中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

15 records (took 0.024 seconds)

    ЭЛЕКТРОННЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ
    1.
    发明专利
    ЭЛЕКТРОННЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ 未知

    公开(公告)号：RU2756843C2

    公开(公告)日：2021-10-06

    申请号：RU2020103415

    申请日：2018-04-10

    Applicant: HAMAMATSU PHOTONICS KK

    Inventor： MASUKO DAICHI ,  HAMANA YASUMASA ,  NISHIMURA HAJIME ,  WATANABE HIROYUKI

    IPC: H01J43/24

    Abstract: Изобретениеотноситсяк областиэлектротехники, аименнок электронномуумножителюсоструктурой, выполненнойс возможностьюподавленияи стабилизацииизменениязначениясопротивленияв болееширокомдиапазонетемператур, чтоявляетсятехническимрезультатомизобретения. Вэлектронномумножителеслойсопротивления, проложенныймеждуподложкойи слоемэмиссиивторичныхэлектронов, выполненнымизизолирующегоматериала, сконфигурированс использованиемединственногослояметалла, вкотороммножествометаллическихчастиц, выполненныхизметаллическогоматериала, значениесопротивлениякоторогообладаетположительнойтемпературнойхарактеристикой, двумернорасположенов состояниисмежнодругс другомс помещенноймеждунимичастьюпервогоизолирующегоматериаланаповерхностиформированияслоя, котораясовпадаетс илипосуществупараллельнаповерхностиформированияканала. 8 з.п. ф-лы, 18 ил.

    ЭЛЕКТРОННЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ
    2.
    发明专利
    ЭЛЕКТРОННЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ 未知

    公开(公告)号：RU2756689C2

    公开(公告)日：2021-10-04

    申请号：RU2020103210

    申请日：2018-04-10

    Applicant: HAMAMATSU PHOTONICS KK

    Inventor： MASUKO DAICHI ,  NISHIMURA HAJIME ,  HAMANA YASUMASA ,  WATANABE HIROYUKI

    IPC: H01J43/24

    Abstract: Изобретениеотноситсяк областиэлектротехники, аименнок электронномуумножителюсоструктурой, выполненнойс возможностьюподавленияи стабилизацииизменениязначениясопротивленияв болееширокомдиапазонетемператур. Подавлениеи стабилизацияизмененийзначенийсопротивленияв болееширокомдиапазонетемпературявляетсятехническимрезультатомизобретения, которыйдостигаетсязасчетвыполненияв электронномумножителеслоясопротивления, проложенногомеждуподложкойи слоемэмиссиивторичныхэлектронов. Слойвыполненизизолирующегоматериала, включающегослойметалла, вкотороммножествометаллическихчастицимеютзначениесопротивления, котороеобладаетположительнойтемпературнойхарактеристикой, приэтомслойрасположенсмежнос другим, спомещениеммеждунимичастипервогоизолирующегоматериаланаповерхностиформированияслоя, котораясовпадаетилипосуществупараллельнаповерхностиформированияканалау подложки, причемслойметаллаимееттолщину, заданнуюна 5-40 ангстрем. 6 з.п. ф-лы, 10 ил.

    ЭЛЕКТРОННЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ
    3.
    发明专利
    ЭЛЕКТРОННЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ 未知

    公开(公告)号：RU2756853C2

    公开(公告)日：2021-10-06

    申请号：RU2020103211

    申请日：2018-04-10

    Applicant: HAMAMATSU PHOTONICS KK

    Inventor： MASUKO DAICHI ,  NISHIMURA HAJIME ,  HAMANA YASUMASA ,  WATANABE HIROYUKI

    IPC: H01J43/24

    Abstract: Изобретениеотноситсяк областиэлектротехники, аименнок электронномуумножителюсоструктурой, выполненнойс возможностьюподавленияи стабилизацииизменениязначениясопротивленияв болееширокомдиапазонетемператур. Стабилизацияполосовоготокав широкомдиапазонерабочейтемпературыявляетсятехническимрезультатомизобретения. Электронныйумножительвключаетслойсопротивления, проложенныймеждуподложкойи слоемэмиссиивторичныхэлектронови выполненныйс использованиемслоя Pt, двумерносформированногонаповерхностиформированияслоя, котораясовпадаетс илипосуществупараллельнаповерхностиформированияканалау подложки. Слойсопротивленияобладаеттемпературнойхарактеристикойв пределахдиапазона, вкоторомзначениесопротивленияпри -60°C кратно 10 илименее, азначениесопротивленияпри +60°C кратно 0,25 илиболеепоотношениюк значениюсопротивленияпритемпературе 20°C. 4 з.п. ф-лы, 12 ил.

