公开(公告)号：EP2959505A4

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：EP13875647

申请日：2013-12-05

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BERGENDAHL MARC A ,  HORAK DAVID V ,  KOBURGER CHARLES W III ,  PONOTH SHOM ,  YANG CHIH-CHAO

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/32 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L21/32 ,  H01L21/76205 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1211

公开(公告)号：DE112012005734B4

公开(公告)日：2019-08-29

申请号：DE112012005734

申请日：2012-12-20

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ARNOLD JOHN C ,  BURNS SEAN D ,  HOLMES STEVEN J ,  HORAK DAVID V ,  SANKARAPANDIAN MUTHUMANICKAM ,  YIN YUNPENG

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/80 ,  G03F7/20

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Struktur, das aufweist:Bilden eines Stapels, der wenigstens eine Schicht (20) aus einem dielektrischen Material sowie eine erste metallische Hartmaskenschicht (40) beinhaltet;Strukturieren der ersten metallischen Hartmaskenschicht mit wenigstens einem Leitungsmuster;Bilden von wenigstens einer zweiten metallischen Hartmaskenschicht (70) über der strukturierten ersten metallischen Hartmaskenschicht;Bilden eines ersten Kombinationsmusters, das ein erstes lithographisches Muster sowie ein zweites lithographisches Muster in der zweiten metallischen Hartmaskenschicht (70) beinhaltet, wobei das erste lithographische Muster und das zweite lithographische Muster mittels unterschiedlicher Ätzprozesse in die zweite metallische Hartmaskenschicht hinein transferiert werden;Transferieren eines zweiten Kombinationsmusters, das einen Schnitt des ersten Kombinationsmusters und des wenigstens einen Leitungsmusters beinhaltet, in die Schicht aus einem dielektrischen Material hinein;Abscheiden einer ersten organischen Planarisierungsschicht (OPL) (80) über der zweiten metallischen Hartmaskenschicht, wobei das erste lithographische Muster nachfolgend mittels eines ersten Ätzvorgangs durch die erste OPL hindurch in die zweite metallische Hartmaskenschicht hinein transferiert wird;Entfernen der ersten OPL oberhalb der zweiten metallischen Hartmaskenschicht; undAbscheiden einer zweiten OPL (180) über der zweiten metallischen Hartmaskenschicht, wobei das zweite lithographische Muster nachfolgend mittels eines zweiten Ätzvorgangs durch die zweite OPL hindurch in die zweite metallische Hartmaskenschicht hinein transferiert wird.

公开(公告)号：DE112012000850B4

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：DE112012000850

申请日：2012-01-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： PONOTH SHOM ,  HORAK DAVID V ,  KOBURGER III CHARLES W ,  YANG CHIH-CHAO

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren, das aufweist: Bilden einer Öffnung (311) im Innern einer dielektrischen Schicht (201), wobei die dielektrische Schicht auf einer Oberseite eines Substrats (101) ausgebildet wird und die Öffnung einen Kanalbereich (102) eines Transistors (110) in dem Substrat freilegt; Abscheiden einer Austrittsarbeitsschicht (401), die die Öffnung auskleidet und den Kanalbereich bedeckt; Ausbilden eines Gate-Leiters (610), der einen ersten Abschnitt (411) der Austrittsarbeitsschicht bedeckt, wobei sich der erste Abschnitt der Austrittsarbeitsschicht auf der Oberseite des Kanalbereichs befindet; und Entfernen eines zweiten Abschnitts der Austrittsarbeitsschicht, wobei der zweite Abschnitt der Austrittsarbeitsschicht den ersten Abschnitt der Austrittsarbeitsschicht umgibt, wobei das Entfernen des zweiten Abschnitts der Austrittsarbeitsschicht den ersten Abschnitt der Austrittsarbeitsschicht gegenüber der verbleibenden Austrittsarbeitsschicht (412) isoliert.