公开(公告)号：KR20100081937A

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：KR20100000415

申请日：2010-01-05

Applicant: HOYA CORP

Inventor： AIZAWA TAKASHI

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/68 ,  G03F1/80

CPC classification number: G03F1/76 ,  G03F1/54 ,  G03F1/80 ,  G03F7/0382

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a photo-mask, a method for transferring a pattern, an apparatus for processing a photo-mask substrate, and a method for pattering a thin film are provided to transfer a photo-mask pattern by eliminating the effect of an exposure process which is generated by unnecessary energy applied to a resist. CONSTITUTION: A thin film(2) and a resist film(3) are formed on a substrate in order to form a photo-mask blank. A transferring pattern(4) is patterned on the resist film of the photo-mask blank. A surface treatment is implemented on the surface of the resist film by contacting with an oxide. A resist pattern(3a) is formed by developing the resist film. The thin film is etched using the resist pattern as a mask.

Abstract translation: 目的：制造光掩模的方法，转印图案的方法，用于处理光掩模基板的装置和用于图案化薄膜的方法，以通过消除光掩模图案的影响来转移光掩模图案 由不必要的能量施加到抗蚀剂产生的曝光过程。 构成：在基板上形成薄膜（2）和抗蚀剂膜（3），以形成光掩模坯料。 在光掩模板的抗蚀膜上形成转印图案（4）。 通过与氧化物接触，在抗蚀剂膜的表面上进行表面处理。 通过显影抗蚀剂膜形成抗蚀剂图案（3a）。 使用抗蚀剂图案作为掩模蚀刻薄膜。