公开(公告)号：DE102008054077B4

公开(公告)日：2021-04-01

申请号：DE102008054077

申请日：2008-10-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC

Inventor： LEHR MATTHIAS ,  KUECHENMEISTER FRANK ,  SELIGER FRANK

IPC: H01R43/02 ,  H01L21/60

Abstract: Schablonenbauelement (200) zur Herstellung von Verbindungsdrähten (252a), wobei das Schablonenbauelement (200) umfasst:einen Körper (201a), der ein Halbleitermaterial und eine Schicht aus Siliziumdioxid und/oder Siliziumnitrid aufweist; undeine Schablonenöffnung (202), die sich durch den Körper (201a) erstreckt und einen Durchmesser (202d) zumindest in einem Schritt entlang der Tiefe der Schablonenöffnung (202) aufweist, der einem Solldurchmesser (252d) des Verbindungsdrahtes (252a) entspricht.

公开(公告)号：DE102010002453B4

公开(公告)日：2018-05-09

申请号：DE102010002453

申请日：2010-02-26

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GEISLER HOLM ,  LEHR MATTHIAS ,  KUECHENMEISTER FRANK ,  GRILLBERGER MICHAEL

IPC: H01L21/66 ,  G01N29/04 ,  H01L21/768

Abstract: Verfahren mit:Hervorrufen einer mechanischen Belastung in einem dielektrischen Material (252) eines Metallisierungssystems (220) eines Halbleiterbauelements (200) durch Ausüben einer lateralen mechanischen Kraft (F) auf ein einzelnes Chipkontaktelement (210), das in dem Metallisierungssystem (220) ausgebildet ist und sich über eine Oberfläche des dielektrischen Materials (252) hinaus erstreckt; undBestimmen mindestens eines Parameterwertes, der eine Antwort des dielektrischen Materials (252) auf die hervorgerufene mechanische Belastung angibt.

公开(公告)号：DE102010040065B4

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：DE102010040065

申请日：2010-08-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GRILLBERGER MICHAEL ,  LEHR MATTHIAS ,  WERNER THOMAS

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/13 ,  H01L23/16

Abstract: Halbleiterbauelement mit: einem Halbleiterchip (250) mit einem Metallisierungssystem (253), das eine Chipkontaktstruktur (255) aufweist, die wiederum ein Chipkontaktelement (258) aufweist, wobei das Chipkontaktelement auf einem Metallgebiet (254B) des Metallisierungssystems (253) ausgebildet ist; und einem Gehäusesubstrat (270) mit einer Gehäusekontaktstruktur (275), wobei die Gehäusekontaktstruktur ein Gehäusekontaktelement (278) aufweist, wobei das Chipkontaktelement (258) und das Gehäusekontaktelement (278) mechanisch miteinander im Eingriff sind und eine Grenzfläche erzeugen, dadurch gekennzeichnet, dass das Chipkontaktelement (258) mehrere Kontaktsegmente (258A, 258B, 258C, 258D) aufweist, die direkt auf dem Metallgebiet (254B) ausgebildet und voneinander lateral getrennt sind.

公开(公告)号：DE102010002453A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：DE102010002453

申请日：2010-02-26

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GEISLER HOLM ,  LEHR MATTHIAS ,  KUECHENMEISTER FRANK ,  GRILLBERGER MICHAEL

IPC: H01L21/66 ,  G01N29/04 ,  H01L21/768

Abstract: Das Metallisierungssystem komplexer Halbleiterbauelemente kann im Hinblick auf mechanische Integrität auf der Grundlage eines Messsystems und Messverfahren bewertet werden, wobei Kontaktelemente, etwa Metallsäulen oder Lothöcker, individuell mechanisch stimuliert werden, während die Antwort des Metallisierungssystems, beispielsweise in Form direkt gemessener Kräfte, bestimmt wird, um damit quantitativ den mechanischen Status des Metallisierungssystems zu bewerten. Auf diese Weise können die komplexen Materialsysteme und die gegenseitigen Wechselwirkungen effizient eingeschätzt werden.

公开(公告)号：DE102008026212B4

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：DE102008026212

申请日：2008-05-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GRILLBERGER MICHAEL ,  LEHR MATTHIAS

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Halbleiterbauelement mit: einer SOI-Konfiguration mit einem Substrat (201), einer vergrabenen isolierenden Schicht (204) und einem darüberliegenden Halbleitergebiet (202); einem Chipgebiet mit einem Metallisierungssystem; mehreren Schaltungselementen, die in und über dem Halbleitergebiet gebildet sind; einem Chipversiegelungsgebiet, das in dem Metallisierungssystem gebildet ist und das Chipgebiet von einem Rahmengebiet trennt; und einem leitenden Pfad, der mit den mehreren Schaltungselementen verbunden ist und einen vergrabenen Bereich aufweist, der unter einem Teil des Chipversiegelungsgebiets ausgebildet ist, wobei der vergrabene Bereich zumindest teilweise in dem Substrat (201) gebildet ist.

