公开(公告)号：DE102017201249A1

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：DE102017201249

申请日：2017-01-26

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LORENZ INGOLF ,  BLOCK STEFAN ,  HENSEL ULRICH ,  FAUL JUERGEN ,  ZIER MICHAEL ,  NARISETTY HARITEZ

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

Abstract: Es wird bereitgestellt ein Halbleiterbauteil, das eine Versorgungsleitung, ein Silizium-auf-Isolator-, SOI-, Substrat mit einer Halbleiterschicht und einem Halbleitervollsubstrat mit einem ersten dotierten Gebiet, ein erstes Transistorbauteil, das in und über dem SOI-Substrat ausgebildet ist und ein erstes Gatedielektrikum, das über der Halbleiterschicht ausgebildet ist, und eine erste Gateelektrode, die über dem ersten Gatedielektrikum ausgebildet ist, umfasst, eine erste Diode, die elektrisch mit der ersten Gateelektrode verbunden ist und eine zweite Diode, die elektrisch mit der ersten Diode und der Versorgungsleitung verbunden ist, wobei die erste und zweite Diode teilweise in dem ersten dotierten Gebiet ausgebildet sind, umfasst.

公开(公告)号：DE102017201249B4

公开(公告)日：2020-07-09

申请号：DE102017201249

申请日：2017-01-26

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LORENZ INGOLF ,  BLOCK STEFAN ,  HENSEL ULRICH ,  FAUL JUERGEN ,  ZIER MICHAEL ,  NARISETTY HARITEZ

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Halbleiterbauteil, das umfasst:eine Versorgungsleitung (24, 150);ein SOI-Substrat (100) mit einer Halbleiterschicht (103) und einem Halbleitervollsubstrat (101) mit einem ersten dotierten Gebiet;ein erstes Transistorbauteil, das in und über dem SOI-Substrat (100) ausgebildet ist und ein erstes Gatedielektrikum (115), das über der Halbleiterschicht (103) ausgebildet ist, und eine erste Gateelektrode (130), die über dem ersten Gatedielektrikum (115) ausgebildet ist, umfasst;eine erste Diode (22, 140), die elektrisch mit der ersten Gateelektrode (130) verbunden ist; undeine zweite Diode (23, 142), die elektrisch mit der ersten Diode (22, 140) und der Versorgungsleitung (24, 150) verbunden ist, wobei die erste (22, 140) und zweite Diode (23, 142) teilweise in dem ersten dotierten Gebiet ausgebildet sind; und wobeidas SOI-Substrat (100) eine vergrabene Isolationsschicht (102) umfasst, die zwischen dem Halbleitervollsubstrat (101) und der Halbleiterschicht (103) ausgebildet ist, und in dem die erste Diode (22, 140) einen ersten PN-Übergang umfasst, der unter einer ersten Öffnung in der vergrabenen Isolationsschicht (102) positioniert ist, und die zweite Diode (23, 142) einen zweiten PN-Übergang umfasst, der unter einer zweiten Öffnung in der vergrabenen Isolationsschicht (102) positioniert ist.

公开(公告)号：DE102016215276B4

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：DE102016215276

申请日：2016-08-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HAUFE CHRISTIAN ,  LORENZ INGOLF ,  ZIER MICHAEL ,  HENSEL ULRICH ,  JAIN NAVNEET

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/092

Abstract: Ein integrierter Schaltkreis miteinem Halbleitervollsubstrat;einer vergrabenen Oxidschicht, die auf dem Halbleitervollsubstrat ausgebildet ist;einer Vielzahl von Zellen (350, 355), die über der vergrabenen Oxidschicht ausgebildet sind, wobei jede Zelle ein Transistorbauelement aufweist;einer Vielzahl von Gateelektrodenleitungen (318), die durch die Vielzahl von Zellen (350, 355) verlaufen und Gateelektroden für die Transistorbauelemente der Zellen (350, 355) bereitstellen; undeiner Vielzahl von Tap-Zellen (110, 310), die zur elektrischen Kontaktierung des Halbleitervollsubstrats ausgebildet sind und an Positionen angeordnet sind, die unterschiedlich zu Positionen unterhalb oder oberhalb der Vielzahl der Zellen (350, 355) mit den Transistorbauelementen sind, wobei mindestens eine aus der Vielzahl von Tap-Zellen (110, 310) zwischen eingebetteten Randzellen (120, 220, 220', 320) angeordnet ist; undwobei mindestens eine aus der Vielzahl von Tap-Zellen (110, 310) zwischen eingebetten Randzellen (120, 220, 220', 320) angeordnet ist, die von Rand-Gateelektrodenleitungen (320) gekreuzt werden, die eine größere Breite als die Gateelektrodenleitungen aufweisen.

公开(公告)号：DE102016215276A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：DE102016215276

申请日：2016-08-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HAUFE CHRISTIAN ,  LORENZ INGOLF ,  ZIER MICHAEL ,  HENSEL ULRICH ,  JAIN NAVNEET

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/12

Abstract: Die Erfindung stellt in einem Aspekt einen integrierten Schaltkreis mit einem Halbleitervollsubstrat, einer vergrabenen Oxidschicht, die auf dem Halbleitervollsubstrat ausgebildet ist, einer Vielzahl von Zellen, die über der vergrabenen Oxidschicht ausgebildet sind, wobei jede Zelle ein Transistorbauelement aufweist, einer Vielzahl von Gateelektrodenleitungen, die durch die Vielzahl von Zellen verlaufen und Gateelektroden für die Transistorbauelemente der Zellen bereitstellen, und einer Vielzahl von Tap-Zellen bereit, die zur elektrischen Kontaktierung des Halbleitervollsubstrats ausgebildet sind und an Positionen angeordnet sind, die unterschiedlich zu Positionen unterhalb oder oberhalb der Vielzahl der Zellen mit den Transistorbauelementen sind, wobei mindestens eine aus der Vielzahl von Tap-Zellen zwischen eingebetteten Randzellen angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102015200694A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：DE102015200694

申请日：2015-01-19

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HENSEL ULRICH ,  MANN RAINER

IPC: G06F17/50

Abstract: Ein Verfahren umfasst ein Erhalten von mehreren Entwurfsregeln für einen integrierten Schaltkreis, die eine erste Menge von Entwurfsregeln und eine zweite Menge von Entwurfsregeln umfassen. Ein automatisierter Layouterstellungsprozess, der anhand der ersten Menge von Entwurfsregeln, aber nicht anhand der zweiten Menge von Entwurfsregeln durchgeführt wird, erzeugt ein Layout des integrierten Schaltkreises. Das Layout des integrierten Schaltkreises wird auf Entwurfsregelverletzungen überprüft, bei denen mindestens ein Element der zweiten Menge von Entwurfsregeln nicht eingehalten ist. Das Layout des integrierten Schaltkreises wird abgewandelt, um das Layout in Einklang mit jeder der mehreren Entwurfsregeln zu bringen, wenn bei der Überprüfung des integrierten Schaltkreises ein oder mehr Entwurfsregelverletzungen gefunden werden.