公开(公告)号：DE102019219941A1

公开(公告)日：2020-07-23

申请号：DE102019219941

申请日：2019-12-18

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： STAMPER ANTHONY K ,  JAIN VIBHOR

IPC: H01L27/24 ,  H01L27/02

Abstract: Eine anschauliche Vorrichtung umfasst unter anderem eine aktive Vorrichtung, die einen ersten Anschluss, einen ersten Vorspannungstransistor, der mit dem ersten Anschluss verbunden ist, und einen ersten Widerstand umfasst, der ein erstes Phasenübergangsmaterial umfasst, das mit dem ersten Vorspannungstransistor parallel verbunden ist, wobei das erste Phasenübergangsmaterial eine erste Phase mit niedriger Leitfähigkeit für Temperaturen unterhalb einer ersten Phasenübergangstemperatur und eine erste Phase mit hoher Leitfähigkeit für Temperaturen oberhalb der ersten Phasenübergangstemperatur aufweist.

公开(公告)号：DE102017202302B3

公开(公告)日：2018-02-22

申请号：DE102017202302

申请日：2017-02-14

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CAMILLO CASTILLO RENATA A ,  JAIN VIBHOR ,  LIU QIZHI ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: H01L27/082 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L29/737

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen Halbleiterstrukturen und insbesondere Heteroübergangs-Bipolartransistorvorrichtungs-Integrationssysteme auf dem gleichen Wafer und Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst: eine Leistungsverstärkervorrichtung (PA) mit einer Basis, einem Kollektor und einem Emitter auf einem Wafer; und eine rauscharme Verstärkervorrichtung (LNA) mit einer Basis, einem Kollektor und einem Emitter auf dem Wafer, wobei der Emitter die gleiche Kristallstruktur wie die Basis aufweist.

公开(公告)号：DE102019206611A1

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：DE102019206611

申请日：2019-05-08

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： PEKARIK JOHN J ,  STAMPER ANTHONY K ,  JAIN VIBHOR

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere Sicherungsstrukturen mit dualer Dicke und Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst eine kontinuierliche Verdrahtungsstruktur auf einer einzelnen Verdrahtungsebene und ist aus einem leitfähigen Material mit einem Sicherungsabschnitt und einer dickeren Verdrahtungsstruktur gebildet.