公开(公告)号：DE102011004672B4

公开(公告)日：2021-07-08

申请号：DE102011004672

申请日：2011-02-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC

Inventor： BAARS PETER ,  JAKUBOWSKI FRANK ,  HEINRICH JENS ,  LEPPER MARCO ,  SCHLOTT JANA ,  FROHBERG KAI

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/06 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

Abstract: Verfahren mit:Bilden einer Öffnung durch ein Gebiet einer Halbleiterschicht und eine vergrabene isolierende Schicht eines SOI- (Halbleiter-auf-Isolator-) Bauelements derart, dass ein Bereich eines kristallinen Substratmaterials des SOI-Bauelements freigelegt wird;Ausführen eines Implantationsprozesses derart, dass ein dotiertes Gebiet in dem freigelegten Bereich des kristallinen Substratmaterials gebildet wird und so dass Drain- und Sourcegebiete eines Transistors erzeugt werden, der in und über einem Halbleitergebiet der Halbleiterschicht ausgebildet ist;Bilden einer Beschichtung in der Öffnung und über dem Transistor;Bilden eines Opferfüllmaterials selektiv in der Öffnung;Entfernen der Beschichtung außerhalb der Öffnung unter Anwendung des Opferfüllmaterials als eine Ätzmaske;Entfernen des Opferfüllmaterials; undBilden eines Metallsilizids in dem dotierten Gebiet und den Drain- und Sourcegebieten.

公开(公告)号：DE102011004506A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：DE102011004506

申请日：2011-02-22

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： WEI ANDY ,  BAARS PETER ,  CARTER RICHARD ,  LUDWIG FRANK

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Halbleiterbauelemente werden dreidimensionale Transistoren in Verbindung mit planaren Transistoren auf der Grundlage eines Austauschgateverfahrens und selbstjustierten Kontaktelementen hergestellt, indem die Halbleiterstege in einer frühen Fertigungsphase erzeugt werden, d. h. bei der Ausbildung flacher Grabenisolationen, wobei die endgültige elektrisch wirksame Höhe der Halbleiterstege nach dem Bereitstellen von selbstjustierten Kontaktelementen und während des Austauschgateverfahrens eingestellt wird.

公开(公告)号：DE102011004922A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：DE102011004922

申请日：2011-03-01

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BEYER SVEN ,  SCHEIPER THILO ,  BAARS PETER

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L27/08 ,  H01L29/78

Abstract: Bei der Herstellung von Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; in einer frühen Fertigungsphase kann die Integrität einer Einkapselung und somit die Integrität empfindlicher Gatematerialien verbessert werden, indem die Oberflächentopographie der Isolationsgebiete verringert wird. Dazu wird eine dielektrische Deckschicht mit erhöhter Ätzwiderstandsfähigkeit in Verbindung mit dem konventionellen Siliziumdioxidmaterial vorgesehen.

公开(公告)号：DE102011004757A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：DE102011004757

申请日：2011-02-25

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BAARS PETER ,  SCHLOESSER TILL

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/108

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst einen Speicherbereich mit Transistoren mit schwebendem Körper bzw. mit einem sich frei einstellenden Körperpotential in Form von Säulenstrukturen, die in einer Vollsubstratarchitektur ausgebildet sind. Die Säulenstrukturen werden in einer geeigneten Weise auf der Grundlage einer vergrabenen Wortleitung und eines vergrabenen Fühlergebiets oder auf der Grundlage vergrabener Fühlerleitungen mit einem geeigneten Bitleitungskontaktschema adressiert.

公开(公告)号：DE102011004672A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：DE102011004672

申请日：2011-02-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BAARS PETER ,  JAKUBOWSKI FRANK ,  HEINRICH JENS ,  LEPPER MARCO ,  SCHLOTT JANA ,  FROHBERG KAI

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417

Abstract: Bei der Herstellung von Substratdioden in SOI-Bauelementen werden bessere Diodeneigenschaften erreicht, indem ein zusätzliches Abstandshalterelement in der Substratöffnung vorgesehen wird und/oder indem ein verbessertes Kontaktstrukturierungsschema auf der Grundlage eines Opferfüllmaterials angewendet wird. In beiden Fällen kann die Integrität eines Metalisilizids in der Substratdiode bewahrt werden, wodurch unnötige Abweichungen von der gewünschten idealen Diodencharakteristik vermieden werden. In einigen anschaulichen Ausführungsformen wird die verbesserte Diodencharakteristik erreicht, ohne dass ein zusätzlicher Lithographieschritt erforderlich ist.

公开(公告)号：DE102011004322A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：DE102011004322

申请日：2011-02-17

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SCHLOESSER TILL ,  BAARS PETER ,  JAKUBOWSKI FRANK

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/417

Abstract: Wenn komplexe Halbleiterbauelemente mit Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; hergestellt werden, wird eine erhabene Drain- und Sourcekonfiguration angewendet, um die Höhe beim Ausführen eines Austauschgateverfahrens zu steuern, wodurch bessere Bedingungen geschaffen werden, um Kontaktelemente herzustellen, wobei auch eine gut steuerbare geringere Gatehöhe erreicht wird.

