Abstract:
Das Verfahren dient zur Herstellung von elektronischen Bauelementen, insbesondere von elektronischen Sensoren zur Druck- und Differenzdruckmessung. Es wird zunächst auf einem Wafer die Halbleiterstruktur der elektronischen Bauelemente erzeugt. Danach wird eine isolierende Oxidschicht aufgebracht. Nachfolgend wird eine schützende Metallschicht (6) aufgebracht, wobei die Metallschicht (6) abschnittsweise nur in den Bereichen des Wafers aufgebracht wird, in denen später keine Teilung, beispielsweise durch mechanisches Trennen erfolgt. Die so im Wafer gebildeten elektronischen Bauelemente werden dann zu Einzelelementen zerteilt (Fig. 3).
Abstract:
Die Anordnung dient zur Erfassung der Strömungsgeschwindigkeit in einer Leitung und weist eine in einem Leitungsabschnitt (1) angeordnete Obstruktion (8) auf sowie in Strömungsrichtung (6) dahinter und mit Abstand dazu angeordnet einen Sensor (10). Im Bereich von Sensor (10) und Obstruktion (8) ist eine Hülse (5) mit vorgebestimmtem Innenquerschnitt vorgesehen.