Schreibschema für einen statischen Direktzugriffsspeicher (SRAM)

    公开(公告)号:DE102019200517A1

    公开(公告)日:2019-08-29

    申请号:DE102019200517

    申请日:2019-01-17

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Struktur, die eine Schreibtreiberschaltung umfasst, die so konfiguriert ist, dass sie sowohl eine Wahr-Bitleitungsseite, als auch eine Komplementär-Bitleitungsseite auf eine Energieversorgung hoch und auf Masse herabsetzt, so dass eine der Wahr-Bitleitungsseite und der Komplementär-Bitleitungsseite auf Masse gesetzt wird und eine andere der Wahr-Bitleitungsseite und der Komplementär-Bitleitungsseite gleichzeitig und vor einem Vorladen unter ein Niveau der Energieversorgung der Wahr-Bitleitungsseite und der Komplementär-Bitleitungsseite auf ein hohes Niveau gesetzt wird.

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