Abstract:
A submicron MOSFET is fabricated on an ultrathin layer (16) with a generally intrinsic channel (14) having a dopant concentration less than about 10 cm . The channel (14) thickness is preferably not greater than about 0.2 micron; the ratio of channel thickness to length is less than about 1:4, and preferably not greater than about 1:2. Punchthrough and other short-channel effects are inhibited by the application of an appropriate backgate voltage, which may also be varied to adjust the voltage threshold.
Abstract translation:亚微米MOSFET在具有掺杂剂浓度小于约10 16 cm -3的通常本征通道(14)的超薄层(16)上制造。 通道(14)的厚度优选不大于约0.2微米; 通道厚度与长度之比小于约1:4,优选不大于约1:2。 通过施加适当的背栅电压来抑制Punchthrough和其它短通道效应,该背栅电压也可以改变以调节电压阈值。
Abstract:
Le transistor à effet de champ MOS décrit, de grandeur inférieure au micron, est fabriqué sur une couche ultrafine (16) avec un canal généralement intrinsèque (14) ayant une concentration de dopant inférieure à environ 1016cm-3. L'épaisseur du canal (14) est de préférence inférieure ou égale à environ 0,2 micron. Le rapport entre l'épaisseur et la longueur du canal est inférieur à environ 1/4 et de préférence inférieur ou égal à environ 1/2. Les effets de tension de perçage et les effets produits par la longueur réduite du canal sont évités grâce à l'application d'une tension de gâchette arrière appropriée, qu'on peut également faire varier pour régler le seuil de tension.