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公开(公告)号：CN1791986A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200480013285.7
申请日：2004-04-23
Applicant: HOYA株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/025 , H01S5/3018 , H01S5/3027 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供一种发光二极管，不产生由掺杂物引起的晶体的畸变、缺陷，发光效率高、没有不必要的波长的发光，并能大范围地选择发光波长。将不添加掺杂物的双极性半导体作为发光层，并使作为电子注入用电极的n电极和作为空穴注入用电极的p电极与其接合而制作发光二极管。
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公开(公告)号：CN1910763A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580003074.X
申请日：2005-01-20
Applicant: HOYA株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/08 , H01L2924/0002 , Y10T428/256 , H01L2924/00
Abstract: 不用外延生长方法而得到具有实用的发光特性的发光元件。本发明的量子点分散发光元件具有基板(11)、电子注入用电极(12)、空穴注入用电极(14)和配置成与上述两电极接触的无机发光层(13)；其是如下所述构成的：上述无机发光层(13)含有双极性无机半导体材料和作为发光中心而分散于上述双极性无机半导体材料中的纳米晶体(15)，并且在与上述电子注入用电极层或空穴注入用电极层的界面上与这些电极层不具有外延关系；从而该量子点分散发光元件能够发光。
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公开(公告)号：CN1698135A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000319.9
申请日：2004-04-23
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: H01L31/0224 , C04B35/547 , H01L21/44 , H01L29/22 , H01L29/45 , H01L31/022408 , H01L31/022425 , H01L31/0682 , H01L33/28 , H01L33/40 , H01L2924/0002 , Y02E10/547 , H01L2924/00
Abstract: 作为在II～VI族化合物半导体中形成p型欧姆接触电极的技术，提供了一种用于形成低电阻、稳定、无毒且产率优异的电极的材料，从而提供了一种优异的半导体元件。该半导体元件具有由组成式AXBYCZ表示的材料的形式(A：选自IB族金属元素的至少一种元素，B：选自VIII族金属元素的至少一种元素，C：选自S和Se的至少一种元素)，其中X、Y和Z满足X+Y+Z＝1，0.20≤X≤0.35，0.17≤Y≤0.30，且0.45≤Z≤0.55。
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公开(公告)号：CN100390940C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200480000319.9
申请日：2004-04-23
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: H01L31/0224 , C04B35/547 , H01L21/44 , H01L29/22 , H01L29/45 , H01L31/022408 , H01L31/022425 , H01L31/0682 , H01L33/28 , H01L33/40 , H01L2924/0002 , Y02E10/547 , H01L2924/00
Abstract: 作为在Ⅱ～Ⅵ族化合物半导体中形成p型欧姆接触电极的技术，提供了一种用于形成低电阻、稳定、无毒且产率优异的电极的材料，从而提供了一种优异的半导体元件。该半导体元件具有由组成式AXBYCZ表示的材料的形式(A：选自IB族金属元素的至少一种元素，B：选自Ⅷ族金属元素的至少一种元素，C：选自S和Se的至少一种元素)，其中X、Y和Z满足X+Y+Z＝1，0.20≤X≤0.35，0.17≤Y≤0.30，且0.45≤Z≤0.55。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1639881A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03805476.0
申请日：2003-02-18
Applicant: HOYA株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0041 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管类型发光器件，该器件能够获得长期使用的可靠性，并且使光发射波长的选择性变宽。该申请的发明是一种场效应晶体管类型发光器件，该器件具有电子注入电极(即源极)、空穴注入电极(即漏极)、设置在源极和漏极之间以便与这两个电极接触的发射有源部件、以及场应用电极(即栅极)，所述栅极用于在发射有源部件中感生电子和空穴，其经由绝缘部件或者绝缘间隙设置在发射有源部件附近。所述发射有源部件由既具有电子转移特性又具有空穴转移特性的无机半导体材料制成。
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公开(公告)号：CN100485977C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200480013285.7
申请日：2004-04-23
Applicant: HOYA株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/025 , H01S5/3018 , H01S5/3027 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供一种发光二极管，不产生由掺杂物引起的晶体的畸变、缺陷，发光效率高、没有不必要的波长的发光，并能大范围地选择发光波长。将不添加掺杂物的双极性半导体作为发光层，并使作为电子注入用电极的n电极和作为空穴注入用电极的p电极与其接合而制作发光二极管。
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公开(公告)号：CN100382338C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN03805476.0
申请日：2003-02-18
Applicant: HOYA株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0041 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管类型发光器件，该器件能够获得长期使用的可靠性，并且使光发射波长的选择性变宽。该申请的发明是一种场效应晶体管类型发光器件，该器件具有电子注入电极(即源极)、空穴注入电极(即漏极)、设置在源极和漏极之间以便与这两个电极接触的发射有源部件、以及场应用电极(即栅极)，所述栅极用于在发射有源部件中感生电子和空穴，其经由绝缘部件或者绝缘间隙设置在发射有源部件附近。所述发射有源部件由既具有电子转移特性又具有空穴转移特性的无机半导体材料制成。
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公开(公告)号：CN100401543C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200580004088.3
申请日：2005-02-03
Applicant: HOYA株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/28 , H01L31/0296 , H01L33/285 , H01S5/0425
Abstract: 本发明提供了一种容易与金属材料进行欧姆接触的、低电阻的p型ZnS系半导体材料。本发明还提供了一种在玻璃基板等的单晶基板以外的基板上具有低电阻的电极的半导体元件或半导体发光元件。本发明的半导体材料作为发光元件的空穴注入用电极层使用，其结构式为Zn(1-α-β-γ)CuαMgβCdγS(1-x-y)SexTey(0.004≤α≤0.4，β≤0.2，γ≤0.2，0≤x≤1，0≤y≤0.2，x+y≤1)，在可见区域具有透光性。
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公开(公告)号：CN1918716A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200580004088.3
申请日：2005-02-03
Applicant: HOYA株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/28 , H01L31/0296 , H01L33/285 , H01S5/0425
Abstract: 本发明提供了一种容易与金属材料进行欧姆接触的、低电阻的p型ZnS系半导体材料。本发明还提供了一种在玻璃基板等的单晶基板以外的基板上具有低电阻的电极的半导体元件或半导体发光元件。本发明的半导体材料作为发光元件的空穴注入用电极层使用，其结构式为Zn(1－α－β－γ)CuαMgβCdγS(1－x－y)SexTey(0.004≤α≤0.4，β≤0.2，γ≤0.2，0≤x≤1，0≤y≤0.2，x+y≤1)，在可见区域具有透光性。
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