    Micro-channel plate, method for manufacturing micro-channel plate, and image intensifier
    4.
    发明专利
    Micro-channel plate, method for manufacturing micro-channel plate, and image intensifier 未知

    公开(公告)号：GB2523270A

    公开(公告)日：2015-08-19

    申请号：GB201507341

    申请日：2013-07-11

    Applicant: HAMAMATSU PHOTONICS KK

    Inventor： NAKAMURA KIMITSUGU ,  HAMANA YASUMASA ,  NAGATA TAKAAKI

    IPC: H01J43/24 ,  H01J31/50

    Abstract: The present invention is characterized in that an electron emission film (36) formed on the inner wall surface of a channel (32) in a base body (31) and an ion barrier film (37) covering the opening on the side of the front surface (4a) of the base body in the channel are integrally formed in the same film-forming process in a micro-channel plate (4) for an image intensifier. Thereby, the electron emission film and the ion barrier film are continuously formed as a strong film so that the ion barrier film can be formed as a thin film. Further, the residue of an organic film that is formed in the manufacturing process is suppressed, and therefore it is possible to control a reduction in performance of the ion barrier film due to the residual organic film. Thus, the ion feedback from a micro-channel plate is minimized and the operating life of an image intensifier can be sufficiently improved.

    TRANSMISSION PHOTOCATHODE
    5.
    发明公开
    TRANSMISSION PHOTOCATHODE 审中-公开
    ÜBERTRAGUNGSPHOTOKATHODE

    公开(公告)号：EP3065159A4

    公开(公告)日：2017-06-28

    申请号：EP14858313

    申请日：2014-08-08

    Applicant: HAMAMATSU PHOTONICS KK

    Inventor： NAGATA TAKAAKI ,  HAMANA YASUMASA ,  NAKAMURA KIMITSUGU

    IPC: H01J1/34 ,  H01J1/32 ,  H01J40/06 ,  H01J43/08 ,  H01J43/10

    CPC classification number: H01J1/34 ,  H01J1/32 ,  H01J40/06 ,  H01J43/08 ,  H01J43/10

    Abstract: A transmission mode photocathode 2 comprises: an optically transparent substrate 4 having an outside face 4a to which light is incident, and an inside face 4b from which the light incident to the outside face 4a side is output; a photoelectric conversion layer 5 disposed on the inside face 4b side of the optically transparent substrate 4 and configured to convert the light output from the inside face 4b into a photoelectron or photoelectrons; and an optically-transparent electroconductive layer 6 comprising graphene, and disposed between the optically transparent substrate 4 and the photoelectric conversion layer 5.

    Abstract translation: 透射模式光电阴极2包括：光学透明基板4，其具有光入射到其的外侧面4a和从其射出入射到外侧面4a侧的光的内侧面4b; 设置在光学透明基板4的内表面4b侧并且被配置为将从内表面4b输出的光转换为光电子或光电子的光电转换层5; 和包含石墨烯的光学透明导电层6，并且设置在光学透明基板4和光电转换层5之间。

    Photocathode
    7.
    发明专利
    Photocathode 有权
    光刻胶

    公开(公告)号：JP2009301905A

    公开(公告)日：2009-12-24

    申请号：JP2008155777

    申请日：2008-06-13

    Applicant: Hamamatsu Photonics Kk ,  浜松ホトニクス株式会社

    Inventor： MATSUI TOSHIKAZU ,  HAMANA YASUMASA ,  NAKAMURA KOJI ,  ISHIGAMI YOSHIHIRO ,  OGURI DAIJIRO

    IPC: H01J1/34 ,  H01J40/06

    CPC classification number: H01J40/06 ,  H01J1/34 ,  H01J31/26

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photocathode which can make various characteristics improved.
    SOLUTION: In the photocathode 10, an intermediate layer 14, an underlying layer 16, and a photoelectron emitting layer 18 are formed in this order on a substrate 12. The photoelectron emitting layer 18 contains Sb and Bi, and is equipped with a function of emitting photoelectrons outside by incident light. In the photoelectron emitting layer 18, Bi of 32 mol% or less relative to Sb and Bi is contained.
    COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供可以改善各种特性的光电阴极。 解决方案：在光电阴极10中，中间层14，下层16和光电子发射层18依次形成在基板12上。光电子发射层18含有Sb和Bi，并且配备有 通过入射光在外部发射光电子的功能。 在光电子发射层18中，含有相对于Sb和Bi为32摩尔％以下的Bi。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

