公开(公告)号：DE102013209513B4

公开(公告)日：2020-07-09

申请号：DE102013209513

申请日：2013-05-22

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC ,  KING ABDULAZIZ CITY SCI & TECH

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA K ,  ALHOMOUDI IBRAHIM ,  LI NING

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/20 ,  H01L29/04

Abstract: Verfahren zum Bereitstellen einer Halbleiterstruktur, das aufweist:Bereitstellen eines Basissubstrats (10) mit einer gleichmäßigen Dicke und einer planaren obersten Oberfläche (12), die sich über eine Gesamtheit des Basissubstrats (10) hinweg erstreckt;Bilden von Teilbereichen einer Stressorschicht (18), die Formen auf Teilbereichen der obersten Oberfläche (12) des Basissubstrats (10), jedoch nicht auf der gesamten aufweisen, wobei das Bilden der Teilbereiche (18L, 18R) der Stressorschicht (18) aufweist:Bereitstellen einer deckenden Schicht aus Stressormaterial (18) oben auf einer Gesamtheit der obersten Oberfläche (12) des Basissubstrats (10);Strukturieren der deckenden Schicht aus Stressormaterial (18) mittels Lithographie und Ätzen;Bilden eines Handhabungssubstrats (20) oben auf den Teilbereichen der Stressorschicht (18); und danachAbtrennen von Teilbereichen (24L, 24R) von Materialschichten von dem Basissubstrat (10), wobei die Teilbereiche (24L, 24R) der Materialschichten Formen der Teilbereiche (18L, 18R) der Stressorschicht (18) aufweisen und wobei ein verbleibender Teilbereich des Basissubstrats (10) darin befindlichen Öffnungen (26) aufweist, die mit den Formen der Stressorschicht (18) korreliert.

公开(公告)号：DE102012210227B4

公开(公告)日：2018-01-25

申请号：DE102012210227

申请日：2012-06-18

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  CORTES NORMA EDITH SOSA

IPC: H01L21/304

Abstract: Verfahren zur Entfernung einer Materialschicht von einem Grundsubstrat (10), umfassend: Formen eines Randausschlussmaterials (14), wobei das Randausschlussmaterial (14) einen Rand aufweist, der mit dem Rand des Grundsubstrats (10) vertikal übereinstimmt, während ein anderer Rand des Randausschlussmaterials (14) vom Rand nach innen und auf einer Oberseite (12) des Grundsubstrats (10) liegt; Formen einer spannungserzeugenden Schicht (16) auf freiliegenden Abschnitten der Oberseite (12) des Grundsubstrats (10) und über dem Randausschlussmaterial (14); und Abblättern eines Teils (10') des Grundsubstrats (10), der unter der spannungserzeugenden Schicht (16) liegt und nicht von dem Randausschlussmaterial (14) bedeckt wird.

公开(公告)号：DE102012209887B4

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：DE102012209887

申请日：2012-06-13

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L21/304 ,  H01L31/18

Abstract: Verfahren zum Spalten eines Halbleitermaterials, welches folgende Schritte umfasst: Bereitstellen eines Germaniumsubstrats, wobei eine Germanium- und Zinnlegierungsschicht innerhalb des Germaniumsubstrats vorliegt; Abscheiden einer eine mechanische Spannung erzeugenden Schicht auf dem Germaniumsubstrat; Anlegen einer mechanischen Spannung aus der eine mechanische Spannung erzeugenden Schicht an das Germaniumsubstrat, wobei die mechanische Spannung das Germaniumsubstrat spaltet, um eine Spaltoberfläche bereitzustellen, wobei die Germanium- und Zinnlegierungsschicht zwischen der eine mechanische Spannung erzeugenden Schicht und der Spaltoberfläche des Germaniumsubstrats liegt; und selektives Ätzen der Spaltoberfläche des Germaniumsubstrats bis zur Germanium- und Zinnlegierungsschicht des Germaniumsubstrats.

