公开(公告)号：DE102014210406B4

公开(公告)日：2020-06-18

申请号：DE102014210406

申请日：2014-06-03

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： FLACHOWSKY STEFAN ,  ILLGEN RALF ,  ZSCHAETZSCH GERD

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren, das umfasst:Bereitstellen eines Substrats (101), das eine Substratbasis (102), eine erste Schicht (103) aus einem ersten Halbleitermaterial, die sich auf der Substratbasis (102) befindet und eine zweite Schicht (104) aus einem zweiten Halbleitermaterial, die sich auf der ersten Schicht (103) befindet, umfasst, wobei das erste Halbleitermaterial und das zweite Halbleitermaterial unterschiedliche Kristallgitterkonstanten haben;Bilden einer elektrisch isolierenden Struktur (205) mit einer ersten Öffnung (202) über dem Substrat;Implantieren (204) von Ionen eines Edelgases in einen Teil des Substrats (101) durch die erste Öffnung (202) der elektrisch isolierenden Struktur (205); undBilden einer Gateelektrode (404) eines ersten Transistors (107) in der ersten Öffnung (202) der elektrisch isolierenden Struktur (205),wobei die elektrisch isolierende Struktur (205) eine zweite Öffnung (201) hat, eine Gateelektrode (403) eines zweiten Transistors (106) in der zweiten Öffnung (201) der elektrisch isolierenden Struktur (205) gebildet wird, die zweite Öffnung (201) während der Implantation (204) der Ionen des Edelgases mit einer Maske (203) abgedeckt wird, eines von dem ersten Transistor (107) und dem zweiten Transistor (106) ein n-Kanal-Transistor ist und der andere von dem ersten Transistor (107) und dem zweiten Transistor (106) ein p-Kanal-Transistor ist.

公开(公告)号：DE102014210406A1

公开(公告)日：2014-12-11

申请号：DE102014210406

申请日：2014-06-03

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： FLACHOWSKY STEFAN ,  ILLGEN RALF ,  ZSCHAETZSCH GERD

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Eine Vorrichtung umfasst ein Substrat, einen p-Kanal-Transistor und einen n-Kanal-Transistor. Das Substrat umfasst eine erste Schicht aus einem ersten Halbleitermaterial und eine zweite Schicht aus einem zweiten Halbleitermaterial. Das erste und das zweite Halbleitermaterial haben unterschiedliche Kristallgitterkonstanten. Der p-Kanal-Transistor umfasst ein Kanalgebiet mit einer Druckspannung in einem ersten Teil des Substrats. Das Kanalgebiet des p-Kanal-Transistors umfasst einen Teil der ersten Schicht aus dem ersten Halbleitermaterial und einen Teil der zweiten Schicht aus dem zweiten Halbleitermaterial. Der n-Kanal-Transistor umfasst ein Kanalgebiet mit einer Zugspannung, das in einem zweiten Teil des Substrats gebildet ist. Das Kanalgebiet des n-Kanal-Transistors umfasst einen Teil der ersten Schicht aus dem ersten Halbleitermaterial und einen Teil der zweiten Schicht aus dem zweiten Halbleitermaterial. Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung werden ebenfalls angegeben.