公开(公告)号：DE102021106165A1

公开(公告)日：2021-10-21

申请号：DE102021106165

申请日：2021-03-15

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1

Inventor： WU NAN ,  KAMMLER THORSTEN E ,  BAARS PETER

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

Abstract: Die vorliegende Offenbarung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere ko-integrierte Hochspannungs- und Mittelspannungsvorrichtungen und Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst ein Substrat, das einen Halbleiter-auf-Isolator (semiconductor on insulator; SOI)-Bereich und einen Bulk-Bereich aufweist; und eine erste Vorrichtung, die auf dem Bulk-Bereich gebildet ist, wobei die erste Vorrichtung eine erste Gate-Dielektrikum-Schicht und eine die erste Dielektrikum-Schicht umgebende zweite Gate-Dielektrikum-Schicht aufweist, und eine Dicke der ersten Gate-Dielektrikum-Schicht und der zweiten Gate-Dielektrikum-Schicht gleich einer oder größer als eine Dicke einer Isolatorschicht des SOI-Bereichs ist.

公开(公告)号：DE102010063775B4

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：DE102010063775

申请日：2010-12-21

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： WERNER THOMAS ,  BAARS PETER ,  FEUSTEL FRANK

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst:Bereitstellen eines Kontaktbalkens (222a) in einem ersten dielektrischen Material (221), das lateral zwischen einer ersten Gateelektrodenstruktur (240) und einer zweiten Gateelektrodenstruktur (240) ausgebildet ist, wobei der Kontaktbalken (222a) eine Oberseitenbreite (122t) und eine Länge besitzt;Bilden eines zweiten dielektrischen Materials (230) über dem ersten dielektrischen Material (221) und dem Kontaktbalken (222a);Ausführen eines ersten Ätzprozesses auf der Grundlage einer ersten kritischen Sollabmessung eines Grabens (234a) in dem zweiten dielektrischen Material (230), wobei der erste Ätzprozess den Graben (234a) in dem zweiten dielektrischen Material (230) bildet, der Graben (234a) eine Verbindung zu dem Kontaktbalken (222a) herstellt und die erste Sollabmessung eine Unterseitenbreite des Grabens (132b) festlegt und kleiner ist als die Oberseitenbreite (122t) des Kontaktbalkens (222a);Nach dem ersten Ätzprozess, Ausführen mindestens eines Prozesses zur Einstellung einer zweiten kritischen Sollabmessung (132v), wobei die zweite kritische Sollabmessung (132v) eine Oberseitenbreite eines oberen Grabenbereichs (234v) in einem lokal beschränkten Bereich entlang der Länge des Grabens (234a) festlegt und größer ist als die erste kritische Sollabmessung (132b);Ausführen eines zweiten Ätzprozesses auf der Grundlage der zweiten kritischen Sollabmessung derart, dass der obere Grabenbereich (234v) in dem lokal beschränkten Bereich entlang der Länge des Grabens (234a) in dem zweiten dielektrischen Material (230) auf Grundlage der zweiten kritischen Sollabmessung ausgebildet wird; undBilden eines Metallmaterials in dem Graben (234a).

公开(公告)号：DE102011004922B4

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：DE102011004922

申请日：2011-03-01

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SCHEIPER THILO ,  BAARS PETER ,  BEYER SVEN

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L27/08 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer Maskenschicht auf einer Halbleiterschicht eines Halbleiterbauelements, wobei die Maskenschicht eine erste Schicht, eine darüber liegende zweite Schicht und eine zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht angeordnete Stoppschicht aufweist, wobei die Stoppschicht Hafniumoxid aufweist, und Verwenden der Maskenschicht als eine Ätzmaske zur Herstellung eines Grabens in der Halbleiterschicht; Bilden eines Grabenisolationsgebiets in dem Graben durch Vertiefen eines ersten dielektrischen Materials des Grabenisolationsgebiets und durch Bilden eines zweiten dielektrischen Materials als eine Deckschicht auf dem vertieften ersten dielektrischen Material; Ausführen eines Abtragungsprozesses zum Entfernen der zweiten Schicht der Maskenschicht unter Verwendung der Stoppschicht zum Steuern des Abtragungsprozesses; und Bilden einer Gateelektrodenstruktur auf der Deckschicht des Grabenisolationsgebiets, wobei die Gateelektrodenstruktur ein dielektrisches Material mit großem ε enthält.

公开(公告)号：DE102011004323B4

公开(公告)日：2016-02-25

申请号：DE102011004323

申请日：2011-02-17

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BAARS PETER ,  SCHLOESSER TILL ,  JAKUBOWSKI FRANK ,  WEI ANDY ,  CARTER RICHARD ,  SCHALLER MATTHIAS

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/417

Abstract: Verfahren mit: Bilden eines Kontaktelements lateral benachbart zu einer Gateelektrodenstruktur derart, dass das Kontaktelement eine Verbindung zu einem Draingebiet oder einem Sourcegebiet herstellt, das in einem aktiven Gebiet eines Halbleiterbauelements ausgebildet ist, wobei die Gateelektrodenstruktur ein Platzhaltermaterial aufweist, das von einer dielektrischen Deckschicht bedeckt ist, wobei Bilden des Kontaktelements umfasst: Bilden eines dielektrischen Materials über den Drain- und Sourcegebieten und lateral benachbart zu der Gateelektrodenstruktur und Bilden einer Kontaktöffnung darin, so dass die dielektrische Deckschicht und zumindest ein Teil des Draingebiets oder Sourcegebiets freigelegt wird; und Ersetzen des Platzhaltermaterials zumindest durch ein metallenthaltendes Elektrodenmaterial in Anwesenheit des Kontaktelements.