公开(公告)号：DE112012004718B4

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：DE112012004718

申请日：2012-11-02

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CHEN KUANG-JUNG ,  HUANG WU-SONG ,  LIU SEN ,  HOLMES STEVEN J ,  BREYTA GREGORY

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/028 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: Photoresistzusammensetzung, die aufweist:einen ersten strahlungsempfindlichen Säuregenerator, wobei der erste strahlungsempfindliche Säuregenerator einen ersten Pegel einer Aktivierungsenergie aufweist;einen zweiten strahlungsempfindlichen Säuregenerator, wobei der zweite strahlungsempfindliche Säuregenerator einen zweiten Pegel der Aktivierungsenergie aufweist, wobei sich der erste Pegel der Aktivierungsenergie von dem zweiten Pegel der Aktivierungsenergie unterscheidet;ein quervernetzendes Agens;sowie ein Polymer, das eine hydrophobe Monomer-Einheit und eine hydrophile Monomer-Einheit aufweist, die eine Hydroxyl-Gruppe enthält,wobei wenigstens einige der Hydroxyl-Gruppen mit einer säurelabilen funktionellen Gruppe mit einer niedrigen Aktivierungsenergie geschützt sind und wobei das Photoresist das Merkmal aufweist, eine hybride Reaktion auf eine einzelne Belichtung derart zu erzeugen, dass:ein erster Anteil des Photoresists, der während der einzelnen Belichtung nicht belichtet wird, in einem Entwickler nicht löslich ist;ein zweiter Anteil des Photoresists, der mit einem ersten Pegel einer aktinischen Energie der einzelnen Belichtung belichtet wird, in dem Entwickler ebenfalls nicht löslich ist;und ein dritter Anteil des Photoresists, der mit einem zweiten Pegel einer aktinischen Energie, der niedriger als der erste Pegel der aktinischen Energie ist, während der einzelnen Belichtung belichtet wird, in dem Entwickler löslich wird.

公开(公告)号：DE112012005734B4

公开(公告)日：2019-08-29

申请号：DE112012005734

申请日：2012-12-20

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ARNOLD JOHN C ,  BURNS SEAN D ,  HOLMES STEVEN J ,  HORAK DAVID V ,  SANKARAPANDIAN MUTHUMANICKAM ,  YIN YUNPENG

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/80 ,  G03F7/20

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Struktur, das aufweist:Bilden eines Stapels, der wenigstens eine Schicht (20) aus einem dielektrischen Material sowie eine erste metallische Hartmaskenschicht (40) beinhaltet;Strukturieren der ersten metallischen Hartmaskenschicht mit wenigstens einem Leitungsmuster;Bilden von wenigstens einer zweiten metallischen Hartmaskenschicht (70) über der strukturierten ersten metallischen Hartmaskenschicht;Bilden eines ersten Kombinationsmusters, das ein erstes lithographisches Muster sowie ein zweites lithographisches Muster in der zweiten metallischen Hartmaskenschicht (70) beinhaltet, wobei das erste lithographische Muster und das zweite lithographische Muster mittels unterschiedlicher Ätzprozesse in die zweite metallische Hartmaskenschicht hinein transferiert werden;Transferieren eines zweiten Kombinationsmusters, das einen Schnitt des ersten Kombinationsmusters und des wenigstens einen Leitungsmusters beinhaltet, in die Schicht aus einem dielektrischen Material hinein;Abscheiden einer ersten organischen Planarisierungsschicht (OPL) (80) über der zweiten metallischen Hartmaskenschicht, wobei das erste lithographische Muster nachfolgend mittels eines ersten Ätzvorgangs durch die erste OPL hindurch in die zweite metallische Hartmaskenschicht hinein transferiert wird;Entfernen der ersten OPL oberhalb der zweiten metallischen Hartmaskenschicht; undAbscheiden einer zweiten OPL (180) über der zweiten metallischen Hartmaskenschicht, wobei das zweite lithographische Muster nachfolgend mittels eines zweiten Ätzvorgangs durch die zweite OPL hindurch in die zweite metallische Hartmaskenschicht hinein transferiert wird.