公开(公告)号：CN113767332A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202080031051.4

申请日：2020-06-18

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 中川真德 ,  笑喜勉

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54

Abstract: 本发明提供用于制造能够在包含氢气的气体氛围中进行了EUV曝光的情况下抑制吸收体图案剥离的反射型掩模的反射型掩模坯料。所述反射型掩模坯料具备基板、基板上的多层反射膜、以及多层反射膜上的吸收体膜，上述吸收体膜包含吸收层及反射率调整层，上述吸收层含有钽(Ta)、硼(B)及氮(N)，并且含有选自氢(H)及氘(D)中的至少1种添加元素，上述吸收层的上述硼(B)的含量超过5原子％，上述吸收层的上述添加元素的含量为0.1原子％以上且30原子％以下。

公开(公告)号：CN113767332B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202080031051.4

申请日：2020-06-18

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 中川真德 ,  笑喜勉

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54

Abstract: 本发明提供用于制造能够在包含氢气的气体氛围中进行了EUV曝光的情况下抑制吸收体图案剥离的反射型掩模的反射型掩模坯料。所述反射型掩模坯料具备基板、基板上的多层反射膜、以及多层反射膜上的吸收体膜，上述吸收体膜包含吸收层及反射率调整层，上述吸收层含有钽(Ta)、硼(B)及氮(N)，并且含有选自氢(H)及氘(D)中的至少1种添加元素，上述吸收层的上述硼(B)的含量超过5原子％，上述吸收层的上述添加元素的含量为0.1原子％以上且30原子％以下。