公开(公告)号：DE102012213649B4

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：DE102012213649

申请日：2012-08-02

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  LIU XIAO HU ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12

Abstract: Ablösungsverfahren, das Folgendes umfasst:Aufbringen einer Stressorschicht (5) auf eine obere Oberfläche eines Basissubstrats (10);Kontaktieren der Stressorschicht mit einer planaren Übertragungsoberfläche (15) an einem ersten Rand (E1) des Basissubstrats (10) undBewegen der planaren Übertragungsoberfläche entlang einer Ebene (P1), die zu der oberen Oberfläche des Basissubstrats parallel ist und gegenüber dieser einen vertikalen Versatz aufweist, in einer Richtung von dem ersten Rand des Basissubstrats zu einem gegenüberliegenden zweiten Rand (E2) des Basissubstrats hin, um das Basissubstrat zu spalten und einen abgelösten Teil (11) des Basissubstrats auf die planare Übertragungsoberfläche zu übertragen, wobei der vertikale Versatz zwischen der Ebene, entlang der die planare Übertragungsoberfläche bewegt wird, und der oberen Oberfläche des Basissubstrats von dem ersten Rand des Basissubstrats zu dem zweiten Rand des Basissubstrats ein feststehender Abstand ist, wobei der feststehende Abstand des vertikalen Versatzes für eine einheitliche Ablösekraft sorgt.

公开(公告)号：DE112012002461B4

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：DE112012002461

申请日：2012-06-05

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： DIMITRAKO-POULOS CHRISTOS ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHIU KUEN-TING

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Photovoltaikeinheit, aufweisend: Aufbringen einer Diblockcopolymerschicht (14) direkt auf die Oberfläche eines Substrats (12); Entfernen eines ersten Polymermaterials (18) aus der Diblockcopolymerschicht (14) selektiv vom Substrat (12), wobei ein zweites Polymermaterial (20) zurückbleibt, um eine Vielzahl verteilter Poren (22) mit gleichmäßiger Dichte zu bilden; Abscheiden einer strukturbildenden Schicht (24) auf einer verbleibenden Oberfläche der Diblockcopolymerschicht (14) und in den Poren (22) in Kontakt mit dem Substrat (12); Abheben des zweiten Polymermaterials (20) der Diblockcopolymerschicht (14) und von Teilen der strukturbildenden Schicht (24), welche auf dem zweiten Polymermaterial (20) abgeschieden wurden, in einem Arbeitsschritt, um Teile der strukturbildenden Schicht (24) in Kontakt mit dem Substrat (12) zu belassen; und ...

公开(公告)号：DE102012221294B4

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：DE102012221294

申请日：2012-11-21

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/02

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Aktivmatrix-Leuchtdioden(LED)-Anordnung, wobei das Verfahren aufweist: Entfernen einer Schicht eines anorganischen LED-Materials von einem Basissubstrat, das ursprünglich darauf aufgewachsen wurde; und Bonden der entfernten Schicht des anorganischen LED-Materials mit einem Aktivmatrix-Dünnschichttransistor(TFT)-Backplane-Array, wobei das Entfernen der Schicht des anorganischen LED-Materials von dem Basissubstrat aufweist: Bilden einer oder mehrerer Spannungsschichten auf einer oberen Fläche des anorganischen LED-Materials, die dem Basissubstrat gegenüber liegt; Bilden einer flexiblen Handhabungsschicht auf der einen oder den mehreren Spannungsschichten; und Einwirken einer Kraft auf die flexible Handhabungsschicht, um die Spannungsschicht und zumindest einen Teil des anorganischen LED-Materials von dem Basissubstrat abzutrennen.

