公开(公告)号：DE102009023378B4

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：DE102009023378

申请日：2009-05-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SCHALLER MATTHIAS ,  OSZINDA THOMAS ,  LEPPACK SUSANNE ,  FISCHER DANIEL

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/768

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines dielektrischen Materials mit kleinem &egr; über einem Substrat (101), wobei das Verfahren umfasst: Bilden eines Silizium und Sauerstoff enthaltenden dielektrischen Materials (110) über dem Substrat (101); Ausführen einer Oberflächenbehandlung (120) an zumindest einem Bereich einer Oberfläche (110s) des Silizium und Sauerstoff enthaltenden dielektrischen Materials (110) auf der Grundlage von Hexamethylcyclotrisilazan und/oder Octamethylcyclotetrasilazan, um eine Dielektrizitätskonstante zumindest in dem Bereich des Silizium und Sauerstoff enthaltenden dielektrischen Materials (110) zu verringern; und nach dem Ausführen der Oberflächenbehandlung (120): In Gang setzen einer Dimerisationsreaktion oder einer Polymerisationsreaktion durch Zuführen eines oder mehrerer chemischer Mittel zu dem mindestens einen Bereich der Oberfläche (110s), um die chemische Stabilität des Bereichs der Oberfläche (110s) zu erhöhen.

公开(公告)号：DE102010040071B4

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：DE102010040071

申请日：2010-08-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SCHALLER MATTHIAS ,  FISCHER DANIEL ,  OSZINDA THOMAS

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Metallisierungssystems eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer Öffnung in einem dielektrischen Material mit kleinem &egr;, die sich zu einem Metallgebiet erstreckt, durch Einwirken auf das dielektrische Material mit kleinem &egr; mittels einer reaktiven plasmaunterstützen Ätzatmosphäre, wobei das dielektrische Material mit kleinem &egr; Silizium, Sauerstoff, Kohlenstoff und Wasserstoff enthält und wobei durch die Einwirkung der reaktiven plasmaunterstützen Ätzatmosphäre ungesättigte Siliziumbindungen in einer freiliegenden Grenzflächenschicht des dielektrischen Materials mit kleinem &egr; entstehen; Ausführen einer Oberflächenbehandlung an dem dielektrischen Material mit kleinem &egr;, das die Öffnung enthält, unter Zuführung von Prozessgasen, die eine reaktive Sorte in Form von Wasserstoff, Stickstoff, Kohlenstoff, Chlor, Brom oder Jod enthalten, derart, dass die ungesättigten Siliziumbindungen durch die reaktive Sorte gesättigt werden, bevor das Halbleiterbauelement einer feuchtigkeitsenthaltenden Umgebung ausgesetzt wird; und Ersetzen eines wesentlichen Teils der reaktiven Sorte durch eine Substitutionssorte, die eine Methylgruppe enthält, in der Grenzflächenschicht, so...

公开(公告)号：DE102010040071A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：DE102010040071

申请日：2010-08-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SCHALLER MATTHIAS ,  FISCHER DANIEL ,  OSZINDA THOMAS

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

Abstract: Strukturierungsbedingte Schädigungen empfindlicher dielektrischer Materialien mit kleinem &egr; in Halbleiterbauelementen werden zu einem gewissen Grade wieder aufgehoben auf der Grundlage einer Oberflächenbehandlung, die vor dem Einwirken der Umgebungsatmosphäre auf das Bauelement ausgeführt wird. Dazu werden die ungesättigten Siliziumbindungen des siliziumoxidbasierten dielektrischen Materials mit kleinem &egr; in einer abgeschlossenen Prozessumgebung gesättigt, wodurch bessere Prozessbedingungen für das nachfolgende Anwenden einer geeigneten Reparaturchemie geschaffen werden.

