公开(公告)号：DE102019200517A1

公开(公告)日：2019-08-29

申请号：DE102019200517

申请日：2019-01-17

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HU XIAOLI ,  ZHAO WEI ,  PU HAO

IPC: G11C11/413

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Struktur, die eine Schreibtreiberschaltung umfasst, die so konfiguriert ist, dass sie sowohl eine Wahr-Bitleitungsseite, als auch eine Komplementär-Bitleitungsseite auf eine Energieversorgung hoch und auf Masse herabsetzt, so dass eine der Wahr-Bitleitungsseite und der Komplementär-Bitleitungsseite auf Masse gesetzt wird und eine andere der Wahr-Bitleitungsseite und der Komplementär-Bitleitungsseite gleichzeitig und vor einem Vorladen unter ein Niveau der Energieversorgung der Wahr-Bitleitungsseite und der Komplementär-Bitleitungsseite auf ein hohes Niveau gesetzt wird.

公开(公告)号：DE102016215292A1

公开(公告)日：2017-12-07

申请号：DE102016215292

申请日：2016-08-17

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ARSOVSKI IGOR ,  LI QING ,  ZHAO WEI ,  HU XIAOLI

IPC: G11C7/06

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere eine Erfassungsschaltung für einen Speicher und Verwendungsverfahren. Der Speicher umfasst einen selbstbezogenen Erfassungsverstärker, der zum Kalibrieren seiner einzelnen Vorladung auf Basis eines Startpunkts strukturiert ist, wobei eine autonome Vorladungsaktivierungsschaltung ein Vorladen einer Erfassungsleitung an jedem einzelnen Eingang beginnt, sobald eine Erfassung durchgeführt oder abgeschlossen wurde.

公开(公告)号：DE102018221458A1

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：DE102018221458

申请日：2018-12-12

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZHAO WEI ,  TANG MING HAO ,  WANG HAITING ,  CHEN RUI ,  REN YUPING ,  ZANG HUI ,  BEASOR SCOTT H ,  XIE RUILONG

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden von Isolationssäulen für eine Gatestruktur, wobei das Verfahren umfasst: ein Bereitstellen einer vorläufigen Struktur mit einem Substrat mit einer Mehrzahl von Finnen darauf, einem STI, das zwischen benachbarten Finnen gebildet ist, wobei sich eine oberen Oberfläche der STIs höher erstreckt als eine obere Oberfläche der Finnen, und eine Hartmaske über der oberen Oberfläche der Finnen und zwischen benachbarten STIs, ein Bilden eines ersten Grabens in einem ersten ausgewählten STI und zwischen benachbarten Finnen in einem Gatebereich und ein Bilden eines zweiten Grabens in einem zweiten ausgewählten STI und zwischen benachbarten Finnen in einem TS-Bereich; und ein Füllen der ersten und zweiten Gräben mit einer Isolationsfüllung, wodurch eine erste Isolationssäule in dem Gatebereich und eine zweite Isolationssäule in dem TS-Bereich gebildet wird, wobei sich die ersten und zweiten Isolationssäulen unter die obere Oberfläche der STIs erstrecken.