公开(公告)号：DE102019215117A1

公开(公告)日：2020-05-07

申请号：DE102019215117

申请日：2019-10-01

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LICAUSI NICHOLAS V ,  PARK CHANRO ,  XIE RUILONG ,  LABONTE ANDRE P

IPC: H01L23/535 ,  H01L21/768

Abstract: Verbindungsstruktur einer integrierten Schaltung und Verfahren zum Bilden derselben, wobei die Verbindungsstruktur umfasst: mindestens zwei Metallleitungen, die in einer dielektrischen Schicht seitlich voneinander beabstandet sind, wobei die Metallleitungen eine obere Oberfläche unter einer oberen Oberfläche der dielektrischen Schicht aufweisen; eine Hartmaskenschicht auf einem oberen Abschnitt der Seitenwände der Metallleitungen, wobei die Hartmaskenschicht einen Abschnitt aufweist, der sich zwischen den Metallleitungen erstreckt, wobei sich der sich erstreckende Abschnitt unter der oberen Oberfläche der Metallleitungen befindet; und mindestens eine vollständig ausgerichtete Durchkontaktierung auf der oberen Oberfläche einer gegebenen Metallleitung.

公开(公告)号：DE102019212488A1

公开(公告)日：2020-02-27

申请号：DE102019212488

申请日：2019-08-21

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LIN SEAN XUAN ,  WITT CHRISTAN ,  RAYMOND MARK V ,  LICAUSI NICHOLAS V ,  RYAN ERROL TODD

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768

Abstract: Strukturen für Verbindungen und Verfahren zum Bilden von Verbindungen. Eine Verbindungsöffnung in einer dielektrischen Schicht umfasst einen ersten Abschnitt und einen zweiten Abschnitt, der über dem ersten Abschnitt angeordnet ist. Eine erste Leiterschicht, die aus einem ersten Metall gebildet wird, ist im ersten Abschnitt der Verbindungsöffnung angeordnet. Eine zweite Leiterschicht, die aus einem zweiten Metall gebildet wird, ist im zweiten Abschnitt der Verbindungsöffnung angeordnet. Das erste Metall ist Ruthenium.

公开(公告)号：DE102018221806A1

公开(公告)日：2019-07-04

申请号：DE102018221806

申请日：2018-12-14

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LICAUSI NICHOLAS V ,  LAW SHAO BENG ,  SINGH SUNIL K ,  ZHANG XUNYUAN

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Zwischenverbindungsstrukturen und Verfahren zum Bilden einer Zwischenverbindungsstruktur. Es werden erste und zweite Metallisierungsstrukturen in einer dielektrischen Zwischenschicht gebildet. Die dielektrische Zwischenschicht wird entfernt, um eine Aussparung mit einem Eingang zwischen den ersten und zweiten Metallisierungsstrukturen zu bilden. Auf Oberflächen, die die Aussparung umgeben, wird eine dielektrische Schicht über der ersten Metallisierungsstruktur und über der zweiten Metallisierungsstruktur gebildet. Innerhalb der Aussparung wird ein Opfermaterial gebildet, nachdem die dielektrische Schicht abgeschieden wird. Auf der dielektrischen Schicht wird eine Deckschicht über der ersten Metallisierungsstruktur, der dielektrischen Schicht über der zweiten Metallisierungsstruktur und dem Opfermaterial innerhalb der Aussparung nahe dem Eingang der Aussparung abgeschieden. Nach Abscheidung der Deckschicht wird das Opfermaterial von der Aussparung entfernt. Die dielektrische Schicht und die Deckschicht wirken zusammen, um einen Luftspalt innerhalb der Aussparung einzukapseln.

公开(公告)号：DE102018211683A1

公开(公告)日：2019-02-21

申请号：DE102018211683

申请日：2018-07-13

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LICAUSI NICHOLAS V ,  RYAN ERROL TODD ,  LIN SEAN XUAN

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/768 ,  H01L23/485

Abstract: Strukturen für Metallisierungsebenen von integrierten Schaltungen und zugehörige Fertigungsverfahren. Es wird eine erste Metallisierungsebene mit einer Metallisierungsleitung gebildet. Über der ersten Metallisierungsebene wird eine zweite Metallisierungsebene gebildet, die zwei Metallisierungsleitungen und zwei leitfähige Durchkontierungen aufweist, die sich von den zweiten Metallisierungsleitungen zu der Metallisierungsleitung in der ersten Metallisierungsebene erstrecken. Die erste Metallisierungsleitung wird in einen ersten Abschnitt und einen zweiten Abschnitt getrennt von dem ersten Abschnitt geteilt, so dass der erste Abschnitt durch eine leitfähige Durchkontaktierung mit einer Metallisierungsleitung in der zweiten Metallisierungsebene verbunden wird und der zweite Abschnitt durch die andere leitfähige Durchkontaktierung mit der anderen Metallisierungsleitung in der zweiten Ebene verbunden wird.

