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公开(公告)号：CN102959626B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201180030381.2
申请日：2011-09-30
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G11B5/84 , B24D7/18 , C03B33/023
CPC classification number: G11B5/8404 , B24B27/0641 , B24D7/18 , B28D1/041
Abstract: 本发明提供一种磁盘用玻璃基板的制造方法，在用多个板状玻璃被层压而成的层压体制造磁盘用玻璃基板时，从处理时间的角度看不仅保持通过层压的加工的优点，而且还能将磁盘用玻璃基板内孔的正圆度提高到所要求的水准，在层压体准备工序中，准备多个板状玻璃被层压的层压体（5），在研削工序中，通过使大直径的圆筒状的外周研削砂轮和小直径的圆筒状的内周研削砂轮配置在同轴上的一体型空心钻（20）以轴为中心边旋转边向所述层压体（5）的层压方向移动，由此将所述层压体（5）研削加工成圆筒状，此时，所述内周研削砂轮的粒度号比所述外周研削砂轮的粒度号大。
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公开(公告)号：CN105009213A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480009941.X
申请日：2014-02-28
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G11B5/73
CPC classification number: G11B5/82 , G11B5/73 , G11B5/7315 , G11B5/8404
Abstract: 本发明的磁盘用玻璃基板在中心具有圆孔，并具有一对主表面和端面，所述端面具有侧壁面、和介于所述侧壁面与所述主表面之间的倒角面，外周侧的端面的正圆度为1.5μm以下，分别取得在外周侧的侧壁面上的沿板厚方向相距200μm的两点位置处的圆周方向的轮廓线，设根据这些轮廓线分别求出的两个最小二乘圆的中心间的中点为中点A，在外周侧的两个倒角面上的板厚方向长度的中心的位置分别取得圆周方向的轮廓线，在根据这些轮廓线求出的最小二乘圆的中心中，设根据一个倒角面求出的中心为中心B，设根据另一个倒角面求出的中心为中心C时，中点A和中心B间的距离与中点A和中心C间的距离的合计为1μm以下。
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公开(公告)号：CN105009212A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480009236.X
申请日：2014-02-24
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G11B5/73
CPC classification number: G11B5/82 , G11B5/7315 , G11B5/8404
Abstract: 本发明提供能够改善磁盘在高速旋转时的颤振的磁盘用玻璃基板及磁盘。本发明的一个方式的磁盘用玻璃基板在中心具有圆孔，并具有一对主表面和与所述主表面垂直的侧壁面，其特征在于，所述圆孔的正圆度为1.5μm以下，根据在所述圆孔的侧壁面上的沿板厚方向相距200μm间隔的3点位置处的圆周方向的轮廓线分别求出的3个内切圆的半径的最大值与最小值之差为3.5μm以下。
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公开(公告)号：CN104603875A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380044545.6
申请日：2013-09-30
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: G11B5/7315 , G11B5/73 , G11B5/82
Abstract: 本发明的磁盘用玻璃基板是在中心形成有圆孔且具有一对主表面和外周端面及内周端面的环型的磁盘用玻璃基板，所述外周端面及所述内周端面分别由侧壁面和在主表面与侧壁面之间形成的倒角面构成，该磁盘用玻璃基板的特征在于，在外周端面上，以所述玻璃基板的中心为基准沿着周向每隔30度设置测量点，求出所述侧壁面与所述倒角面之间的部分的形状在所述测量点处的曲率半径，此时，相邻的测量点之间的所述曲率半径之差在0.01mm以下。
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公开(公告)号：CN110450009B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201910698525.X
申请日：2015-12-29
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供基板的制造方法、基板端面的加工装置、基板端面的加工方法和磨削用磨石，该方法能够高品质地抛光圆板状基板的端面，能够进行稳定的磨削加工。本发明中，使磨削液与圆板状基板的端面部分接触，使磨石与其外周侧端面接触并相对移动，对基板端面进行磨削加工。上述磨石形成为圆筒状，并且在其内周侧具有两个以上并列的槽形状，该两个以上的槽形状包括粗磨削加工用的槽和精密磨削加工用的槽。上述磨石具有抑制利用粗磨削加工用的槽进行磨削加工时产生的磨削屑移动至精密磨削加工用的槽中的单元。并且，使基板的外周侧端面依次与上述磨石的粗磨削加工用的槽和精密磨削加工用的槽接触，对基板的外周侧端面进行磨削加工。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108847256B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201810659065.5
