公开(公告)号：DE102019213841A1

公开(公告)日：2020-04-16

申请号：DE102019213841

申请日：2019-09-11

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BALASUBRAMANIYAN ARUL ,  BELLAOUAR ABDELLATIF

IPC: H03B1/00 ,  G01R31/3187

Abstract: Die Erfindung stellt eine Vorrichtung bereit, umfassend: ein Paar von Signalinjektionstransistoren, die jeweils einen Gate-Anschluss aufweisen, der mit einem Differenzreferenzsignal verbunden ist, und ein Paar von querverbundenen Verstärkertransistoren, die konfiguriert sind, um eine Spannung des Differenzreferenzsignals zu verstärken, um eine Spannung zu ergeben, die ein Referenzsignal an einem Lokaloszillatoranschluss (LO-Anschluss) eines Mischers verstärkt; einen elektronischen Oszillator mit einem Oszillationsausgangsknoten, der parallel zum injektionssynchronisierten Puffer mit dem LO-Anschluss des Mischers verbunden ist und so konfiguriert ist, dass er eine Oszillatorausgabe zur Übertragung an den Ausgangsknoten auf der Grundlage einer an den elektronischen Oszillator angelegten Back-Gate-Vorspannung erzeugt; und einen Zugriffstransistor mit einem Gate, das mit einem Schaltknoten gekoppelt ist, und einem Back-Gate-Anschluss, der mit der Back-Gate-Vorspannung gekoppelt ist, wobei der Zugriffstransistor konfiguriert ist, um den Stromfluss durch den elektronischen Oszillator parallel zu dem injektionssynchronisierten Puffer zu aktivieren oder zu deaktivieren.

公开(公告)号：DE102018219657A1

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：DE102018219657

申请日：2018-11-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BELLAOUAR ABDELLATIF ,  BALASUBRAMANIYAN ARUL

IPC: H03L7/16

Abstract: Es wird eine Vorrichtung zum Durchführen einer Frequenzmultiplikation eines mm-Wellensignals bereitgestellt. Die Vorrichtung umfasst eine erste Differenzschaltung, die einen 0°-Phasen-Komponente eines Eingangssignals und eine 180°-Phasen-Komponente des Eingangssignals mit einer ersten Frequenz empfangen kann. Die erste Differenzschaltung stellt ein erstes Ausgangssignal bereit, das zweimal die Frequenz aufweist und in Phase (0°) ist, basierend auf der 0° und der 180°-Phasen-Komponenten des Eingangssignals. Die Vorrichtung umfasst auch eine zweite Differenzschaltung, die eine 90°-Phasen-Komponente des Eingangssignals und eine 270°-Phasen-Komponente des Eingangssignals empfangen kann und ein erstes Ausgangssignal bereitstellt, das zweimal die Frequenz aufweist und außer Phase ist (180°). Die Vorrichtung umfasst auch einen Differenz-Transformator, der ausgebildet ist, um das erste Ausgangssignal und das zweite Ausgangssignal zu empfangen. Der Differenz-Transformator ist ausgebildet, um ein Differenzausgangssignal bereitzustellen, das eine zweite Frequenz aufweist, die zweimal der ersten Frequenz ist.

公开(公告)号：DE102017212101A1

公开(公告)日：2018-01-25

申请号：DE102017212101

申请日：2017-07-14

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZHANG CHI ,  BALASUBRAMANIYAN ARUL

IPC: H03K17/14 ,  H03B5/20

Abstract: Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung stellen eine Schaltungsstruktur bereit, umfassend: einen Schalt-Transistor mit einem Gate-Anschluss, einem Substrat-Gate-Anschluss, einem Source-Anschluss und einem Drain-Anschluss; einen Vorspannungsknoten, der mit dem Substrat-Gate-Anschluss des Schalt-Transistors verbunden ist, wobei der Vorspannungsknoten abwechselnd zwischen einem Ein-Zustand und einem Aus-Zustand auswählt; einen ersten Kondensator, der über Source mit dem Schalt-Transistor verbunden ist; einen zweiten Kondensator, der über Drain mit dem Schalt-Transistor verbunden ist; und einen ersten Freigabeknoten, der über Source mit dem Schalt-Transistor verbunden ist, wobei der erste Freigabeknoten abwechselnd zwischen einem Ein-Zustand und einem Aus-Zustand auswählt.

公开(公告)号：DE102018219660A1

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：DE102018219660

申请日：2018-11-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BELLAOUAR ABDELLATIF ,  BALASUBRAMANIYAN ARUL

IPC: H03B5/12 ,  G01S7/02

Abstract: Es wird hierin ein CMOS-Verstärkungselement offenbart. Es werden hierin auch Splitter mit dem CMOS-Verstärkungselement und eine Oszillatorverteilungsschaltung umfassend die Splitter und die CMOS-Verstärkungselemente beschrieben. Halbleitervorrichtungen umfassend die lokale Oszillatorverteilungsschaltung, die kleinere Footprints aufweisen kann und relativ zu Vorrichtungen aus dem Stand der Technik einen geringen Energieverbrauch aufweist.