY , TIMOTHY JOHN SOMMERER
Abstract: resumo “dispositivo comutador de catodo frio e conversor de potência” a presente invenção se refere a um dispositivo comutador de catodo frio. o dispositivo comutador de catodo frio (100) inclui um alojamento (110) que define uma câmara (111); um gás ionizável (112) disposto na câmara; e uma pluralidade de eletrodos (120) disposta na câmara. a pluralidade de eletrodos inclui um catodo (124) e um anodo (122) que definem um vão de descarga, e em que, pelo menos um dentre o catodo e o anodo compreende um material que é líquido em uma temperatura de operação do catodo ou do anodo.
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