公开(公告)号：DE102012209891B4

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：DE102012209891

申请日：2012-06-13

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  CHENG CHENG-WEI ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHIU KUEN-TING ,  SOSA CORTES NORMA E

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L31/18

Abstract: Verfahren zum Entfernen einer Halbleiterelementschicht von einem Grundsubstrat, wobei das Verfahren umfasst:Bereitstellen einer Opferstruktur auf einer oberen Fläche eines Grundsubstrats (10), wobei die Opferstruktur von unten nach oben eine erste Einschlussschicht (24), eine Rissausbreitungsschicht (12) und eine zweite Einschlussschicht (26) umfasst, wobei das Bereitstellen der Opferstruktur das Auswählen einer ersten Materialzusammensetzung der ersten Einschlussschicht (24) und einer zweiten Materialzusammensetzung der zweiten Einschlussschicht (26), wobei die erste und die zweite Materialzusammensetzung Bruchzähigkeitswerte aufweisen, die höher als diejenigen deren jeweiliger angrenzender Schichten sind, wobei die Rissausbreitungsschicht (12) an die erste (24) und die zweite (26) Einschlussschicht direkt angrenzt;Bilden einer Halbleiterelementschicht (14) mit mindestens einem Halbleiterelement auf der zweiten Einschlussschicht (26) der Opferstruktur;Ätzen von Endabschnitten der Rissausbreitungsschicht (12), um einen Riss in der Rissausbreitungsschicht (12) der Opferstruktur auszulösen;Spalten der geätzten Rissausbreitungsschicht (12), um einer Oberfläche der zweiten Einschlussschicht (26), die sich auf einer Oberfläche der Halbleiterelementschicht (14) befindet, einen gespaltenen Abschnitt der Rissausbreitungsschicht (12) sowie einer Oberfläche der ersten Einschlussschicht (24), die sich auf der oberen Fläche des Grundsubstrats (10) befindet, einen anderen gespaltenen Abschnitt der Rissausbreitungsschicht (12) bereitzustellen;Entfernen des gespaltenen Abschnitts der Rissausbreitungsschicht (12) von der Oberfläche der zweiten Einschlussschicht (26), die sich auf der Oberfläche der Halbleiterelementschicht (14) befindet, und des anderen gespaltenen Abschnitts der Rissausbreitungsschicht (12) von der Oberfläche der ersten Einschlussschicht (24), die sich auf der oberen Fläche des Grundsubstrats (10) befindet; undEntfernen der ersten Einschlussschicht (24) von der oberen Fläche des Grundsubstrats (10) und Entfernen der zweiten Einschlussschicht (26) von der Oberfläche der Halbleiterelementschicht (14).

公开(公告)号：DE102012209706B4

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：DE102012209706

申请日：2012-06-11

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304

Abstract: Verfahren zur Herstellung von zwei Bauelement-Wafern unter Verwendung eines einzigen Basissubstrats, wobei das Verfahren umfasst: – Bereitstellen einer Struktur umfassend ein Basissubstrat (10), wobei das Basissubstrat Keramik und/oder Glas und/oder ein Halbleitermaterial umfasst; – Abscheiden einer ersten Bauelementschicht (16) direkt auf einer obersten Oberfläche (12) und einer zweiten Bauelementschicht (18) direkt auf einer untersten Oberfläche (14) des Basissubstrats, wobei die erste und die zweite Bauelementschicht jeweils ein Halbleitermaterial umfasst; und – Abspalten des Basissubstrats bei Raumtemperatur oder unterhalb der Raumtemperatur in einem Bereich des Basissubstrats zwischen der ersten und der zweiten Bauelementschicht, wobei durch das Abspalten ein erster Bauelement-Wafer gewonnen wird mit einem Teil des Basissubstrats und der ersten Bauelementschicht und ein zweiter Bauelement-Wafer mit einem anderen Teil des Basissubstrats und der zweiten Bauelementschicht, – wobei das Abspalten durch eine Verspannungsschicht (22) hervorgerufen wird, die über eine Adhäsionsschicht (20) auf die erste (16) und/oder die zweite (18) Bauelementschicht aufgebracht wird.