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    Halbleiter-Prüfverfahren und System für dieses
    1.
    发明专利
    Halbleiter-Prüfverfahren und System für dieses 未知

    公开(公告)号：DE112005000420B4

    公开(公告)日：2016-07-14

    申请号：DE112005000420

    申请日：2005-02-18

    Applicant: HITACHI HIGH-TECH SCIENCE CORP

    Inventor： OGAWA TAKASHI

    IPC: H01L21/66 ,  G01N23/225 ,  G01R31/02 ,  G01R31/28 ,  G01R31/307

    Abstract: Halbleiter-Prüfverfahren, bei dem sowohl der Zustand einer Probenoberfläche, die mit einem Elektronenstrahl oder einem positiv geladenen Ionenstrahl, um die Oberfläche zu laden, bestrahlt wird, als auch die Veränderung des Zustands in Form einer Kontrastumkehr mit einem REM oder einem fokussierten Ionenstrahl, sobald ein stark geladener Zustand mit einem positiv geladenen Ionenstrahl oder einem negativ geladenen Elektronenstrahl punktbestrahlt wird, mikroskopisch beobachtet und analysiert werden, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem punktbestrahlenden Ionenstrahl um einen intermittierenden Impuls mit einer vorbestimmten Ladungsmenge handelt, und die Ladungsmenge durch die Anzahl von Impulsen bestimmt wird.

    Defekt-Reparaturvorrichtung und -verfahren für EUV-Maske
    2.
    发明专利
    Defekt-Reparaturvorrichtung und -verfahren für EUV-Maske 未知

    公开(公告)号：DE102011008924B4

    公开(公告)日：2020-10-22

    申请号：DE102011008924

    申请日：2011-01-19

    Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

    Inventor： OGAWA TAKASHI ,  OBA HIROSHI ,  ARAMAKI FUMIO ,  YASAKA ANTO

    IPC: G03F1/74 ,  G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G03F1/72 ,  H01J27/26 ,  H01J37/317 ,  H01L21/027

    Abstract: Vorrichtung zur Reparatur einer EUV-Maske, die Defekte einer EUV-Maske unter Verwendung eines Ionenstrahls (2) repariert, aufweisend:eine Ionenquelle (12) vom Feldionisationstyp, die einen Wasserstoffionenstrahl erzeugt;ein ionenoptisches System (1), das den Wasserstoffionenstrahl auf die EUV-Maske fokussiert;einen Probentisch (8), auf dem die EUV-Maske angeordnet wird;einen Detektor (5), der von der EUV-Maske entstehende sekundäre Ladungsteilchen (4) detektiert;eine Abbildformeinheit (9), die auf Basis des Ausgangssignals des Detektors ein Beobachtungsbild der EUV-Maske bildet, welches auf einer Anzeigeeinrichtung (10) angezeigt wird;ein Ätzgasliefersystem (6), das ein Ätzgas zu der EUV-Maske liefert, wobei das Ätzgasliefersystem (6) das Ätzgas zu dem Defekt liefert und das ionenoptische System (1) den Wasserstoffionenstrahl auf die EUV-Maske fokussiert; undeine Wasserstoffgasversorgungsquelle (40), die Wasserstoffgas an die Ionenquelle (12) vom Feldionisationstyp liefert; undeine Reinigungsvorrichtung (41, 42), die zwischen der Ionenquelle vom Feldionisationstyp und der Wasserstoffgasversorgungsquelle (40) ausgebildet ist und das Wasserstoffgas reinigt.

