公开(公告)号：DE102008059504B4

公开(公告)日：2018-02-22

申请号：DE102008059504

申请日：2008-11-28

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： AUBEL OLIVER ,  FEUSTEL FRANK ,  SCHMIDT TORSTEN

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/768

Abstract: Teststruktur (250) zum Überwachen dielektrischer Eigenschaften eines Metallisierungssystems eines Halbleiterbauelements, wobei die Teststruktur (250) umfasst: ein Testgebiet (260), das über einem Substrat ausgebildet ist und mehrere Testmetallgebiete, die in einem dielektrischen Material (211) einer Metallisierungsebene gebildet sind, aufweist; eine Strombegrenzungsstruktur (240), die über dem Substrat gebildet ist; und eine Verbindungsstruktur (230), die mit dem Testgebiet (260) und der Strombegrenzungsstruktur (240) verbunden ist, wobei die Verbindungsstruktur (230) ausgebildet ist, die Strombegrenzungsstruktur (240) und das Testgebiet (260) elektrisch zu verbinden und das Anlegen einer Spannung in einem spezifizierten Spannungsbereich über dem Testgebiet (260) und der Strombegrenzungsstruktur (240) mittels einer externen Testeinrichtung zu ermöglichen; wobei die Strombegrenzungsstruktur (240) eine Widerstandsstruktur (242) aufweist, die zumindest teilweise in dem dielektrischen Material (211) ausgebildet ist und eine höhere Spannungsfestigkeit im Vergleich zu dem Testgebiet (260) besitzt.