公开(公告)号：WO1990006595A1

公开(公告)日：1990-06-14

申请号：PCT/US1989005327

申请日：1989-11-27

Applicant: HUGHES AIRCRAFT COMPANY

Inventor： HUGHES AIRCRAFT COMPANY ,  TERRILL, Kyle, W. ,  VASUDEV, Prahalad, K.

IPC: H01L29/784

CPC classification number: H01L29/78654

Abstract: A submicron MOSFET is fabricated on an ultrathin layer (16) with a generally intrinsic channel (14) having a dopant concentration less than about 10 cm . The channel (14) thickness is preferably not greater than about 0.2 micron; the ratio of channel thickness to length is less than about 1:4, and preferably not greater than about 1:2. Punchthrough and other short-channel effects are inhibited by the application of an appropriate backgate voltage, which may also be varied to adjust the voltage threshold.

Abstract translation: 亚微米MOSFET在具有掺杂剂浓度小于约10 16 cm -3的通常本征通道（14）的超薄层（16）上制造。 通道（14）的厚度优选不大于约0.2微米; 通道厚度与长度之比小于约1:4，优选不大于约1:2。 通过施加适当的背栅电压来抑制Punchthrough和其它短通道效应，该背栅电压也可以改变以调节电压阈值。

公开(公告)号：EP0401356A1

公开(公告)日：1990-12-12

申请号：EP90901245.0

申请日：1989-11-27

Applicant: HUGHES AIRCRAFT COMPANY

Inventor： TERRILL, Kyle, W. ,  VASUDEV, Prahalad, K.

IPC: H01L27 ,  H01L29

CPC classification number: H01L29/78654

Abstract: Le transistor à effet de champ MOS décrit, de grandeur inférieure au micron, est fabriqué sur une couche ultrafine (16) avec un canal généralement intrinsèque (14) ayant une concentration de dopant inférieure à environ 1016cm-3. L'épaisseur du canal (14) est de préférence inférieure ou égale à environ 0,2 micron. Le rapport entre l'épaisseur et la longueur du canal est inférieur à environ 1/4 et de préférence inférieur ou égal à environ 1/2. Les effets de tension de perçage et les effets produits par la longueur réduite du canal sont évités grâce à l'application d'une tension de gâchette arrière appropriée, qu'on peut également faire varier pour régler le seuil de tension.