公开(公告)号：DE102018219659A1

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：DE102018219659

申请日：2018-11-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LEE SEE TAUR ,  BELLAOUAR ABDELLATIF

IPC: H03F3/19

Abstract: Wir offenbaren eine Vorrichtung, die eine Leistungsverstärkung in Millimeter-Wellen-Vorrichtungen mit verringerter Größe und reduziertem Leistungverbrauch bereitstellen kann, und Verfahren zum Verwenden dieser Vorrichtung. Eine solche Vorrichtung umfasst einen Eingangstransformator; ein erstes Differenzpaar von Injektionstransistoren umfassend einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor; eine erste Substratgatespannungsquelle, die ausgebildet ist, um eine erste Substratgatespannung an dem ersten Transistor bereitzustellen; eine zweite Substratgatespannungsquelle, die ausgebildet ist, um eine zweite Substratgatespannung an dem zweiten Transistor bereitzustellen; und ein zweites Differenzpaar von Oszillatorkerntransistoren, umfassend einen dritten Transistor und einen vierten Transistor, wobei der dritte Transistor und der vierte Transistor über Kreuz gekoppelt sind; eine dritte Substratgatespannungsquelle, die ausgebildet ist, um eine dritte Substratgatespannung für den dritten Transistor bereitzustellen; eine vierte Substratgatespannungsquelle, die ausgebildet ist, um eine vierte Substratgatespannung für den vierten Transistor bereitzustellen; und einen Ausgangstransformator.