公开(公告)号：DE102019212488A1

公开(公告)日：2020-02-27

申请号：DE102019212488

申请日：2019-08-21

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LIN SEAN XUAN ,  WITT CHRISTAN ,  RAYMOND MARK V ,  LICAUSI NICHOLAS V ,  RYAN ERROL TODD

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768

Abstract: Strukturen für Verbindungen und Verfahren zum Bilden von Verbindungen. Eine Verbindungsöffnung in einer dielektrischen Schicht umfasst einen ersten Abschnitt und einen zweiten Abschnitt, der über dem ersten Abschnitt angeordnet ist. Eine erste Leiterschicht, die aus einem ersten Metall gebildet wird, ist im ersten Abschnitt der Verbindungsöffnung angeordnet. Eine zweite Leiterschicht, die aus einem zweiten Metall gebildet wird, ist im zweiten Abschnitt der Verbindungsöffnung angeordnet. Das erste Metall ist Ruthenium.