公开(公告)号：DE102018219657A1

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：DE102018219657

申请日：2018-11-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BELLAOUAR ABDELLATIF ,  BALASUBRAMANIYAN ARUL

IPC: H03L7/16

Abstract: Es wird eine Vorrichtung zum Durchführen einer Frequenzmultiplikation eines mm-Wellensignals bereitgestellt. Die Vorrichtung umfasst eine erste Differenzschaltung, die einen 0°-Phasen-Komponente eines Eingangssignals und eine 180°-Phasen-Komponente des Eingangssignals mit einer ersten Frequenz empfangen kann. Die erste Differenzschaltung stellt ein erstes Ausgangssignal bereit, das zweimal die Frequenz aufweist und in Phase (0°) ist, basierend auf der 0° und der 180°-Phasen-Komponenten des Eingangssignals. Die Vorrichtung umfasst auch eine zweite Differenzschaltung, die eine 90°-Phasen-Komponente des Eingangssignals und eine 270°-Phasen-Komponente des Eingangssignals empfangen kann und ein erstes Ausgangssignal bereitstellt, das zweimal die Frequenz aufweist und außer Phase ist (180°). Die Vorrichtung umfasst auch einen Differenz-Transformator, der ausgebildet ist, um das erste Ausgangssignal und das zweite Ausgangssignal zu empfangen. Der Differenz-Transformator ist ausgebildet, um ein Differenzausgangssignal bereitzustellen, das eine zweite Frequenz aufweist, die zweimal der ersten Frequenz ist.

公开(公告)号：DE102018219659A1

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：DE102018219659

申请日：2018-11-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LEE SEE TAUR ,  BELLAOUAR ABDELLATIF

IPC: H03F3/19

Abstract: Wir offenbaren eine Vorrichtung, die eine Leistungsverstärkung in Millimeter-Wellen-Vorrichtungen mit verringerter Größe und reduziertem Leistungverbrauch bereitstellen kann, und Verfahren zum Verwenden dieser Vorrichtung. Eine solche Vorrichtung umfasst einen Eingangstransformator; ein erstes Differenzpaar von Injektionstransistoren umfassend einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor; eine erste Substratgatespannungsquelle, die ausgebildet ist, um eine erste Substratgatespannung an dem ersten Transistor bereitzustellen; eine zweite Substratgatespannungsquelle, die ausgebildet ist, um eine zweite Substratgatespannung an dem zweiten Transistor bereitzustellen; und ein zweites Differenzpaar von Oszillatorkerntransistoren, umfassend einen dritten Transistor und einen vierten Transistor, wobei der dritte Transistor und der vierte Transistor über Kreuz gekoppelt sind; eine dritte Substratgatespannungsquelle, die ausgebildet ist, um eine dritte Substratgatespannung für den dritten Transistor bereitzustellen; eine vierte Substratgatespannungsquelle, die ausgebildet ist, um eine vierte Substratgatespannung für den vierten Transistor bereitzustellen; und einen Ausgangstransformator.

公开(公告)号：DE102019200625A1

公开(公告)日：2019-08-29

申请号：DE102019200625

申请日：2019-01-18

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SYED SHAFIULLAH ,  BELLAOUAR ABDELLATIF ,  ZHANG CHI

IPC: H03F3/189

Abstract: Eine Vorrichtung, umfassend einen Eingangstransformator; ein erstes Differenztransistorpaar, das ausgebildet ist, um eine erste Substratgate-Spannung aufzunehmen; ein zweites Differenztransistorpaar, das ausgebildet ist, um eine zweite Substratgate-Spannung aufzunehmen; eine über Kreuz verbundene Neutralisierungskappe, umfassend PMOS- oder NMOS-Transistoren und die ausgebildet ist, um eine dritte Substratgate-Spannung aufzunehmen; und einen Ausgangstransformator. Ein Verfahren zum Festlegen von wenigstens einer Substratgate-Spannung, um eine gewünschte Kapazität an die Transistoren von wenigstens einem des ersten Differenztransistorpaares, des zweiten Differenztransistorpaares oder der Neutralisierungskappe anzulegen. Die Vorrichtung und das Verfahren können einen Leistungsverstärker mit verbesserter Linearität und Leistungsfähigkeit bereitstellen.