    複合集束イオンビーム装置
    4.
    发明专利
    複合集束イオンビーム装置 有权
    复合变形离子束装置

    公开(公告)号：JP2015043343A

    公开(公告)日：2015-03-05

    申请号：JP2014244016

    申请日：2014-12-02

    Applicant: 株式会社日立ハイテクサイエンス ,  Hitachi High-Tech Science Corp

    Inventor： MINAFUJI TAKASHI ,  NAKAGAWA YOSHITOMO ,  TASHIRO JUNICHI ,  SUGIYAMA YASUHIKO ,  FUJII TOSHIAKI ,  AIDA KAZUO ,  OGAWA TAKASHI

    IPC: H01J37/317 ,  H01J27/16 ,  H01J27/26 ,  H01J37/20

    CPC classification number: H01J37/08 ,  G01N1/04 ,  G01N1/06 ,  H01J37/3005 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/31745

    Abstract: 【課題】シリコンウェハ等の試料を汚染することなく迅速に加工することができ、高分解能の観察や微細な加工が可能な複合集束イオンビーム装置それを用いた加工観察方法、加工方法を提供する。【解決手段】本発明は、第1のイオンを発生させるプラズマ型ガスイオン源を備えた第1のイオンビーム照射系10と、第2のイオンを発生させるガスフィールドイオン源を備えた第2のイオンビーム照射系20と、を有し、第2のイオンビーム照射系20から射出される第2のイオンビーム20Aのビーム径は、第1のイオンビーム照射系10から射出される第1のイオンビーム10Aのビーム径よりも小さい。【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种复合收敛离子束装置，其中可以迅速地进行处理而不污染诸如硅晶片的样品，并且可以进行高分辨率观察或精确加工，加工观察方法和采用 复合会聚离子束装置。解决方案：复合收敛离子束装置包括第一离子束辐射系统10，其包括用于产生第一离子的等离子体型气体离子源; 以及包括用于产生第二离子的气体场离子源的第二离子束辐射系统20。 从第二离子束辐射系统20发射的第二离子束20A的光束直径小于从第一离子束辐射系统10发射的第一离子束10A的光束直径。

    Composite converging ion beam device, and processing observation method and processing method using the same
    5.
    发明专利
    Composite converging ion beam device, and processing observation method and processing method using the same 有权
    复合聚合离子束装置，以及加工观察方法和使用该方法的处理方法

    公开(公告)号：JP2013211280A

    公开(公告)日：2013-10-10

    申请号：JP2013123876

    申请日：2013-06-12

    Applicant: Hitachi High-Tech Science Corp ,  株式会社日立ハイテクサイエンス

    Inventor： MINAFUJI TAKASHI ,  TASHIRO JUNICHI ,  SUGIYAMA YASUHIKO ,  IWASAKI KOJI ,  FUJII TOSHIAKI ,  AIDA KAZUO ,  OGAWA TAKASHI

    IPC: H01J37/317 ,  H01J27/26

    CPC classification number: H01J37/3056 ,  G01N1/286 ,  G01N1/32 ,  G03F1/74 ,  G03F1/84 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3005 ,  H01J2237/0805 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/31745

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composite converging ion beam device capable of performing an observation of high resolution and fine processing, and a processing observation method and a processing method using the same.SOLUTION: A composite converging ion beam device includes a first ion beam irradiation system (10) including a liquid metal ion source generating first ions, and a second ion beam irradiation system (20) including a gas field ion source generating second ions. A second ion beam (20A) emitted by the second ion beam irradiation system (20) has a smaller beam diameter than that of a first ion beam (10A) emitted by the first ion beam irradiation system (10). The second ion beam irradiation system (20) including the gas field ion source can reduce the beam diameter to 1 nm or less, and so an observation of high resolution can be made.

    Abstract translation: 要解决的问题：提供能够进行高分辨率和精细加工的观察的复合会聚离子束装置，以及使用其的处理观察方法和处理方法。解决方案：复合会聚离子束装置包括第一离子 包括产生第一离子的液态金属离子源的射束照射系统（10）和包括产生第二离子的气体场离子源的第二离子束照射系统（20）。 由第二离子束照射系统（20）发射的第二离子束（20A）的光束直径小于由第一离子束照射系统（10）发射的第一离子束（10A）的光束直径。 包括气体离子源的第二离子束照射系统（20）可以将光束直径减小到1nm以下，能够进行高分辨率的观察。

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