公开(公告)号：DE102011003385A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：DE102011003385

申请日：2011-01-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  BEERNINK GUNDA ,  LENSKI MARKUS ,  SELIGER FRANK ,  RICHTER FRANK

IPC: H01L21/8238

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Gateelektrodenstrukturen, etwa von Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr;, wird eine geeignete Einkapselung erreicht, wobei auch ein unerwünschter Materialverlust eines verformungsinduzierenden Halbleitermaterials, das in einer Transistorart bereitgestellt wird, vermieden wird. Dazu wird die Strukturierung der schützenden Abstandshalterstruktur zum Abscheiden des verformungsinduzierenden Halbleitermaterials für jede Art von Transistor auf der Grundlage des gleichen Prozessablaufs bewerkstelligt, während nach dem Abscheiden des verformungsinduzierenden Halbleitermaterials eine Ätzstoppschicht vorgesehen wird, die die Integrität der aktiven Gebiete bewahrt.

公开(公告)号：DE102009046250B4

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：DE102009046250

申请日：2009-10-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEINRICH JENS ,  WERNER THOMAS ,  SELIGER FRANK ,  RICHTER FRANK

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer Öffnung, die eine Breite aufweist, in einer Gateelektrodenstruktur eines Transistors durch Entfernen eines Platzhalterelektrodenmaterials der Gateelektrodenstruktur; Bilden eines Opferfüllmaterials in der Öffnung, um zumindest eine Unterseite der Öffnung abzudecken; Vergrößern der Breite der Öffnung, in der das Opferfüllmaterial gebildet ist, an einem oberen Bereich in Anwesenheit des Opferfüllmaterials; Entfernen des Opferfüllmaterials aus der Öffnung; Bilden einer Materialschicht an Seitenwänden und der Unterseite der Öffnung, die die größere Breite an dem oberen Bereich besitzt, wobei die Materialschicht eine austrittsarbeitseinstellende Substanz aufweist, um die Austrittsarbeit einer Gateelektrode einzustellen; und Einfüllen eines leitenden Elektrodenmaterials in die Öffnung über der Materialschicht.

公开(公告)号：DE102011003385B4

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：DE102011003385

申请日：2011-01-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  BEERNINK GUNDA ,  LENSKI MARKUS ,  SELIGER FRANK ,  RICHTER FRANK

IPC: H01L21/8238

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer ersten Gateelektrodenstruktur über einem ersten aktiven Gebiet und einer zweiten Gateelektrodenstruktur über einem zweiten aktiven Gebiet, wobei die erste und die zweite Gateelektrodenstruktur eine dielektrische Deckschicht aufweisen; Bilden eines schützenden Abstandshalters gemeinsam an Seitenwänden der ersten und der zweiten Gateelektrodenstruktur; Bilden eines verformungsinduzierenden Halbleitermaterials in dem ersten aktiven Gebiet in Anwesenheit der ersten Gateelektrodenstruktur, während das zweite aktive Gebiet und die zweite Gateelektrodenstruktur abgedeckt sind; Bilden einer Ätzstoppschicht über dem ersten und dem zweiten aktiven Gebiet nach dem Bilden des verformungsinduzierenden Halbleitermaterials; Bilden eines Füllmaterials über dem ersten und dem zweiten aktiven Gebiet nach dem Bilden der Ätzstoppschicht derart, dass die erste und die zweite Gateelektrodenstruktur lateral eingeschlossen sind und die dielektrischen Deckschichten freiliegen; Entfernen der dielektrischen Deckschichten; und Bilden von Drain- und Sourcegebieten in dem ersten und dem zweiten aktiven Gebiet nach dem Entfernen des Füllmaterials.

公开(公告)号：DE102009046250A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：DE102009046250

申请日：2009-10-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEINRICH JENS ,  WERNER THOMAS ,  SELIGER FRANK ,  RICHTER FRANK

IPC: H01L21/8236 ,  H01L29/423

Abstract: In einem Austauschgateverfahren besitzt ein oberer Bereich einer Gateöffnung eine verbesserte Querschnittsform, was bewerkstelligt wird auf der Grundlage eines plasmaunterstützten Ätzprozesses oder eines Ionen-Sputter-Prozesses. Während dieses Prozesses schützt ein Opferfüllmaterial empfindliche Materialien, etwa ein dielektrisches Material mit großem ε und ein entsprechendes Deckmaterial. Folglich kann die nachfolgende Abscheidung einer austrittsarbeitseinstellenden Materialschicht nicht zu einer Oberflächentopographie führen, die zu einer unzuverlässigen Füllung des Elektrodenmetalls führt. In einigen anschaulichen Ausführungsformen wird das Opferfüllmaterial auch als eine Abstandshaltermaske verwendet, um das Abscheiden der austrittsarbeitseinstellenden Metallsorte in gewisse Gateöffnungen zu vermeiden, in denen eine andere Art an austrittsarbeitseinstellender Substanz erforderlich ist.