公开(公告)号：DE102009015749B3

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：DE102009015749

申请日：2009-03-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LETZ TOBIAS ,  FEUSTEL FRANK ,  FROHBERG KAI

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/8234

Abstract: Die Haftung dielektrischer Schichtstapel, die nach dem Fertigstellen der grundlegenden Konfiguration von Transistorelementen zu bilden sind, wird erhöht, indem die Ausbildung eines Metallsilizids im Randgebiet des Substrats vermieden wird. Zu diesem Zweck wird eine dielektrische Schutzschicht selektiv im Randgebiet vor einem entsprechenden Vorreinigungsprozess oder unmittelbar vor dem Abscheiden des hoch schmelzenden Metalls gebildet. Somit kann nicht reagiertes Metall effizient vom Randgebiet abgetragen werden, ohne dass ein nicht erwünschtes Metallsilizid gebildet wird. Die weitere Bearbeitung kann somit auf der Grundlage besserer Prozessbedingungen für das Herstellen dielektrischer Zwischenschichtmaterialien fortgesetzt werden.

公开(公告)号：DE102008063417B4

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：DE102008063417

申请日：2008-12-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LETZ TOBIAS ,  FEUSTEL FRANK

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/321

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Metallisierungssystems (130) eines Halbleiterbauelementes (100), wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer Öffnung (121V) in einer dielektrischen Schicht (121) einer ersten Metallisierungsschicht (120) des Metallisierungssystems, wobei die Öffnung (121V) einen Bereich eines Kupfer enthaltenden Metallgebiets (112A) einer zweiten Metallisierungsschicht (110) des Metallisierungssystems (130) freilegt; und Bilden einer Kupfer/Silizium-Verbindung selektiv in einem freigelegten Bereich (112P) des Kupfer enthaltenden Metallgebiets (112A), wobei der freigelegte Bereich (112P) in einer Silizium enthaltenden Plasma-Umgebung (102) behandelt wird, wobei die Plasma-Umgebung (102) als eine reaktive Komponente Sauerstoff aufweist, so dass Kontaminationsstoffe entfernt werden, die während eines Ätzprozesses erzeugt wurden, der zum Bilden der Öffnung (121V) ausgeführt wurde.

公开(公告)号：DE102009015718B4

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：DE102009015718

申请日：2009-03-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： FEUSTEL FRANK ,  LETZ TOBIAS ,  KOSCHINSKY FRANK

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L23/544

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer leitenden Schicht auf inneren Oberflächenbereichen mehrerer Öffnungen, die in einer dielektrischen Schicht über einem Substrat eines Halbleiterbauelementes gebildet sind, wobei die mehreren Öffnungen in einem speziellen Testbereich des Substrates ausgebildet sind; Einbringen des Substrates mit der leitenden Schicht in eine Reinraumumgebung, die auf der Grundlage einer speziellen Parametereinstellung eingerichtet ist; Bilden eines Metallgebietes in jeder der mehreren Öffnungen des Substrates; Bestimmen einer Defektrate des spezifizierten Testbereiches des Substrates; und Einstellen mindestens eines Parameterwertes der spezifizierten Parametereinstellung der Reinraumumgebung auf der Grundlage der aus dem Substrat erhaltenen Defektrate.

公开(公告)号：DE102007046851B4

公开(公告)日：2019-01-10

申请号：DE102007046851

申请日：2007-09-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： FEUSTEL FRANK ,  LETZ TOBIAS ,  PETERS CARSTEN

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: Halbleiterstruktur (300) mit:einem Halbleitersubstrat (301);einer Schicht aus einem elektrisch isolierenden Material (304), die über dem Halbleitersubstrat (301) ausgebildet ist,einem elektrisch leitfähigen Strukturelement (306), das in der Schicht aus dem elektrisch isolierenden Material (304) ausgebildet ist, wobei das elektrisch leitfähige Strukturelement ( 306 ) mindestens eines von einem Graben (309) und einer Kontaktöffnung (308), die mit Kupfer gefüllt sind, umfasst; undeiner ersten Schicht aus einem Halbleitermaterial (320), die zwischen dem elektrisch leitfähigen Strukturelement (306) und der Schicht aus dem elektrisch isolierenden Material (304) ausgebildet ist und Zinkoxid aufweist,wobei ein Material der ersten Schicht aus Halbleitermaterial (320) derart ausgelegt ist, dass sich an einer Grenzfläche zwischen dem Kupfer und der ersten Schicht aus dem Halbleitermaterial (320) eine Schottky-Barriere bildet.

