公开(公告)号：EP1821091B1

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：EP06002983.2

申请日：2006-02-15

Applicant: Grundfos Management A/S

Inventor： Krog, Jens Peter ,  Eriksen, Gert Friis ,  Dyrbye, Karsten

IPC: G01L9/00

CPC classification number: G01L19/147 ,  G01L9/0042 ,  G01L19/146

公开(公告)号：EP1903321A1

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：EP06019996.5

申请日：2006-09-25

Applicant: Grundfos Management A/S

Inventor： Eriksen, Gert Friis

IPC: G01L19/06 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L9/0042 ,  H01L29/8605

Abstract: Das Halbleiterbauelement ist für einen Sensor, insbesondere für einen Druck- oder Differenzdrucksensor vorgesehen und besteht aus einem Halbleitersubstrat (1) in dem elektronische Bauelemente (3) ausgebildet und verschaltet sind. Das Halbleitersubstrat (1) ist mit einer elektrisch isolierenden Schicht und einer metallhaltigen amorphen Schutzschicht versehen. Die amorphe Schutzschicht (10) ist aus zwei metallhaltigen Schichten (8,9) unterschiedlicher chemischer Zusammensetzung gebildet, die nacheinander aufgedampft sind.

Abstract translation: 该组件具有由硅形成的半导体衬底（1），其中电子部件（3） 电阻器形成并互连。 由氧化硅制成的电隔离层由不同化学组成的两个含金属非晶保护层覆盖。 在非晶保护层中引起压应力，其中外侧保护层中的应力大于内侧保护层中的应力。 金属层被施加在隔离层和保护层之间的衬底的一侧上。

公开(公告)号：EP1903321B1

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：EP06019996.5

申请日：2006-09-25

Applicant: Grundfos Management a/s

Inventor： Eriksen, Gert Friis ,  de Reus, Roger ,  Christensen, Carsten

IPC: G01L19/06 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L9/0042 ,  H01L29/8605

公开(公告)号：EP1821091A1

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：EP06002983.2

申请日：2006-02-15

Applicant: Grundfos Management A/S

Inventor： Krog, Jens Peter ,  Eriksen, Gert Friis ,  Dyrbye, Karsten

IPC: G01L9/00

CPC classification number: G01L19/147 ,  G01L9/0042 ,  G01L19/146

Abstract: Das Verfahren dient zur Herstellung von elektronischen Bauelementen, insbesondere von elektronischen Sensoren zur Druck- und Differenzdruckmessung. Es wird zunächst auf einem Wafer die Halbleiterstruktur der elektronischen Bauelemente erzeugt. Danach wird eine isolierende Oxidschicht aufgebracht. Nachfolgend wird eine schützende Metallschicht (6) aufgebracht, wobei die Metallschicht (6) abschnittsweise nur in den Bereichen des Wafers aufgebracht wird, in denen später keine Teilung, beispielsweise durch mechanisches Trennen erfolgt. Die so im Wafer gebildeten elektronischen Bauelemente werden dann zu Einzelelementen zerteilt (Fig. 3).

Abstract translation: 该方法包括在晶片上制造电子部件的半导体结构，然后施加绝缘氧化膜（5）和保护金属层（6）。 晶片在形成的电子部件中消散，特别是传感器。 金属层以部分或仅在晶片的区域中施加，其中稍后不会发生晶片的耗散，或者在稍后发生晶片的耗散的区域中，并且金属层在 耗散。 还包括一个独立的权利要求，用于形成压力或差压传感器的电子部件，该压力或差压传感器通过由晶片分离形成并具有金属保护层。