公开(公告)号：DE102012209891B4

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：DE102012209891

申请日：2012-06-13

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  CHENG CHENG-WEI ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHIU KUEN-TING ,  SOSA CORTES NORMA E

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L31/18

Abstract: Verfahren zum Entfernen einer Halbleiterelementschicht von einem Grundsubstrat, wobei das Verfahren umfasst:Bereitstellen einer Opferstruktur auf einer oberen Fläche eines Grundsubstrats (10), wobei die Opferstruktur von unten nach oben eine erste Einschlussschicht (24), eine Rissausbreitungsschicht (12) und eine zweite Einschlussschicht (26) umfasst, wobei das Bereitstellen der Opferstruktur das Auswählen einer ersten Materialzusammensetzung der ersten Einschlussschicht (24) und einer zweiten Materialzusammensetzung der zweiten Einschlussschicht (26), wobei die erste und die zweite Materialzusammensetzung Bruchzähigkeitswerte aufweisen, die höher als diejenigen deren jeweiliger angrenzender Schichten sind, wobei die Rissausbreitungsschicht (12) an die erste (24) und die zweite (26) Einschlussschicht direkt angrenzt;Bilden einer Halbleiterelementschicht (14) mit mindestens einem Halbleiterelement auf der zweiten Einschlussschicht (26) der Opferstruktur;Ätzen von Endabschnitten der Rissausbreitungsschicht (12), um einen Riss in der Rissausbreitungsschicht (12) der Opferstruktur auszulösen;Spalten der geätzten Rissausbreitungsschicht (12), um einer Oberfläche der zweiten Einschlussschicht (26), die sich auf einer Oberfläche der Halbleiterelementschicht (14) befindet, einen gespaltenen Abschnitt der Rissausbreitungsschicht (12) sowie einer Oberfläche der ersten Einschlussschicht (24), die sich auf der oberen Fläche des Grundsubstrats (10) befindet, einen anderen gespaltenen Abschnitt der Rissausbreitungsschicht (12) bereitzustellen;Entfernen des gespaltenen Abschnitts der Rissausbreitungsschicht (12) von der Oberfläche der zweiten Einschlussschicht (26), die sich auf der Oberfläche der Halbleiterelementschicht (14) befindet, und des anderen gespaltenen Abschnitts der Rissausbreitungsschicht (12) von der Oberfläche der ersten Einschlussschicht (24), die sich auf der oberen Fläche des Grundsubstrats (10) befindet; undEntfernen der ersten Einschlussschicht (24) von der oberen Fläche des Grundsubstrats (10) und Entfernen der zweiten Einschlussschicht (26) von der Oberfläche der Halbleiterelementschicht (14).