公开(公告)号：DE102016208588A1

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：DE102016208588

申请日：2016-05-19

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： MITTAL ANURAG ,  RASHED MAHBUB

IPC: H01L21/8238

Abstract: Ein offenbartes Verfahren, eine offenbarte Vorrichtung und/oder ein offenbartes System umfassen ein Bereitstellen eines Designs zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung. Auf einem Schaltungslayout wird eine erste funktionale Zelle mit einer ersten Breite platziert. Es wird eine Bestimmung durchgeführt, ob wenigstens ein Transistor der ersten funktionalen Zelle in Durchlaufrichtung oder in Sperrrichtung vorzuspannen ist. Neben der ersten funktionalen Zelle wird auf dem Schaltungslayout zur Bereitstellung einer ersten Vorspannungswanne innerhalb der Gesamtbereite der ersten und zweiten funktionalen Zelle in Antwort auf die Bestimmung, ob wenigstens ein Transistor in Durchlaufrichtung oder in Sperrrichtung vorzuspannen ist, eine zweite funktionale Zelle mit einer zweiten Breite platziert.

公开(公告)号：DE102016215939A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：DE102016215939

申请日：2016-08-25

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： MITTAL ANURAG ,  RASHED MAHBUB

IPC: G06F17/50

Abstract: Wenigstens ein hierin offenbartes Verfahren, eine hierin offenbarte Vorrichtung und ein hierin offenbartes System umfassen ein Bereitstellen eines Designs zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung. Es wird eine Betriebsmodellierung eines Halbleitervorrichtungsschaltungsentwurfs durchgeführt. Es wird wenigstens ein Transistor zur Bereitstellung einer ersten Spannung, um den Transistor in Durchlassrichtung vorzuspannen, oder einer zweiten Spannung, um den Transistor in Sperrrichtung vorzuspannen, identifiziert. Auf Basis der Identifizierung des wenigstens einen Transistors zum Bereitstellen der ersten Spannung, um den Transistor in Durchlassrichtung vorzuspannen, und/oder der zweiten Spannung, um den Transistor in Sperrrichtung vorzuspannen, wird eine Verzögerung zur Einstellung einer dem Transistor zugeordneten Taktung bereitgestellt.

公开(公告)号：DE102018200549A1

公开(公告)日：2018-11-08

申请号：DE102018200549

申请日：2018-01-15

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： MITTAL ANURAG ,  RASHED MAHBUB

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

Abstract: Zwischen Source/Drain eines ebenen Transistors und einer lokalen Zwischenverbindung oder einer ersten Metallisierungsschichtversorgungsleitung wird eine elektrische Verbindung bereitgestellt, umfassend einen ersten Kontaktbereich, der an Source/Drain elektrisch gekoppelt ist, einen zweiten Kontaktbereich, der an den ersten Kontaktbereich und ein Gate des Transistors elektrisch gekoppelt ist, und eine V, die an die lokale Zwischenverbindung oder die erste Metallislerungsschichtversorgungsleitung elektrisch gekoppelt ist. In dem Transistor fehlt ein Grabensilizid. Auf Basis des Kontaktbereichs wird auch eine Versorgungsleitungsstütze bereitgestellt, umfassend einen ersten Kontaktbereich, einen zweiten Kontaktbereich und an einer bidirektionalen V-Klemme über und elektrisch gekoppelt an den ersten Kontaktbereich und eine Vüber und elektrisch gekoppelt an den zweiten Kontaktbereich und an die bidirektionale V-Klemme. Die Versorgungsleitungsstütze kann in einer Halbleiterstruktur vorgesehen sein, die ebene Transistoren umfasst, in der der erste Kontaktbereich und der zweite Kontaktbereich an Source/Drain eines Transistors elektrisch gekoppelt sind. Ein Gate-Kontakt vom Via-Typ ist an den zweiten Kontaktbereich unter der Velektrisch gekoppelt. Die erste Metallisierungsschicht und/oder die Kontaktbereiche können aus einem Nicht-Kupfer-Schwermetall mit einer kleinsten Fläche gebildet sein, die kleiner ist als die von Kupfer.