    Microchannel plate, method of manufacturing microchannel plate, and image intensifier
    8.
    发明专利
    Microchannel plate, method of manufacturing microchannel plate, and image intensifier 有权
    微通道板，制造微通道板的方法和图像增强器

    公开(公告)号：JP2014067545A

    公开(公告)日：2014-04-17

    申请号：JP2012211194

    申请日：2012-09-25

    Applicant: Hamamatsu Photonics Kk ,  浜松ホトニクス株式会社

    Inventor： NAKAMURA KOJI ,  HAMANA YASUMASA ,  NAGATA TAKAAKI

    IPC: H01J43/24 ,  H01J31/50

    CPC classification number: H01J43/28 ,  H01J9/125 ,  H01J31/507 ,  H01J43/246

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a michrochannel plate capable of enhancing the life characteristics by suppressing ion feedback, and to provide a method of manufacturing michrochannel plate, and an image intensifier.SOLUTION: A michrochannel plate 4 becomes a thin and strong film because an electron emission film 36 and an ion barrier film 37 are formed integrally on a substrate 31 by the same deposition step. Furthermore, ion feedback is suppressed by removing an organic film on the ion barrier film 37 until the ion barrier film 37 is exposed.

    Abstract translation: 要解决的问题：提供能够通过抑制离子反馈来提高寿命特性的复合通道板，并提供制造多孔介质板和图像增强器的方法。解决方案：多孔介质板4变成薄而强的膜，因为 电子发射膜36和离子阻挡膜37通过相同的沉积步骤一体地形成在基板31上。 此外，通过除去离子阻挡膜37上的有机膜直到暴露离子阻挡膜37来抑制离子反馈。

    Electron tube
    9.
    发明专利
    Electron tube 有权
    电子管

    公开(公告)号：JP2014053094A

    公开(公告)日：2014-03-20

    申请号：JP2012195215

    申请日：2012-09-05

    Applicant: Hamamatsu Photonics Kk ,  浜松ホトニクス株式会社

    Inventor： HAMANA YASUMASA ,  NAGATA TAKAAKI ,  NAKAMURA KOJI

    IPC: H01J5/08 ,  H01J29/88 ,  H01J31/50

    CPC classification number: H01J29/86 ,  C23C16/45525 ,  H01J5/08 ,  H01J5/10 ,  H01J29/88 ,  H01J31/50 ,  H01J40/18

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron tube capable of stably securing voltage-withstanding characteristics.SOLUTION: In an electron tube 1, by using an atomic layer deposition method, an electric resistance film 31 having a lamination structure of an electric insulation layer and a conductive layer or a mixed structure of an electrical insulation material and a conductive material is formed so as to cover a whole of an inner wall surface and an outer wall surface of a second envelope 12. By using the atom deposition method, the firm and dense electric resistance film 31 having a desired resistance value can be formed at an insulation surface without using a material such as a binding agent. By allowing the electric resistance film 31 to have slight conductivity, occurrence of withstanding voltage failure caused by charging of the insulation surface and such can be suppressed and stabilization of voltage-withstanding characteristics can be achieved.

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够稳定地确保耐电压特性的电子管。解决方案：在电子管1中，通过使用原子层沉积法，具有电绝缘层的层叠结构的电阻膜31和 形成电绝缘材料和导电材料的导电层或混合结构，以覆盖第二封壳12的内壁表面和外壁表面的整体。通过使用原子沉积方法， 可以在不使用粘合剂等材料的绝缘面上形成具有期望电阻值的致密电阻膜31。 通过使电阻膜31具有微小的导电性，可以抑制由绝缘表面的充电引起的耐受电压故障等的发生，并且可以实现耐压特性的稳定化。

Patent Agency Ranking