公开(公告)号：DE102007052220B4

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：DE102007052220

申请日：2007-10-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： MOWRY ANTHONY ,  LENSKI MARKUS ,  KOERNER GUIDO ,  OTTERBACH RALF

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/092

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements mit: Bilden einer ersten Gateelektrodenstruktur eines ersten Feldeffekttransistors über einem ersten Bauteilgebiet einer siliziumbasierten Schicht; Bilden einer zweiten Gateelektrodenstruktur eines zweiten Feldeffekttransistors, der ein p-Kanaltransistor ist, über einem zweiten Bauteilgebiet der siliziumbasierten Schicht; Bilden einer verformungsinduzierenden Halbleiterlegierung, die Silizium-Germanium, Silizium-Zinn oder Silizium-Germanium-Zinn aufweist, in dem zweiten Bauteilgebiet in einem Bereich, der einem zu bildenden Source- und Draingebiet des zweiten Feldeffekttransistors entspricht; Bilden einer ersten Implantationsmaske über dem ersten Bauteilgebiet und dem zweiten Bauteilgebiet, wobei die erste Implantationsmaske das zweite Bauteilgebiet und die darauf gebildete zweite Gateelektrodenstruktur bedeckt und das erste Bauteilgebiet und die darauf gebildete erste Gateelektrodenstruktur freilässt; Ausführen eines ersten Implantationsprozesses auf der Grundlage einer ersten Parametereinstellung, um ein erstes Dotierstoffprofil lateral benachbart zu der ersten Gateelektrodenstruktur in dem ersten Bauteilgebiet zu erzeugen; Bilden einer zweiten Implantationsmaske über dem ersten und dem zweiten Bauteilgebiet, wobei die zweite Implantationsmaske das erste Bauteilgebiet bedeckt und das zweite Bauteilgebiet freilässt; Reduzieren einer lateralen Erstreckung der zweiten Gateelektrodenstruktur, indem die zweite Implantationsmaske als eine Ätzmaske verwendet wird; und Ausführen eines zweiten Implantationsprozesses mit der zweiten Implantationsmaske als Maske auf der Grundlage einer zweiten Parametereinstellung, um ein zweites Dotierstoffprofil in dem zweiten Bauteilgebiet lateral benachbart zu der zweiten Gateelektrodenstruktur zu erzeugen.