公开(公告)号：DE102019219941A1

公开(公告)日：2020-07-23

申请号：DE102019219941

申请日：2019-12-18

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： STAMPER ANTHONY K ,  JAIN VIBHOR

IPC: H01L27/24 ,  H01L27/02

Abstract: Eine anschauliche Vorrichtung umfasst unter anderem eine aktive Vorrichtung, die einen ersten Anschluss, einen ersten Vorspannungstransistor, der mit dem ersten Anschluss verbunden ist, und einen ersten Widerstand umfasst, der ein erstes Phasenübergangsmaterial umfasst, das mit dem ersten Vorspannungstransistor parallel verbunden ist, wobei das erste Phasenübergangsmaterial eine erste Phase mit niedriger Leitfähigkeit für Temperaturen unterhalb einer ersten Phasenübergangstemperatur und eine erste Phase mit hoher Leitfähigkeit für Temperaturen oberhalb der ersten Phasenübergangstemperatur aufweist.

公开(公告)号：DE102018208045A1

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：DE102018208045

申请日：2018-05-23

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ADUSUMILLI SIVA P ,  SHANK STEVEN M ,  PHELPS RICHARD A ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

Abstract: Strukturen für Flachgrabenisolationsgebiete und Verfahren zum Bilden von Flachgrabenisolationsgebieten. Ein Graben wird teilweise durch eine Vorrichtungsschicht eines Silizium-auf-Isolator-Substrats geätzt. An einem Boden des Grabens wird ein Abschnitt der Vorrichtungsschicht thermisch oxidiert, um ein Flachgrabenisolationsgebiet in dem Graben zu bilden. Während der thermischen Oxidation kann ein anderer Bereich der Vorrichtungsschicht gleichzeitig teilweise über eine Dicke oxidiert werden und, nach Entfernung der Oxidschicht von diesem Vorrichtungsschichtbereich, kann er als ein dünner Siliziumkörper verwendet werden. Vor dem thermischen Oxidationsprozess kann der Vorrichtungsschichtbereich mit einer Sorte implantiert werden, die eine Oxidation verzögert, die ihre Oxidationsrate im Vergleich zu der Oxidationsrate des Abschnitts der Vorrichtungsschicht verringert, die verwendet wird, um das Flachgrabenisolationsgebiet zu bilden.

公开(公告)号：DE102017202302B3

公开(公告)日：2018-02-22

申请号：DE102017202302

申请日：2017-02-14

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CAMILLO CASTILLO RENATA A ,  JAIN VIBHOR ,  LIU QIZHI ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: H01L27/082 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L29/737

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen Halbleiterstrukturen und insbesondere Heteroübergangs-Bipolartransistorvorrichtungs-Integrationssysteme auf dem gleichen Wafer und Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst: eine Leistungsverstärkervorrichtung (PA) mit einer Basis, einem Kollektor und einem Emitter auf einem Wafer; und eine rauscharme Verstärkervorrichtung (LNA) mit einer Basis, einem Kollektor und einem Emitter auf dem Wafer, wobei der Emitter die gleiche Kristallstruktur wie die Basis aufweist.

公开(公告)号：DE102019219874A1

公开(公告)日：2020-07-30

申请号：DE102019219874

申请日：2019-12-17

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： STAMPER ANTHONY K ,  VAUGHN DAISY A ,  BOSLEY STEPHEN R ,  HE ZHONG-XIANG

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/822

Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Halbleiterstrukturen und insbesondere auf Verdrahtungen mit engem Pitch und Kondensatoren, sowie auf Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst: einen Kondensator, umfassend: eine untere Platte aus einem ersten leitfähigen Material; ein Isolationsmaterial auf der unteren Platte; und eine obere Platte aus einem zweiten leitfähigen Material auf dem Isolationsmaterial; und eine Vielzahl von Verdrahtungen auf der gleichen Ebene wie die untere Platte, wobei die Vielzahl von Verdrahtungen aus dem zweiten leitfähigen Material gebildet ist.

公开(公告)号：DE102018222690A1

公开(公告)日：2019-07-25

申请号：DE102018222690

申请日：2018-12-21

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ADUSUMILLI SIVA P ,  STAMPER ANTHONY K ,  SCHUTZ LAURA J ,  LUCE CAMERON E

IPC: H01L21/76 ,  H01L27/085 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere versiegelte Hohlraumstrukturen mit einer ebenen Oberfläche und Verfahren zur Herstellung. Die Struktur umfasst eine Aussparung, die in einem Substratmaterial gebildet ist und die eine Krümmung an ihrem oberen Ende aufweist. Die Aussparung ist mit einem epitaktischen Material bedeckt, das eine ebene obere Oberfläche aufweist.