公开(公告)号：DE102011090164B4

公开(公告)日：2019-08-22

申请号：DE102011090164

申请日：2011-12-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SCHALLER MATTHIAS ,  FISCHER DANIEL ,  OSZINDA THOMAS

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768

Abstract: Verfahren mit:Bilden eines dielektrischen Materials (110) mit kleinem ε über einem Substrat (101) eines Mikrostrukturbauelements (100);Einwirken mittels einer reaktiven Prozessatmosphäre (104) in einer Prozesskammer auf zumindest einen Teil des dielektrischen Materials (110) mit kleinem ε, wobei die Einwirkung zur Erzeugung von ungesättigten Bindungen (113) an einem Oberflächenbereich des dielektrischen Materials (110) mit kleinem ε führt;Ausführen einer Oberflächenbehandlung (107) in der Prozesskammer ohne Einwirkung einer Umgebungsatmosphäre auf das dielektrische Material (110) mit kleinem ε derart, dass der Großteil der ungesättigten Bindungen (113) an dem Oberflächenbereich mit einer organischen Sorte gesättigt wird, wobei die organische Sorte (115) die ungesättigten Bindungen (113) direkt sättigt, und wobei Ausführen der Oberflächenbehandlung (107) das Zuführen von HC=N (114A) aufweist; undBilden einer metallenthaltenden Materialschicht (121), die Kupfer oder eine Kupferlegierung umfasst, über dem Oberflächenbereich.

公开(公告)号：DE102009023378A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：DE102009023378

申请日：2009-05-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MODULE ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SCHALLER MATTHIAS ,  OSZINDA THOMAS ,  LEPPACK SUSANNE ,  FISCHER DANIEL

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205

Abstract: Es werden siliziumoxidbasierte dielektrische Materialien mit kleinem ε mit einer hydrophoben Oberfläche mit kleinem ε bereitgestellt, selbst nach der Einwirkung einer reaktiven Prozessumgebung, indem eine Oberflächenbehandlung auf der Grundlage von Hexamethylcyclotrisilazan und/oder Octamethylcyclotetrasilazan ausgeführt wird. Zusätzlich zur Oberflächenbehandlung kann eine Polymerisierung auf der Grundlage einer hydrophoben Oberflächennatur des siliziumbasierten dielektrischen Materials in Gang gesetzt werden, wodurch die chemische Stabilität während der weiteren Bearbeitung verbessert wird.

公开(公告)号：DE102011090164A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：DE102011090164

申请日：2011-12-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SCHALLER MATTHIAS ,  FISCHER DANIEL ,  OSZINDA THOMAS

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

Abstract: Geschädigte Oberflächenbereiche von dielektrischen Materialien mit kleinem &egr; können effizienter repariert werden durch Vermeiden der Sättigung von ungesättigten Siliziumbindungen nach einer reaktiven Plasmabehandlung auf der Grundlage von OH-Gruppen, wie sie typischer Weise in konventionellen Prozessstrategien angewendet werden. Die Sättigung der ungesättigten Bindungen kann bewerkstelligt werden, indem direkt eine chemische Reaktion mit einer geeigneten organischen Sorte initiiert wird, wodurch bessere Reaktionsbedingungen geschaffen werden, was wiederum zu einer effizienteren Wiederherstellung der dielektrischen Eigenschaften führt.

公开(公告)号：DE102011080022A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：DE102011080022

申请日：2011-07-28

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： OSZINDA THOMAS ,  UHLIG BENJAMIN

IPC: G01N15/08

Abstract: Gemäß der vorliegenden Erfindung werden eine Messstruktur und entsprechende Verfahren zu deren Bereitstellung und Anwendung angegeben, so dass sich eine standardisierte Bewertung der Porosität und der mittleren Porengröße für Materialien durchführen lässt. Beispielsweise können erfindungsgemäß dielektrische Materialien in komplexen Metallisierungssystemen von Halbleiterbauelementen, Katalysatormaterialien, Materialien zur Speicherung eines Gases, und dergleichen effizient und schnell bewertet werden.