公开(公告)号：DE102013209110B4

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：DE102013209110

申请日：2013-05-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： MASZARA WITOLD P ,  JACOB AJEY P ,  LICAUSI NICHOLAS V ,  FRONHEISER JODY A ,  AKARVARDAR KEREM

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L21/84 ,  H01L29/267

Abstract: Verfahren zum Bilden einer FinFET-Vorrichtung, das umfasst: Bilden einer strukturierten Hartmaskenschicht über einem Substrat, das aus einem ersten halbleitenden Material besteht; Durchführen eines ersten Ätzprozesses durch die strukturierte Hartmaskenschicht, um mehrere voneinander beabstandete Gräben festzulegen, die für die Vorrichtung einen ersten Teil eines Grats, der aus dem ersten Halbleitermaterial besteht, festlegen; Bilden einer Schicht aus isolierendem Material in den Gräben, wobei die Schicht aus isolierendem Material die Gräben und die strukturierte Hartmaskenschicht überfüllt; Durchführen eines Planarisierungsprozesses an der Schicht aus isolierendem Material, bei dem die strukturierte Hartmaskenschicht, die oberhalb des ersten Teils des Grats angeordnet ist, freigelegt wird; Durchführen eines zweiten Ätzprozesses, um das Hartmaskenmaterial, das über dem ersten Teil des Grats angeordnet ist, zu entfernen und dadurch eine obere Fläche des ersten Teils des Grats freizulegen und eine Vertiefung in der Schicht aus isolierendem Material oberhalb des ersten Teils des Grats festzulegen; Bilden eines zweiten Teils des Grats innerhalb der Vertiefung auf der oberen Fläche des ersten Teils des Grats, wobei der zweite Teil des Grats aus einem zweiten halbleitenden Material besteht, das von dem ersten halbleitenden Material verschieden ist; und Durchführen eines dritten Ätzprozesses an der Schicht aus isolierendem Material, so dass eine obere Fläche des isolierenden Materials sich unterhalb einer oberen Fläche des zweiten Teils des Grats befindet, nachdem der dritte Ätzprozess durchgeführt wurde.

公开(公告)号：DE102019218942A1

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：DE102019218942

申请日：2019-12-05

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LICAUSI NICHOLAS V ,  WAHL JEREMY A ,  KAMINENI VIMAL K

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: Strukturen, die Verbindungen umfassen, und Verfahren zur Bildung einer Struktur, die Verbindungen umfasst. Eine Metallisierungsebene umfasst eine Metallisierungsebene mit einer ersten Verbindung mit einer ersten oberen Oberfläche, einer zweiten Verbindung mit einer zweiten oberen Oberfläche und einer Aussparung mit einem Zugang zwischen der ersten Verbindung und der zweiten Verbindung. Eine erste dielektrische Schicht umfasst einen ersten Abschnitt, der auf der ersten oberen Oberfläche der ersten Verbindung angeordnet ist, und einen zweiten Abschnitt, der auf der zweiten oberen Oberfläche der zweiten Verbindung angeordnet ist. Der erste Abschnitt der ersten dielektrischen Schicht ist vom zweiten Abschnitt der ersten dielektrischen Schicht durch den Zugang der Aussparung getrennt. Eine zweite dielektrische Schicht ist angeordnet, um die Aussparung zu umgeben und den Zugang zur Aussparung zu schließen, so dass ein Luftspalt in der Aussparung eingekapselt wird.

公开(公告)号：DE102018200438A1

公开(公告)日：2019-03-21

申请号：DE102018200438

申请日：2018-01-12

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LICAUSI NICHOLAS V ,  ZHANG XUNYUAN

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere voll ausgerichtete Via-Strukturen und Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst: eine Mehrzahl von leitfähigen Strukturen mit kleinster Grundregel, die in einem dielektrischen Material gebildet sind, wobei jedes ein ausgenommenes leitfähiges Material umfasst; wenigstens eine in dem dielektrischen Material gebildete leitfähige Struktur, die breiter ist als die Mehrzahl von leitfähigen Strukturen mit kleinster Grundregel; eine Ätzstoppschicht über einer Oberfläche der dielektrischen Schicht mit Öffnungen, um das leitfähige Material der wenigstens einen leitfähigen Struktur und das ausgenommene leitfähige Material einer ausgewählten leitfähigen Struktur mit kleinster Grundregel freizulegen; und ein oberes leitfähiges Material, welches bezüglich der wenigstens einen leitfähigen Struktur und der ausgewählten leitfähigen Struktur mit kleinster Grundregel durch die Öffnungen der Ätzstoppschicht ausgerichtet ist und damit in direktem elektrischen Kontakt steht.

