公开(公告)号：DE102020203501A1

公开(公告)日：2020-10-22

申请号：DE102020203501

申请日：2020-03-18

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CHU TAO ,  LU RONGTAO ,  OZBEK AYSE M ,  MA WEI ,  WANG HAITING

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Offenbart werden ein Metallgate (z.B. ein Replacement-Metal-Gate (RMG) für einen Feldeffekttransistor (FET) und ein Verfahren zur Herstellung des Metallgates. Das Verfahren umfasst ein Abscheiden einer konformen dielektrischen Schicht, um eine Gateöffnung auszurichten, und ein Durchführen einer Reihe von nicht-geclusterten und geclusterten konformen Metallabscheidungs- und Zurückätzungsprozessen, um die Höhen der konformen Metallschichten innerhalb der Gateöffnung selektiv anzupassen. Durch ein selektives Steuern der Höhen der konformen Metallschichten bietet das Verfahren eine verbesserte Gesamthöhenkontrolle und Gate-Qualität, insbesondere wenn das Metallgate eine kleine kritische Dimension (CD) und/oder ein hohes Seitenverhältnis (AR) aufweist. Das Verfahren kann auch den Einsatz verschiedener Ätztechniken während der verschiedenen Zurückätzungsprozesse und insbesondere dann umfassen, wenn verschiedene Materialien und/oder verschiedene Materialgrenzflächen einem Ätzmittel ausgesetzt sind, um eine im Wesentlichen gleichmäßige Ätzrate der betreffenden konformen Metallschicht(en) in einer im Wesentlichen vertikalen Richtung zu gewährleisten.