公开(公告)号：DE102019203172A1

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：DE102019203172

申请日：2019-03-08

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BELLAOUAR ABDELLATIF ,  FANG SHER JIUN ,  ZHANG FRANK

IPC: H04B1/26

Abstract: Es sind Mehrbandempfänger für Millimeterwellenvorrichtungen offenbart, die eine verringerte Größe und/oder einen verringerten Energieverbrauch aufweisen können. Ein Mehrbandempfänger umfasst einen ersten Bandpfad, der einen ersten passiven Mischer umfasst, der dafür ausgebildet ist, ein erstes RF-Eingangssignal mit einer ersten Frequenz zu empfangen und von einem ersten lokalen Oszillatorsignal mit einer Frequenz um ⅔ der ersten Frequenz angetrieben zu werden; einen zweiten Bandpfad, der einen zweiten passiven Mischer umfasst, der dafür ausgebildet ist, ein zweites RF-Eingangssignal mit einer zweiten Frequenz zu empfangen und von einem zweiten lokalen Oszillatorsignal mit einer Frequenz um ⅔ der zweiten Frequenz angetrieben zu werden; und einen Basisbandpfad, der einen dritten passiven Mischer umfasst, der so ausgebildet ist, dass er RF-Zwischensignale in einem Arbeitszyklus empfängt und von einem dritten lokalen Oszillatorsignal mit einer Frequenz um ⅓ der ersten Frequenz oder um ⅓ der zweiten Frequenz im Arbeitszyklus angetrieben wird.

公开(公告)号：DE102018219660A1

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：DE102018219660

申请日：2018-11-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BELLAOUAR ABDELLATIF ,  BALASUBRAMANIYAN ARUL

IPC: H03B5/12 ,  G01S7/02

Abstract: Es wird hierin ein CMOS-Verstärkungselement offenbart. Es werden hierin auch Splitter mit dem CMOS-Verstärkungselement und eine Oszillatorverteilungsschaltung umfassend die Splitter und die CMOS-Verstärkungselemente beschrieben. Halbleitervorrichtungen umfassend die lokale Oszillatorverteilungsschaltung, die kleinere Footprints aufweisen kann und relativ zu Vorrichtungen aus dem Stand der Technik einen geringen Energieverbrauch aufweist.

公开(公告)号：DE102019213841A1

公开(公告)日：2020-04-16

申请号：DE102019213841

申请日：2019-09-11

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BALASUBRAMANIYAN ARUL ,  BELLAOUAR ABDELLATIF

IPC: H03B1/00 ,  G01R31/3187

Abstract: Die Erfindung stellt eine Vorrichtung bereit, umfassend: ein Paar von Signalinjektionstransistoren, die jeweils einen Gate-Anschluss aufweisen, der mit einem Differenzreferenzsignal verbunden ist, und ein Paar von querverbundenen Verstärkertransistoren, die konfiguriert sind, um eine Spannung des Differenzreferenzsignals zu verstärken, um eine Spannung zu ergeben, die ein Referenzsignal an einem Lokaloszillatoranschluss (LO-Anschluss) eines Mischers verstärkt; einen elektronischen Oszillator mit einem Oszillationsausgangsknoten, der parallel zum injektionssynchronisierten Puffer mit dem LO-Anschluss des Mischers verbunden ist und so konfiguriert ist, dass er eine Oszillatorausgabe zur Übertragung an den Ausgangsknoten auf der Grundlage einer an den elektronischen Oszillator angelegten Back-Gate-Vorspannung erzeugt; und einen Zugriffstransistor mit einem Gate, das mit einem Schaltknoten gekoppelt ist, und einem Back-Gate-Anschluss, der mit der Back-Gate-Vorspannung gekoppelt ist, wobei der Zugriffstransistor konfiguriert ist, um den Stromfluss durch den elektronischen Oszillator parallel zu dem injektionssynchronisierten Puffer zu aktivieren oder zu deaktivieren.