公开(公告)号：DE102009015718A1

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：DE102009015718

申请日：2009-03-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MODULE ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： FEUSTEL FRANK ,  LETZ TOBIAS ,  KOSCHINSKY FRANK

IPC: H01L21/288 ,  G01R31/26 ,  H01L21/66 ,  H01L21/768 ,  H01L23/544

Abstract: Während der Herstellung eines komplexen Metallisierungssystems wird der Einfluss einer Fertigungsumgebung auf empfindliche Barrieren/Saatmaterialsysteme überwacht oder gesteuert, indem ein geeignetes Testmuster verwendet und eine geeignete Teststrategie angewendet werden. Beispielsweise werden Sondierungssubstrate und Referenzsubstrate vorbereitet und bearbeitet, mit und ohne dass diese der interessierenden Fertigungsumgebung ausgesetzt werden, wodurch eine effiziente Bewertung eines oder mehrerer Parameter der Umgebung möglich ist. Es wird ferner eine "optimierte" Fertigungsumgebung auf der Grundlage der hierin offenbarten Teststrategie erreicht.

公开(公告)号：DE102009021488A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：DE102009021488

申请日：2009-05-15

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MODULE ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： FEUSTEL FRANK ,  LETZ TOBIAS ,  PREUSSE AXEL

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen wird das Elektromigrationsverhalten von Kupfermetallleitungen an deren oberen Grenzfläche verbessert, indem eine Kupferlegierung hergestellt wird, die lokal auf die Grenzfläche beschränkt ist. Zu diesem Zweck wird eine geeignete legierungsbildende Sorte, etwa Aluminium, auf der Grundlage eines nicht maskierten Abscheideprozesses vorgesehen und nachfolgend durch einen nicht maskierten Ätzprozess abgetragen, wobei die Eigenschaften der resultierenden Legierung während einer dazwischen liegenden Wärmebehandlung eingestellt werden.

公开(公告)号：DE102006056598B4

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：DE102006056598

申请日：2006-11-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LETZ TOBIAS ,  SCHUEHRER HOLGER ,  NOPPER MARKUS

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306

Abstract: Durch Herstellen einer Schutzschicht auf der Rückseite eines Substrats vor Prozesssequenzen, die Material oder Materialreste auf der Rückseite abscheiden, wird die entsprechende Rückseitengleichmäßigkeit deutlich verbessert, wodurch auch die Prozesseffizienz nachfolgender rückseitenkritischer Prozesse verbessert wird, etwa von Lithographieprozessen, Metallisierungsprozessen, und dergleichen. In einer anschaulichen Ausführungsform wird Siliziumkarbid als ein Material zur Herstellung einer entsprechenden Schutzschicht eingesetzt.

公开(公告)号：SG175862A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：SG2011080678

申请日：2010-05-07

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： FEUSTEL FRANK ,  LETZ TOBIAS ,  PREUSSE AXEL

Abstract: Title: ENHANCED ELECTROMIGRATION PERFORMANCE OF COPPER LINES IN METALLIZATION SYSTEMS OF SEMICONDUCTOR DEVICES BY SURFACE ALLOYING [err]Abstract: In sophisticated semiconductor devices, the electromigration performance of copper metal line at the top interfacethereof may be enhanced by forming a copper alloy (123C) that is locally restricted to the interface (132S). To this end, an appro-priate alloy-forming species, such as aluminum, may be provided on the basis of a non-masked deposition process and may besubsequently removed by a non-masked etch process, wherein the characteristic of the resulting alloy may be adjusted during anintermediate heat treatment.