公开(公告)号：DE102014201625B4

公开(公告)日：2015-08-20

申请号：DE102014201625

申请日：2014-01-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： PAWLAK BARTLOMIEJ JAN ,  BENTLEY STEVEN ,  JACOB AJEY

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Vorrichtung, umfassend: Bilden einer Dornstruktur mit Seitenwänden; Durchführen eines Oxidationsprozesses zum Oxidieren von wenigstens einem Bereich der Dornstruktur, um dadurch an den Seitenwänden der Dornstruktur oxidierte Bereiche festzulegen; Entfernen der oxidierten Bereiche, um dadurch eine Dornstruktur mit verringerter Dicke festzulegen; Bilden einer Vielzahl von Stegen an der Dornstruktur mit verringerter Dicke; und Durchführen eines Ätzprozesses, um wenigstens einen Bereich der Dornstruktur mit verringerter Dicke selektiv zu entfernen, so dass dadurch von jedem der Stege wenigstens ein Bereich freigelegt wird.

公开(公告)号：DE102014201625A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：DE102014201625

申请日：2014-01-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： PAWLAK BARTLOMIEJ JAN ,  BENTLEY STEVEN ,  JACOB AJEY

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8234

Abstract: Ein anschauliches hierin offenbartes Verfahren umfasst ein Bilden einer Dornstruktur über einem Halbleitersubstrat, ein Durchführen eines Oxidationsprozesses zum Oxidieren von wenigstens einem Bereich der Dornstruktur, so dass dadurch an der Dornstruktur oxidierte Bereiche festgelegt werden, ein Entfernen der oxidierten Bereiche, um dadurch eine Dornstruktur mit verringerter Dicke festzulegen, ein Bilden einer Vielzahl von Stegen an der Dornstruktur mit verringerter Dicke und ein Durchführen von einem Ätzprozess zum selektiven Entfernen von wenigstens einem Bereich der Dornstruktur mit verringerter Dicke, so dass dadurch von jedem der Stege wenigstens ein Bereich freigelegt wird.