申请日：2014-02-24
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G11B5/73
Abstract: 圆环状基板、磁盘用基板及其制造方法、磁盘及其制造方法。本发明提供能够改善磁盘在高速旋转时的颤振的磁盘用玻璃基板及磁盘。本发明的一个方式的磁盘用玻璃基板在中心具有圆孔，并具有一对主表面和与所述主表面垂直的侧壁面，其特征在于，所述圆孔的正圆度为1.5μm以下，根据在所述圆孔的侧壁面上的沿板厚方向相距200μm间隔的3点位置处的圆周方向的轮廓线分别求出的3个内切圆的半径的最大值与最小值之差为3.5μm以下。
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公开(公告)号：CN108847257A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810648377.6
申请日：2014-02-28
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G11B5/84
Abstract: 圆环状基板、磁盘用基板及其制造方法、磁盘及其制造方法。圆环状基板在中心具有圆孔，并具有一对主表面和端面，端面具有侧壁面、和介于侧壁面与主表面之间的倒角面，外周侧的端面的正圆度为1.5μm以下，分别取得在外周侧的侧壁面上的沿板厚方向相距200μm的两点位置处的圆周方向的轮廓线，设根据这些轮廓线分别求出的两个最小二乘圆的中心间的中点为中点A，在外周侧的两个倒角面上的板厚方向长度的中心的位置分别取得圆周方向的轮廓线，在根据这些轮廓线求出的最小二乘圆的中心中，设根据一个倒角面求出的中心为中心B，设根据另一个倒角面求出的中心为中心C时，中点A和中心B间的距离与中点A和中心C间的距离的合计为1μm以下。
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公开(公告)号：CN108847257B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201810648377.6
申请日：2014-02-28
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G11B5/84
Abstract: 圆环状基板、磁盘用基板及其制造方法、磁盘及其制造方法。圆环状基板在中心具有圆孔，并具有一对主表面和端面，端面具有侧壁面、和介于侧壁面与主表面之间的倒角面，外周侧的端面的正圆度为1.5μm以下，分别取得在外周侧的侧壁面上的沿板厚方向相距200μm的两点位置处的圆周方向的轮廓线，设根据这些轮廓线分别求出的两个最小二乘圆的中心间的中点为中点A，在外周侧的两个倒角面上的板厚方向长度的中心的位置分别取得圆周方向的轮廓线，在根据这些轮廓线求出的最小二乘圆的中心中，设根据一个倒角面求出的中心为中心B，设根据另一个倒角面求出的中心为中心C时，中点A和中心B间的距离与中点A和中心C间的距离的合计为1μm以下。
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公开(公告)号：CN106030710B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201580010429.1
申请日：2015-03-31
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G11B5/84
Abstract: 在进行磁盘用基板的端面研磨处理之前，预先取得研磨磨粒的粒径相对于磁性颗粒的粒径的粒径比、与利用具有该粒径比的磁性颗粒和研磨磨粒的磁功能性流体对基板的端面进行研磨时基板的倒角面相对于基板的侧壁面的研磨速率之比的关系，根据作为上述端面研磨处理的对象的基板的侧壁面与倒角面的目标研磨速率之比，设定上述粒径比的值，制作具有成为所设定的粒径比的值的磁性颗粒和研磨磨粒的磁功能性流体。在上述端面研磨处理中，使作为上述端面研磨处理的对象的基板的端面在与通过磁产生单元形成的上述磁功能性流体的块接触的状态下相对移动，从而对基板的端面进行研磨。
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公开(公告)号：CN105009213B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201480009941.X
申请日：2014-02-28
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G11B5/73
CPC classification number: G11B5/82 , G11B5/73 , G11B5/7315 , G11B5/8404
Abstract: 本发明的磁盘用玻璃基板在中心具有圆孔，并具有一对主表面和端面，所述端面具有侧壁面、和介于所述侧壁面与所述主表面之间的倒角面，外周侧的端面的正圆度为1.5μm以下，分别取得在外周侧的侧壁面上的沿板厚方向相距200μm的两点位置处的圆周方向的轮廓线，设根据这些轮廓线分别求出的两个最小二乘圆的中心间的中点为中点A，在外周侧的两个倒角面上的板厚方向长度的中心的位置分别取得圆周方向的轮廓线，在根据这些轮廓线求出的最小二乘圆的中心中，设根据一个倒角面求出的中心为中心B，设根据另一个倒角面求出的中心为中心C时，中点A和中心B间的距离与中点A和中心C间的距离的合计为1μm以下。
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