公开(公告)号：DE102018208456A1

公开(公告)日：2019-08-08

申请号：DE102018208456

申请日：2018-05-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： OTTO MICHAEL ,  HÖNTSCHEL JAN ,  JÜTTNER MAXIMILIAN

IPC: H03K17/16

Abstract: Die vorliegende Offenbarung betrifft generell Halblefterstrukturen und insbesondere Rückseiten-Gate-Einstellschaltungen und Verfahren zu deren Herstellung. Das Verfahren umfasst das Anlegen einer Spannung an ein Rückseiten-Gate eines Bauelements; und selektives Steuern der angelegten Spannung zur Deaktivierung mindestens einer Einfangstelle in einer isolierenden Schicht des Bauelements, um einen Rauschbeitrag aus der mindestens einen Einfangstelle zu reduzieren.

公开(公告)号：DE102016214659A1

公开(公告)日：2017-12-14

申请号：DE102016214659

申请日：2016-08-08

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： OTTO MICHAEL ,  CHAN NIGEL

IPC: H03K19/00

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere Schaltungen mit einer logischen Substratgateschaltung und Betriebsverfahren. Die Schaltung umfasst wenigstens einen Vordergatekontakt und digitale Substratgatepotentiale zur Logikfunktionsausbildung an einer Rückseite der wenigstens einen Vorrichtung. Die digitalen Substratgatepotentiale sind zwischen zwei logischen Zuständen schaltbar.

公开(公告)号：DE102013214258A1

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：DE102013214258

申请日：2013-07-22

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： OTTO MICHAEL ,  CHAN NIGEL

IPC: G11C11/413

Abstract: Ein Verfahren umfasst ein Schreiben von Daten in ein oder mehr statische Direktzugriffsspeicherzellen (SRAM-Zellen). Das Schreiben von Daten in die ein oder mehr SRAM-Zellen umfasst ein Anlegen eines ersten Datensignals an mindestens eine Bitleitung, die elektrisch mit den ein oder mehr SRAM-Zellen verbunden ist, ein elektrisches Trennen von mindestens einem von einem ersten Stromversorgungsanschluss und einem zweiten Stromversorgungsanschluss von jeder der ein oder mehr SRAM-Zellen von einer Stromversorgung und ein Anlegen eines Wortleitungssignals an eine Wortleitung, die elektrisch mit den ein oder mehr SRAM-Zellen verbunden ist. Danach wird der mindestens eine von dem ersten Stromversorgungsanschluss und dem zweiten Stromversorgungsanschluss von jeder der ein oder mehr SRAM-Zellen elektrisch mit der Stromquelle verbunden.