公开(公告)号：DE102011005642B4

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：DE102011005642

申请日：2011-03-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LEHR MATTHIAS ,  HOHAGE JOERG ,  OTT ANDREAS

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/50

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Metallisierungssysteme auf der Grundlage von Kupfer erhält die abschließende Metallisierungsschicht Kontaktgebiete auf der Grundlage von Kupfer, deren Oberfläche auf der Grundlage einer speziellen Schutzschicht passiviert wird, die somit das Strukturieren des Passivierungsschichtstapels vor dem Transportieren des Bauelements zu einer entfernten Fertigungsstelle ermöglicht. Somit kann die geschützte Kontaktoberfläche effizient in der entfernten Fertigungsstätte auf der Grundlage eines effizienten nicht maskierten nasschemischen Ätzprozesses wieder freigelegt werden.

公开(公告)号：DE102011005642A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：DE102011005642

申请日：2011-03-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LEHR MATTHIAS ,  HOHAGE JOERG ,  OTT ANDREAS

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/50

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Metallisierungssysteme auf der Grundlage von Kupfer erhält die abschließende Metallisierungsschicht Kontaktgebiete auf der Grundlage von Kupfer, deren Oberfläche auf der Grundlage einer speziellen Schutzschicht passiviert wird, die somit das Strukturieren des Passivierungsschichtstapels vor dem Transportieren des Bauelements zu einer entfernten Fertigungsstelle ermöglicht. Somit kann die geschützte Kontaktoberfläche effizient in der entfernten Fertigungsstätte auf der Grundlage eines effizienten nicht maskierten nasschemischen Ätzprozesses wieder freigelegt werden.

公开(公告)号：DE102010003562A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：DE102010003562

申请日：2010-03-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GRILLBERGER MICHAEL ,  LEHR MATTHIAS ,  GIEDIGKEIT RAINER

IPC: H01L21/60

Abstract: In einem Wiederaufschmelzprozess zum Verbinden eines Halbleiterchips eines Gehäusesubstrats wird der Temperaturgradient und somit die thermisch hervorgerufene mechanische Spannung in einem empfindlichen Metallisierungssystem des Halbeleiterchips während der Abkühlphase verringert. Dazu werden ein oder mehrere Heizintervalle in die Abkühlphase eingeführt, wodurch die Temperaturdifferenz effizient verringert wird. In anderen Fällen wird das zentrale Gebiet zusätzlich gekühlt, indem geeignet lokal beschränkte Mechanismen vorgesehen werden, etwa ein lokal beschränkter Gasfluss und dergleichen. Folglich können gewünschte kurze Gesamtprozesszeiten erreicht werden, ohne dass zu erhöhten Ausbeuteverlusten beigetragen wird, wenn komplexe Metallisierungssysteme auf der Grundlage eines bleifreien Kontaktschemas verarbeitet werden.

公开(公告)号：DE102007057684B4

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：DE102007057684

申请日：2007-11-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GRILLBERGER MICHAEL ,  LEHR MATTHIAS

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/768 ,  H01L23/544

Abstract: Verfahren mit: Erzeugen eines abgesenkten Oberflächenbereichs (204s) in einer ersten Metallisierungsschicht (210) eines Testbereichs (250, 250a) für ein Halbleiterbauelement (200), die ein dielektrisches Material (202) umfasst, durch Ausbilden einer Öffnung in dem dielektrischen Material (202), Füllen der Öffnung mit einem Metall (204) und Ausführen eines ersten CMP-Prozesses an der ersten Metallisierungsschicht (210); Bilden eines ersten Metallgebiets (251a) und eines zweiten Metallgebiets (251b) in einem Leckstrombereich einer zweiten Metallisierungsschicht (220), die auf der ersten Metallisierungsschicht (210) gebildet ist, indem Öffnungen in dem Leckstrombereich mit einem Metall gefüllt und überschüssiges Metall durch Ausführen eines zweiten CMP-Prozesses entfernt wird, wobei der Leckstrombereich zu dem abgesenkten Oberflächenbereich justiert ist, und wobei das erste Metallgebiet (251a) und das zweite Metallgebiet (251a) mit einem lateralen Abstand (251d) voneinander ausgebildet werden, der kleiner als die laterale Breite der Öffnung ist, die in dem dielektrischen Material (202) der ersten Metallisierungsschicht (210) ausgebildet...

公开(公告)号：DE102008016427B4

公开(公告)日：2018-01-25

申请号：DE102008016427

申请日：2008-03-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LEHR MATTHIAS ,  KUECHENMEISTER FRANK

IPC: H01L21/607 ,  H01L23/49

Abstract: Verfahren mit: Bilden eines dielektrischen Schichtstapels über einer Metallisierungsschicht, die über einem Substrat eines Halbleiterbauelements ausgebildet ist, wobei die Metallisierungsschicht ein Metallgebiet zum Anschluss eines Verbindungsdrahts aufweist; Bilden einer Vertiefung in dem dielektrischen Schichtstapel, um einen Verbindungsbereich des Metallgebiets zu bilden, wobei zumindest eine Unterseitenschicht des dielektrischen Schichtstapels innerhalb der Vertiefung das Metallgebiet abdeckt; und Verbinden eines Anschlussdrahtes mit dem Metallgebiet in Anwesenheit der Unterseitenschicht.