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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1910763A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580003074.X
申请日：2005-01-20
Applicant: HOYA株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/08 , H01L2924/0002 , Y10T428/256 , H01L2924/00
Abstract: 不用外延生长方法而得到具有实用的发光特性的发光元件。本发明的量子点分散发光元件具有基板(11)、电子注入用电极(12)、空穴注入用电极(14)和配置成与上述两电极接触的无机发光层(13)；其是如下所述构成的：上述无机发光层(13)含有双极性无机半导体材料和作为发光中心而分散于上述双极性无机半导体材料中的纳米晶体(15)，并且在与上述电子注入用电极层或空穴注入用电极层的界面上与这些电极层不具有外延关系；从而该量子点分散发光元件能够发光。
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公开(公告)号：CN100382338C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN03805476.0
申请日：2003-02-18
Applicant: HOYA株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0041 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管类型发光器件，该器件能够获得长期使用的可靠性，并且使光发射波长的选择性变宽。该申请的发明是一种场效应晶体管类型发光器件，该器件具有电子注入电极(即源极)、空穴注入电极(即漏极)、设置在源极和漏极之间以便与这两个电极接触的发射有源部件、以及场应用电极(即栅极)，所述栅极用于在发射有源部件中感生电子和空穴，其经由绝缘部件或者绝缘间隙设置在发射有源部件附近。所述发射有源部件由既具有电子转移特性又具有空穴转移特性的无机半导体材料制成。
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公开(公告)号：CN100477134C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200580041287.1
申请日：2005-10-21
Applicant: HOYA株式会社
IPC: H01L21/368 , H01L29/06 , H01L33/00
CPC classification number: B05B7/0012 , B05B5/025 , B05B5/087 , B05D1/06 , B05D3/0493 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种微粒子沉积装置及微粒子沉积方法。目的是提供一种无杂质混入(均质)地仅沉积所希望尺寸的微粒子的微粒子沉积物。微粒子在溶剂中分散形成的溶液以微细液滴流从毛细管前端喷出，且使被喷出的微细液滴带电。该液滴流通过喷嘴导入减压室内成为自由喷流。将在减压室内行进的自由喷流，通过设置在维持高真空的成膜室的分离器喷嘴导入到内部成为带电微粒子流。接着，通过能量分离装置，仅选择带电微粒子流中的微粒子里具有特定能量的微粒子，并沉积到设置在内部的被沉积体上。
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公开(公告)号：CN101069275A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200580041287.1
申请日：2005-10-21
Applicant: HOYA株式会社
IPC: H01L21/368 , H01L29/06 , H01L33/00
CPC classification number: B05B7/0012 , B05B5/025 , B05B5/087 , B05D1/06 , B05D3/0493 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种微粒子沉积装置及微粒子沉积方法。目的是提供一种无杂质混入(均质)地仅沉积所希望尺寸的微粒子的微粒子沉积物。微粒子在溶剂中分散形成的溶液以微细液滴流从毛细管前端喷出，且使被喷出的微细液滴带电。该液滴流通过喷嘴导入减压室内成为自由喷流。将在减压室内行进的自由喷流，通过设置在维持高真空的成膜室的分离器喷嘴导入到内部成为带电微粒子流。接着，通过能量分离装置，仅选择带电微粒子流中的微粒子里具有特定能量的微粒子，并沉积到设置在内部的被沉积体上。
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公开(公告)号：CN1639881A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03805476.0
申请日：2003-02-18
Applicant: HOYA株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0041 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管类型发光器件，该器件能够获得长期使用的可靠性，并且使光发射波长的选择性变宽。该申请的发明是一种场效应晶体管类型发光器件，该器件具有电子注入电极(即源极)、空穴注入电极(即漏极)、设置在源极和漏极之间以便与这两个电极接触的发射有源部件、以及场应用电极(即栅极)，所述栅极用于在发射有源部件中感生电子和空穴，其经由绝缘部件或者绝缘间隙设置在发射有源部件附近。所述发射有源部件由既具有电子转移特性又具有空穴转移特性的无机半导体材料制成。
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