公开(公告)号：BR112016028806A8

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：BR112016028806

申请日：2015-06-09

Applicant: GEN ELECTRIC

Inventor： SRINIVAS PRASAD SISTA ,  ANANT ACHYUT SETLUR ,  ASHFAQUL ISLAM CHOWDHURY ,  FLORENCIO GARCIA ,  JAMES EDWARD MURPHY

IPC: C09K11/61 ,  H01L33/50

Abstract: processo para sintetizar um fósforo, fósforos, aparelhos de iluminação, dispositivos de retroiluminação e processo para preparar um fósforo trata-se de um processo para sintetizar um fósforo dopado com mn4+ que inclui colocar um precursor de fórmula i, ax(m1-z, mnz)fy i a uma temperatura elevada em contato com um agente de oxidação que con-tém flúor na forma gasosa para formar o fósforo dopado com mn4+; em que a é li, na, k, rb, cs ou uma combinação dos mesmos; m é si, ge, sn, ti, zr, al, ga, in, sc, hf, y, la, nb,ta, bi, gd ou uma combina-ção dos mesmos; x é o valor absoluto da carga do íon [mfy]; y é 5, 6 ou 7; e 0,03 (menor igual) z (menor igual) 0,10.

公开(公告)号：BR112017008966A2

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：BR112017008966

申请日：2015-11-16

Applicant: GEN ELECTRIC

Inventor： ANANT ACHYUT SETLUR ,  ASHFAQUL ISLAM CHOWDHURY ,  FLORENCIO GARCIA ,  JAMES EDWARD MURPHY ,  SRINIVAS PRASAD SISTA

IPC: C09K11/61

Abstract: a presente invenção se refere a um processo para a síntese de um fósforo dopado com o mn4+ que inclui o contato de um precursor de fórmula i ax [mfy]:mn4+ (i), a uma temperatura elevada com um agente de oxidação que contém o flúor na forma gasosa para a formação do fósforo dopado com o mn4+ estável à cor; em que a é o li, na, k, rb, cs, ou uma de suas combinações; m é o si, ge, sn, ti, zr, al, ga, in, sc, hf, y, la, nb, ta, bi, gd ou uma sua combinação; x é o valor absoluto da carga do íon [mfy]; y é 5, 6 ou 7; e a quantidade de mn varia a partir de cerca de 0,9% em peso a cerca de 4% em peso, com base no peso total.

公开(公告)号：BR112016027999A8

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：BR112016027999

申请日：2015-06-11

Applicant: GEN ELECTRIC

Inventor： ANANT ACHYUT SETLUR ,  FLORENCIO GARCIA ,  JAMES EDWARD MURPHY ,  SRINIVAS PRASAD SISTA

IPC: C09K11/61

Abstract: processos para sintetizar um fósforo, aparelhos de ilumina-ção, dispositivos de luz de fundo e fósforo enriquecido trata-se de um processo para sintetizar um fósforo enriquecido com mn4+ que inclui colocar um precursor de fórmula (i): ax [mfy]:mn4+, a qualquer tempera-tura em uma faixa de cerca de 200 °c a cerca de 700 °c, em contato com um agente oxidante que contém flúor em forma gasosa; manter a temperatura du-rante um período de contato de pelo menos uma hora; e, após o período de contato, reduzir a temperatura a uma taxa de (menor igual)5 °c por minuto; em que a é li, na, k, rb, cs ou uma combinação dos mesmos; m é si, ge, sn, ti, zr, al, ga, in, sc, hf, y, la, nb, ta, bi, gd ou uma combinação dos mesmos; x é o valor absoluto da carga do íon [mfy]; y é 5, 6 ou 7.

公开(公告)号：MX2016016391A

公开(公告)日：2017-05-01

申请号：MX2016016391

申请日：2015-06-11

Applicant: GEN ELECTRIC

Inventor： MURPHY JAMES EDWARD ,  SETLUR ANANT ACHYUT ,  GARCIA FLORENCIO ,  SRINIVAS PRASAD SISTA

IPC: C09K11/61

Abstract: Un proceso para sintetizar un fósforo dopado con Mn4+ de color estable, el proceso incluye poner en contacto un precursor de fórmula I, Ax [MFy]:Mn4+ en cuaqluier temperatura en una escala de aproximadamente 200°C a aproximadamente 700°C con un agente oxidante que contiene flúor en forma gaseosa; mantener la temperatura durante un periodo de contacto de al menos una hora; y después del periodo de contacto, reducir la temperatura a una tasa de =5°C por minuto; en donde A es Li, Na, K, Rb, Cs o una combinación de los mismos; M es Si, Ge, Sn, Ti, Zr, Al, Ga, In, Sc, Hf, Y, La, Nb, Ta, Bi, Gd, o una combinación de los mismos; x es el valor absoluto de la carga del ion [MFy]; y es 5, 6 o 7.

公开(公告)号：BR112017017718A2

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：BR112017017718

申请日：2016-01-12

Applicant: GEN ELECTRIC

Inventor： JAMES EDWARD MURPHY ,  SRINIVAS PRASAD SISTA

IPC: C09K11/61

Abstract: processo de preparação de fósforo enriquecido com mn+4 da fórmula i: ax [mfy]:mn+4 i inclui a adição gradual de primeira solução a uma segunda solução, descarregando gradualmente o produto líquido do reator enquanto o volume do produto líquido no reator permanece constante; em que: - a é li, na, k, rb, cs ou uma de suas combinações; - m é si, ge, sn, ti, zr, al, ga, in, sc, y, la, nb, ta, bi, gd ou uma de suas combinações; - x é o valor absoluto da carga do íon [mfy]; e - y é 5, 6 ou 7. a primeira solução inclui uma fonte de m e hf e a segunda solução inclui uma fonte de mn para um reator na presença de uma fonte de a.