公开(公告)号：DE102012221620A1

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：DE102012221620

申请日：2012-11-27

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LICAUSI NICHOLAS V

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Es werden hierin Verfahren zum Strukturieren von Merkmalen in einer Struktur, z. B. eine Materialschicht, die bei der Bildung integrierter Schaltungsvorrichtungen verwendet wird, oder in einem halbleitenden Substrat unter Verwendung einer Mehrfachseitenwandbildübertragungstechnik offenbart. Gemäß einem Beispiel umfasst das Verfahren ein Bilden eines ersten Kernelements über einer Struktur, ein Bilden einer Vielzahl erster Abstandshalter neben dem ersten Kernelement, ein Bilden einer Vielzahl zweiter Kernelemente neben den ersten Abstandshaltern und ein Bilden einer Vielzahl zweiter Abstandshalter neben den zweiten Kernelementen. Das Verfahren umfasst auch ein Durchführen von wenigstens einem Ätzprozess zum selektiven Entfernen des ersten Kernelements und der zweiten Kernelemente relativ zu den ersten Abstandshaltern und den zweiten Abstandshaltern und dadurch zum Festlegen einer Ätzmaske, die die ersten Abstandshalter und die zweiten Abstandshalter umfasst, und ein Durchführen von wenigstens einem Ätzprozess durch die Ätzmaske auf die Struktur, um in der Struktur eine Vielzahl von Merkmalen festzulegen.

公开(公告)号：DE102018200438B4

公开(公告)日：2020-10-01

申请号：DE102018200438

申请日：2018-01-12

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LICAUSI NICHOLAS V ,  ZHANG XUNYUAN

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: Struktur (10, 10'), umfassend:eine Mehrzahl von in einem dielektrischen Material (12) gebildeten leitfähigen Strukturen (14a, 14b) mit minimaler Strukturgröße, die jeweils ein vertieft liegendes leitfähiges Material (18) umfassen;wenigstens eine in dem dielektrischen Material (12) gebildete leitfähige Struktur (14c), die breiter ist als die Mehrzahl von leitfähigen Strukturen (14a, 14b) mit minimaler Strukturgröße und ein leitfähiges Material (24) umfasst, wobei das leitfähige Material (24) zu dem dielektrischen Material (12) eben ist;eine Ätzstoppschicht (28) über einer Oberfläche des dielektrischen Materials (12) mit Öffnungen zum Freilegen des leitfähigen Materials (24) der wenigstens einen leitfähigen Struktur (14c) und des vertieft liegenden leitfähigen Materials (18) von einer aus der Mehrzahl von leitfähigen Strukturen (14a, 14b) mit minimaler Strukturgröße ausgewählten leitfähigen Struktur (14b) mit minimaler Strukturgröße; undobere Verbindungsstrukturen (32a, 32b), die durch die Öffnungen der Ätzstoppschicht (28) voll ausgerichtet sind zu und in direktem elektrischen Kontakt stehen mit der wenigstens einen leitfähigen Struktur (14c) und dem vertieft liegenden leitfähigen Material (18) der ausgewählten leitfähigen Struktur (14b) mit minimaler Strukturgröße.

公开(公告)号：DE102013209110A1

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：DE102013209110

申请日：2013-05-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： MASZARA WITOLD P ,  JACOB AJEY P ,  LICAUSI NICHOLAS V ,  FRONHEISER JODY A ,  AKARVARDAR KEREM

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L21/84 ,  H01L29/267

Abstract: Ein hierin angegebenes veranschaulichendes Verfahren umfasst ein Durchführen eines ersten Ätzprozesses durch eine strukturierte Hartmaskenschicht, um mehrere voneinander beabstandete Gräben in einem Substrat festzulegen, die für die Vorrichtung einen ersten Teil eines Grats festlegen, Bilden einer Schicht aus isolierendem Material in den Gräben und Durchführen eines Planarisierungsprozesses an der Schicht aus isolierendem Material, um die strukturierte Hartmaske freizulegen, Durchführen eines zweiten Ätzprozesses, um die Hartmaskenschicht zu entfernen und in der Schicht aus isolierendem Material eine Vertiefung festzulegen, Bilden eines zweiten Teils des Grats in der Vertiefung, wobei der zweite Teil des Grats aus einem halbleitenden Material besteht, das von dem des Substrats verschieden ist, und Durchführen eines dritten Ätzprozesses an der Schicht aus isolierendem Material, so dass sich eine obere Fläche des isolierenden Materials unterhalb einer oberen Fläche des zweiten Teils des Grats befindet.