公开(公告)号：DE102017201249A1

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：DE102017201249

申请日：2017-01-26

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LORENZ INGOLF ,  BLOCK STEFAN ,  HENSEL ULRICH ,  FAUL JUERGEN ,  ZIER MICHAEL ,  NARISETTY HARITEZ

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

Abstract: Es wird bereitgestellt ein Halbleiterbauteil, das eine Versorgungsleitung, ein Silizium-auf-Isolator-, SOI-, Substrat mit einer Halbleiterschicht und einem Halbleitervollsubstrat mit einem ersten dotierten Gebiet, ein erstes Transistorbauteil, das in und über dem SOI-Substrat ausgebildet ist und ein erstes Gatedielektrikum, das über der Halbleiterschicht ausgebildet ist, und eine erste Gateelektrode, die über dem ersten Gatedielektrikum ausgebildet ist, umfasst, eine erste Diode, die elektrisch mit der ersten Gateelektrode verbunden ist und eine zweite Diode, die elektrisch mit der ersten Diode und der Versorgungsleitung verbunden ist, wobei die erste und zweite Diode teilweise in dem ersten dotierten Gebiet ausgebildet sind, umfasst.

公开(公告)号：DE102017201249B4

公开(公告)日：2020-07-09

申请号：DE102017201249

申请日：2017-01-26

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LORENZ INGOLF ,  BLOCK STEFAN ,  HENSEL ULRICH ,  FAUL JUERGEN ,  ZIER MICHAEL ,  NARISETTY HARITEZ

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Halbleiterbauteil, das umfasst:eine Versorgungsleitung (24, 150);ein SOI-Substrat (100) mit einer Halbleiterschicht (103) und einem Halbleitervollsubstrat (101) mit einem ersten dotierten Gebiet;ein erstes Transistorbauteil, das in und über dem SOI-Substrat (100) ausgebildet ist und ein erstes Gatedielektrikum (115), das über der Halbleiterschicht (103) ausgebildet ist, und eine erste Gateelektrode (130), die über dem ersten Gatedielektrikum (115) ausgebildet ist, umfasst;eine erste Diode (22, 140), die elektrisch mit der ersten Gateelektrode (130) verbunden ist; undeine zweite Diode (23, 142), die elektrisch mit der ersten Diode (22, 140) und der Versorgungsleitung (24, 150) verbunden ist, wobei die erste (22, 140) und zweite Diode (23, 142) teilweise in dem ersten dotierten Gebiet ausgebildet sind; und wobeidas SOI-Substrat (100) eine vergrabene Isolationsschicht (102) umfasst, die zwischen dem Halbleitervollsubstrat (101) und der Halbleiterschicht (103) ausgebildet ist, und in dem die erste Diode (22, 140) einen ersten PN-Übergang umfasst, der unter einer ersten Öffnung in der vergrabenen Isolationsschicht (102) positioniert ist, und die zweite Diode (23, 142) einen zweiten PN-Übergang umfasst, der unter einer zweiten Öffnung in der vergrabenen Isolationsschicht (102) positioniert ist.