公开(公告)号：DE102018211250A1

公开(公告)日：2019-05-02

申请号：DE102018211250

申请日：2018-07-09

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： YU MICKEY ,  LOISEAU ALAIN ,  MITRA SOUVICK ,  TSAI TSUNG-CHE ,  LI YOU ,  GAUTHIER ROBERT J

IPC: H01L27/085 ,  H01L21/334 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/76

Abstract: Diodenstrukturen und Verfahren zum Fertigen von Diodenstrukturen. Es werden erste und zweite Gatestrukturen gebildet, wobei die zweite Gatestruktur zu der ersten Gatestruktur parallel angeordnet ist. Es werden erste und zweite Finnen gebildet, die sich vertikal von einer oberseitigen Oberfläche eines Substrats aus erstrecken. Die ersten und zweiten Finnen sind zwischen der ersten Gatestruktur und der zweiten Gatestruktur angeordnet. Mit der ersten Finne und der zweiten Finne ist eine Kontaktstruktur gekoppelt. Die Kontaktstruktur ist seitlich zwischen der ersten Gatestruktur und der zweiten Gatestruktur angeordnet.