Ineinandergreifender, vertikaler, nativer Kondensator

    公开(公告)号:DE112012001824B4

    公开(公告)日:2016-10-06

    申请号:DE112012001824

    申请日:2012-06-05

    Abstract: Metallkondensatorstruktur, die eine Vielzahl von Leitungsebenenstrukturen (15, 16, 25, 26) und zumindest eine Durchkontaktierungsebenenstruktur (31, 32, 33, 34, 41 oder 42) aufweist, wobei auf jeder Leitungsebene die Vielzahl von Leitungsebenenstrukturen (15, 16, 25, 26) aufweist: eine erste Leitungsebenenstruktur (15 oder 25), die eine erste rechteckige Laschenstruktur (13 oder 23), die eine Form eines ersten rechteckigen Parallelepipeds aufweist, und eine erste Vielzahl von parallelen Metallleitungen (11 oder 21) aufweist, die von einer Seitenwand der ersten rechteckigen Laschenstruktur (13 oder 23) vorstehen und daran angrenzen; und eine zweite Leitungsebenenstruktur (16 oder 26), die eine zweite rechteckige Laschenstruktur (14 oder 24), die eine Form eines zweiten rechteckigen Parallelepipeds aufweist, und eine zweite Vielzahl von parallelen Metallleitungen (12 oder 22) aufweist, die von einer Seitenwand der zweiten rechteckigen Laschenstruktur (14 oder 24) vorstehen und daran angrenzen, wobei: die erste Vielzahl von parallelen Metallleitungen (11 oder 21) und die zweite Vielzahl von parallelen Metallleitungen (12 oder 22) gemeinsam eine ineinandergreifende, gleichmäßige Rasterabstandstruktur ((11, 12) oder (21, 22)) bilden, die einen Rasterabstand in einer Richtung aufweist; und die erste rechteckige Laschenstruktur (13 oder 23) und die zweite rechteckige Laschenstruktur (14 oder 24) nicht in einen Bereich zwischen der Seitenwand der ersten rechteckigen Laschenstruktur (13 oder 23) und der Seitenwand der zweiten rechteckigen Laschenstruktur (14 oder 24) vorstehen; und jede der Vielzahl von ersten rechteckigen Laschenstrukturen (13, 23) und der Vielzahl von zweiten rechteckigen Laschenstrukturen (14, 24) eine Laschenbreite aufweist, die zumindest 150% des Rasterabstands beträgt; und ...

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