公开(公告)号：MX2017010695A

公开(公告)日：2017-12-04

申请号：MX2017010695

申请日：2016-01-12

Applicant: GEN ELECTRIC

Inventor： SRINIVAS PRASAD SISTA ,  JAMES EDWARD MURPHY

IPC: C09K11/61

Abstract: Un procedimiento para preparar un fósforo dopado con Mn+4 de la Fórmula I incluye agregar gradualmente una primera solución a una segunda solución descargando gradualmente el licor producto del reactor mientras el volumen del licor producto en el reactor permanece constante; en donde A es Li, Na, K, Rb, Cs, o una combinación de los mismos; M es Si, Ge, Sn, Ti, Zr, Al, Ga, In, Sc, Y, La, Nb, Ta, Bi, Gd, o una combinación de los mismos; x es el valor absoluto de la carga del ion [MFy]; y es 5, 6 ó 7; la primera solución incluye una fuente de M y HF y la segunda solución incluye una fuente de Mn a un reactor en la presencia de la fuente A. Ax [MFy]:Mn+4.

公开(公告)号：BR112016028806A2

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：BR112016028806

申请日：2015-06-09

Applicant: GEN ELECTRIC

Inventor： ANANT ACHYUT SETLUR ,  ASHFAQUL ISLAM CHOWDHURY ,  FLORENCIO GARCIA ,  JAMES EDWARD MURPHY ,  SRINIVAS PRASAD SISTA

IPC: C09K11/61 ,  H01L33/50

Abstract: trata-se de um processo para sintetizar um fósforo dopado com mn4+ que inclui colocar um precursor de fórmula i, ax(m1-z, mnz)fy i a uma temperatura elevada em contato com um agente de oxidação que contém flúor na forma gasosa para formar o fósforo dopado com mn4+; em que a é li, na, k, rb, cs ou uma combinação dos mesmos; m é si, ge, sn, ti, zr, al, ga, in, sc, hf, y, la, nb, ta, bi, gd ou uma combinação dos mesmos; x é o valor absoluto da carga do íon [mfy]; y é 5, 6 ou 7; e 0,03 = z = 0,10.

公开(公告)号：MX2016016390A

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：MX2016016390

申请日：2015-06-09

Applicant: GEN ELECTRIC

Inventor： MURPHY JAMES EDWARD ,  SETLUR ANANT ACHYUT ,  CHOWDHURY ASHFAQUL ISLAM ,  GARCIA FLORENCIO ,  SRINIVAS PRASAD SISTA

IPC: C09K11/61 ,  H01L33/50

Abstract: Un proceso para sintetizar un fósforo activado por Mn4+ el proceso comprende poner en contacto un precursor de fórmula I, Ax(M1-z, Mnz)Fy I a una temperatura elevada con un agente oxidante que contiene flúor en forma gaseosa para formar el fósforo activado por Mn4+; en donde A es Li, Na, K, Rb, Cs, o una combinación de los mismos; M es Si, Ge, Sn, Ti, Zr, Al, Ga, In, Sc, Hf, Y, La, Nb, Ta, Bi, Gd o una combinación de los mismos; x es el valor absoluto de la carga del ion [MFy]; y es 5, 6 o 7; y 0.03=z?0.10.

公开(公告)号：MX2017006661A

公开(公告)日：2017-10-04

申请号：MX2017006661

申请日：2015-11-16

Applicant: GEN ELECTRIC

Inventor： MURPHY JAMES EDWARD ,  SETLUR ANANT ACHYUT ,  CHOWDHURY ASHFAQUL ISLAM ,  GARCIA FLORENCIO ,  SRINIVAS PRASAD SISTA

IPC: C09K11/61

Abstract: Un proceso para sintetizar un fósforo dopado con Mn4+ incluye poner en contacto un precursor de la fórmula I, AX [MFY]:Mn4+ I a una temperatura elevada con un agente oxidante que contiene flúor en forma gaseosa para formar el fósforo dopado con Mn4+ de color estable; en donde A es Li, Na, K, Rb, Cs, o una combinación de los mismos; M es Si, Ge, Sn, Ti, Zr, Al, Ga, In, Sc, Hf, Y, La, Nb, Ta, Bi, Gd, o una combinación de los mismos; x es el valor absoluto de la carga del ion [MFY]; y es 5, 6 o 7; y la cantidad de Mn va desde aproximadamente 0.9 % en peso a aproximadamente 4 % en peso, con base en el peso total.

公开(公告)号：MX2016016392A

公开(公告)日：2017-05-01

申请号：MX2016016392

申请日：2015-06-12

Applicant: GEN ELECTRIC

Inventor： MURPHY JAMES EDWARD ,  SETLUR ANANT ACHYUT ,  GARCIA FLORENCIO ,  SRINIVAS PRASAD SISTA

IPC: C09K11/61

Abstract: Un procedimiento para sintetizar un fósforo dopado con manganeso (Mn4+) que incluye moler partículas de un precursor de fósforo de la fórmula I, y poner en contacto las partículas molidas con un agente oxidante que contiene flúor a una temperatura elevada Ax[MFy]:Mn4+ .....(I) en donde A es Li, Na, K, Rb, Cs, o una combinación de los mismos; M es Si, Ge, Sn, Ti, Zr, Al, Ga, In, Sc, Hf, Y, La, Nb, Ta, Bi, Gd, o una combinación de los mismos; x es el valor absoluto de la carga del ion de [MFy]; y es 5, 6 o 7.