-
公开(公告)号:RU2756853C2
公开(公告)日:2021-10-06
申请号:RU2020103211
申请日:2018-04-10
Applicant: HAMAMATSU PHOTONICS KK
Inventor: MASUKO DAICHI , NISHIMURA HAJIME , HAMANA YASUMASA , WATANABE HIROYUKI
IPC: H01J43/24
Abstract: Изобретениеотноситсяк областиэлектротехники, аименнок электронномуумножителюсоструктурой, выполненнойс возможностьюподавленияи стабилизацииизменениязначениясопротивленияв болееширокомдиапазонетемператур. Стабилизацияполосовоготокав широкомдиапазонерабочейтемпературыявляетсятехническимрезультатомизобретения. Электронныйумножительвключаетслойсопротивления, проложенныймеждуподложкойи слоемэмиссиивторичныхэлектронови выполненныйс использованиемслоя Pt, двумерносформированногонаповерхностиформированияслоя, котораясовпадаетс илипосуществупараллельнаповерхностиформированияканалау подложки. Слойсопротивленияобладаеттемпературнойхарактеристикойв пределахдиапазона, вкоторомзначениесопротивленияпри -60°C кратно 10 илименее, азначениесопротивленияпри +60°C кратно 0,25 илиболеепоотношениюк значениюсопротивленияпритемпературе 20°C. 4 з.п. ф-лы, 12 ил.
-
公开(公告)号:RU2756843C2
公开(公告)日:2021-10-06
申请号:RU2020103415
申请日:2018-04-10
Applicant: HAMAMATSU PHOTONICS KK
Inventor: MASUKO DAICHI , HAMANA YASUMASA , NISHIMURA HAJIME , WATANABE HIROYUKI
IPC: H01J43/24
Abstract: Изобретениеотноситсяк областиэлектротехники, аименнок электронномуумножителюсоструктурой, выполненнойс возможностьюподавленияи стабилизацииизменениязначениясопротивленияв болееширокомдиапазонетемператур, чтоявляетсятехническимрезультатомизобретения. Вэлектронномумножителеслойсопротивления, проложенныймеждуподложкойи слоемэмиссиивторичныхэлектронов, выполненнымизизолирующегоматериала, сконфигурированс использованиемединственногослояметалла, вкотороммножествометаллическихчастиц, выполненныхизметаллическогоматериала, значениесопротивлениякоторогообладаетположительнойтемпературнойхарактеристикой, двумернорасположенов состояниисмежнодругс другомс помещенноймеждунимичастьюпервогоизолирующегоматериаланаповерхностиформированияслоя, котораясовпадаетс илипосуществупараллельнаповерхностиформированияканала. 8 з.п. ф-лы, 18 ил.
-
公开(公告)号:RU2756689C2
公开(公告)日:2021-10-04
申请号:RU2020103210
申请日:2018-04-10
Applicant: HAMAMATSU PHOTONICS KK
Inventor: MASUKO DAICHI , NISHIMURA HAJIME , HAMANA YASUMASA , WATANABE HIROYUKI
IPC: H01J43/24
Abstract: Изобретениеотноситсяк областиэлектротехники, аименнок электронномуумножителюсоструктурой, выполненнойс возможностьюподавленияи стабилизацииизменениязначениясопротивленияв болееширокомдиапазонетемператур. Подавлениеи стабилизацияизмененийзначенийсопротивленияв болееширокомдиапазонетемпературявляетсятехническимрезультатомизобретения, которыйдостигаетсязасчетвыполненияв электронномумножителеслоясопротивления, проложенногомеждуподложкойи слоемэмиссиивторичныхэлектронов. Слойвыполненизизолирующегоматериала, включающегослойметалла, вкотороммножествометаллическихчастицимеютзначениесопротивления, котороеобладаетположительнойтемпературнойхарактеристикой, приэтомслойрасположенсмежнос другим, спомещениеммеждунимичастипервогоизолирующегоматериаланаповерхностиформированияслоя, котораясовпадаетилипосуществупараллельнаповерхностиформированияканалау подложки, причемслойметаллаимееттолщину, заданнуюна 5-40 ангстрем. 6 з.п. ф-лы, 10 ил.
-
-