公开(公告)号：DE112012004340B4

公开(公告)日：2018-05-09

申请号：DE112012004340

申请日：2012-10-03

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LUCE STEPHEN E ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: B81C1/00

Abstract: Verfahren, das aufweist:Bereitstellen von mindestens zwei Einheiten (16), welche CMOS-, BiCMOS-, DRAM-, FLASH- oder passive Einheiten (16) sind, derart, dass die Einheiten (16) in einer aktiven Siliziumschicht (14) ausgebildet und durch flache Grabenisolations-Strukturen (20) voneinander getrennt sind;Ausbilden eines mit einem ersten Opfermaterial (25) ausgefüllten Bereichs auf der aktiven Siliziumschicht (14);Bereitstellen einer ersten Isolatorschicht (22) über dem ersten Opfermaterial (25), den Einheiten (16) und der Grabenisolations-Strukturen (20);Bilden wenigstens eines Trägers (44) oberhalb der ersten Isolatorschicht (22), wobei der Träger (44) ein Material aus amorphem Silicium (29) und mindestens eine Dünnschicht (26) eines piezoelektrischen Wandlers aufweist;Bereitstellen eines zweiten Isolatormaterials (32) über und benachbart zu dem Träger (44);Bilden eines Durchkontakts (50) durch das zweite Isolatormaterial (32) hindurch und Freilegen des ersten Opfermaterials (25), das unter dem Träger (44) liegt;Bereitstellen eines zweiten Opfermaterials (36) in dem Durchkontakt (50) und über dem Träger (44);Bereitstellen einer Kappe (38) auf dem zweiten Opfermaterial (36) und über dem zweiten Isolatormaterial (32), wobei das zweite Opfermaterial (36) vollständig von der Kappe (38) abgedeckt wird; undAbführen des ersten Opfermaterials (25) und des zweiten Opfermaterials (36) in einem Verfahrensschritt durch die Öffnung (40) der Kappe (38) hindurch, um einen oberen Hohlraum (42a) oberhalb des Trägers (44) und einen unteren Hohlraum (42b) unterhalb des Trägers (44) zu bilden, wobei die Größe und Form des unteren Hohlraums (42b) durch die Größe und Form des ersten Opfermaterials (25) bestimmt wird.

公开(公告)号：DE112012002979B4

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：DE112012002979

申请日：2012-06-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： DUNBAR THOMAS J ,  JAFFE MARK D ,  WOLF RANDY L ,  CANDRA PANGLIJEN ,  ADKISSON JAMES W ,  GAMBINO JEFFREY P ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: H03H9/64 ,  H03H3/08 ,  H03H9/145

Abstract: Oberflächen-Schallwellen(SAW)-Filter (100), aufweisend: ein piezoelektrisches Substrat (110); eine ebene Barriereschicht (120), welche über dem piezoelektrischen Substrat angeordnet ist; und mindestens einen Metallleiter (132), welcher in mindestens einem Graben (125) in der ebenen Barriereschicht angeordnet ist, wobei jeder der mindestens einen Metallleiter ferner einen gestapelten Leiter in Damaszener-Konfiguration aufweist, umfassend: eine Diffusionsbarriereschicht (142), welche über dem mindestens einen Metallleiter angeordnet ist; und eine Al-Schicht (160), welche über der Diffusionsbarriereschicht angeordnet ist, wobei der Metallleiter, die Diffusionsbarriereschicht und die Al-Schicht selbstausrichtend sind, und wobei der mindestens eine Metallleiter Cu aufweist und in dem piezoelektrischen Substrat und der ebenen Barriereschicht vergraben ist.

公开(公告)号：DE102017207873A1

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：DE102017207873

申请日：2017-05-10

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HE ZHONG-XIANG ,  JAFFE MARK D ,  WOLF RANDY L ,  JOSEPH ALVIN J ,  CUCCI BRETT T ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/331 ,  H01L29/72

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung kann ein Transistorgate in einer Vorrichtungsschicht; eine Zwischenverbindungsschicht über der Vorrichtungsschicht; und einen Luftspalt umfassen, der sich durch die Zwischenverbindungsschicht erstreckt, um mit einer oberseitigen Oberfläche des Transistorgates in Kontakt zu treten. Der Luftspalt stellt einen Mechanismus zur Verringerung des Ein-Widerstands und der Aus-Kapazität für Anwendungen unter Verwendung von SOI-Substraten bereit, wie z. B. Radiofrequenzschalter.

公开(公告)号：DE102019206611A1

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：DE102019206611

申请日：2019-05-08

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： PEKARIK JOHN J ,  STAMPER ANTHONY K ,  JAIN VIBHOR

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere Sicherungsstrukturen mit dualer Dicke und Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst eine kontinuierliche Verdrahtungsstruktur auf einer einzelnen Verdrahtungsebene und ist aus einem leitfähigen Material mit einem Sicherungsabschnitt und einer dickeren Verdrahtungsstruktur gebildet.

公开(公告)号：DE102016211222B3

公开(公告)日：2017-10-19

申请号：DE102016211222

申请日：2016-06-23

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HOOK TERENCE B ,  PHELPS RICHARD A ,  STAMPER ANTHONY K ,  CAMILLO-CASTILLO RENATA A

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere Transistorstrukturen mit mehreren Substratgates und Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst: einen Transistor, der über einem Halbleitermaterial und einem darunter liegenden Substrat gebildet ist; und mehrere isolierte Kontaktgebiete unter einem Körper oder Kanal des Transistors, der strukturiert ist, um ein lokales Potenzial zu dem Körper des Transistors an unterschiedlichen Stellen bereitzustellen.