公开(公告)号：KR20180070530A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：KR20180066810

申请日：2018-06-11

Applicant: HOYA CORP ,  HOYA ELECTRONICS MALAYSIA SENDIRIAN BERHAD

Inventor： TSUBOI SEIJI ,  SAKAYA NORIYUKI

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/00 ,  G03F7/00 ,  H01L21/033

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/0046 ,  G03F7/001 ,  H01L21/0337

Abstract: 위상시프트막을, 웨트에칭에의해, 위상시프트효과를충분히발휘할수 있는단면형상으로패터닝가능한위상시프트마스크블랭크및 그제조방법과위상시프트효과를충분히발휘할수 있는위상시프트막패턴을갖는위상시프트마스크의제조방법을제공한다. 위상시프트마스크블랭크(1)는, 투명기판(2) 상에금속과, 규소와, 산소및/또는질소를함유하는위상시프트막(3)이형성된구성을갖는다. 위상시프트막(3)은, 동일재료로이루어지는메인층(3a)과최표면층(3b)을갖는다. 최표면층(3b)측의메인층상부의파장 365㎚에있어서의굴절률은, 투명기판(2)측의메인층하부의파장 365㎚에있어서의굴절률보다도작다.

公开(公告)号：JP2014145920A

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：JP2013014503

申请日：2013-01-29

Applicant: Hoya Corp ,  Hoya株式会社

Inventor： KOMINATO ATSUSHI ,  SAKAYA NORIYUKI

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/58 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mask blank capable of abating the electromagnetic field (EMF) bias without suppressing the phase difference of a thin film and a mask for transfer obtained by processing this thin film.SOLUTION: In a mask blank 1 including a translucent substrate 11 and a thin film 21 configured atop the translucent substrate 11, the thin film 21 possesses, in proper order from the translucent substrate 11 side, a lower layer 13a and an upper layer 13b possessing an interface S bordering the lower layer 13a and configured adjacently to the lower layer 13a. The lower layer 13a includes not only a transition metal and silicon but also at least either of nitrogen and oxygen, whereas variations of contents of the respective elements included within the lower layer 13a along the film thickness direction thereof are 10 atom% or below. The refractive index nb of the upper layer 13b is lower than the refractive index na of the lower layer 13a, whereas the extinction coefficient kb of the same is lower than the extinction coefficient ka of the lower layer 13a.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够抑制电磁场（EMF）偏压而不抑制薄膜的相位差的掩模板和通过处理该薄膜获得的转印掩模。解决方案：在包括 半透明基板11和配置在透光性基板11的上方的薄膜21，薄膜21从透光性基板11侧顺次具有下层13a和上层13b，上层13a和下层13b具有与下层13a和 配置成与下层13a相邻。 下层13a不仅包括过渡金属和硅，而且还包括氮和氧中的至少一种，而沿着膜厚度方向包含在下层13a内的各元素的含量变化为10原子％以下。 上层13b的折射率nb低于下层13a的折射率na，而其消光系数kb低于下层13a的消光系数ka。

公开(公告)号：JP2015040969A

公开(公告)日：2015-03-02

申请号：JP2013171654

申请日：2013-08-21

Applicant: Hoya株式会社 ,  Hoya Corp ,  Hoya株式会社

Inventor： SAKAYA NORIYUKI ,  NOZAWA JUN

IPC: G03F1/44 ,  G03F1/54 ,  G03F1/84 ,  H01L21/027 ,  H01L21/318

Abstract: 【課題】スパッタリング法で成膜された薄膜の状態を正確に管理し、品質の安定したマスクブランクの製造方法を提供する。【解決手段】枚葉式スパッタリング装置を用いてスパッタリング法で、基板上に転写パターンを形成するための薄膜を形成してマスクブランクを製造する。上記スパッタリング装置内で基板上に前記薄膜を成膜した後、そのスパッタリング装置内で成膜直後の前記薄膜の光学特性値および基板温度を測定する。その測定結果を基に、成膜した薄膜の光学特性を評価する。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种通过精确控制通过溅射法沉积的薄膜的状态来稳定掩模坯料的质量的方法。解决方案：用于形成转印图案的薄膜是 通过使用单片式溅射装置和溅射法沉积在基板上以制造掩模板。 在单片式溅射装置中将薄膜沉积在基板上之后，在单片式溅射装置中测量刚刚沉积后的薄膜的光学特性值和基板的温度。 基于测量结果评价沉积的薄膜的光学特性值。

公开(公告)号：JP2013076989A

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：JP2012186141

申请日：2012-08-27

Applicant: Hoya Corp ,  Hoya株式会社

Inventor： SAKAYA NORIYUKI ,  NOZAWA JUN

IPC: G03F1/58 ,  G03F1/50

CPC classification number: G03F1/26 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G03F1/28 ,  G03F1/58 ,  G03F7/20

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mask blank and a transfer mask having a light-shielding film with a reduced EMF (electromagnetic field) bias, which greatly reduces various loads relating to the production of a transfer mask, and suppressing exposure of a resist film on a wafer by leaked light due to overlap exposure.SOLUTION: The mask blank is to be used for creating a binary mask to which ArF excimer laser exposure light is applied, and includes a light-shielding film for forming a transfer pattern on a light-transmitting substrate. The light-shielding film has a layered structure of a lower layer and an upper layer and has an optical density of 2.8 or more to exposure light. The lower layer is formed of a material comprising tantalum containing nitrogen and has a film thickness of 33 nm or more. The upper layer is formed of a material comprising tantalum containing oxygen and has a film thickness of 3 nm or more. A phase difference between exposure light transmitted through the light-shielding film and exposure light transmitted through air in a distance equal to the film thickness of the light-shielding film is 60 degrees or less.

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有减小的EMF（电磁场）偏压的具有遮光膜的掩模坯料和转印掩模，这大大降低了与生产转印掩模有关的各种负载，并抑制曝光 通过由于重叠曝光而被泄漏的光在晶片上的抗蚀剂膜。 解决方案：掩模板用于创建施加ArF准分子激光曝光光的二进制掩模，并且包括用于在透光基板上形成转印图案的遮光膜。 遮光膜具有下层和上层的分层结构，并且对于曝光光具有2.8或更大的光密度。 下层由含有氮的钽的材料形成，膜厚为33nm以上。 上层由包含含氧钽的材料形成，膜厚度为3nm以上。 透过遮光膜的曝光光与透过空气的曝光光的距离等于遮光膜的膜厚的相位差为60度以下。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT