公开(公告)号：DE112012003297B4

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：DE112012003297

申请日：2012-07-27

Applicant: IBM

Inventor： BAG SANTANU ,  BARKHOUSE DAVID AARON RANDOLPH ,  MITZI DAVID BRIAN ,  TODOROV TEODOR KRASSIMIROV

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0749

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Kesterit-Dünnschicht (302) einer Formel CuZnSn(SSe), wobei 0 ≤ x ≤ 1; 0 ≤ y ≤ 1; 0 ≤ z ≤ 1 und -1 ≤ q ≤ 1, wobei das Verfahren die Schritte aufweist:Bereitstellen eines Substrats (202);Bilden (102) einer Massen-Vorstufenschicht auf dem Substrat (202), wobei die Massen-Vorstufenschicht Cu und Zn und mindestens eines aus Sn, S und Se aufweist, wobei die Massen-Vorstufenschicht die Quelle für Cu und Zn in der Kesterit-Dünnschicht (302) ist, sodass die Zusammensetzung von Cu und Zn in der Kesterit-Dünnschicht (302) durch die Zusammensetzung von Cu und Zn in der Massen-Vorstufenschicht bestimmt wird,Bilden (106) einer festen Deckschicht auf der Massen-Vorstufenschicht, deren Zusammensetzung und Dicke durch die Zusammensetzung der Massen-Vorstufenschicht bestimmt ist, wobei die Deckschicht Sn und mindestens eines von S und Se aufweist, wobei die Deckschicht so konfiguriert ist, dass sie eine Quelle für zusätzliches elementares Chalkogen an der Oberfläche der Kesterit-Dünnschicht (302) darstellt; undTempern (108) der Massen-Vorstufenschicht und der Deckschicht bei einer Temperatur von 300 °C bis 700 °C für eine Dauer von 1 Sekunde bis 24 Stunden.

公开(公告)号：DE112012003297T5

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：DE112012003297

申请日：2012-07-27

Applicant: IBM

Inventor： BARKHOUSE DAVID AARON RANDOLPH ,  MITZI DAVID BRIAN ,  BAG SANTANU ,  TODOROV TEODOR KRASSIMIROV

IPC: H01L21/477

Abstract: Es werden Techniken zur Herstellung von Cu-Zn-Sn-(Se,S)-Kesterit-Dünnschichten und verbesserte Photovoltaikeinheiten auf der Grundlage dieser Dünnschichten bereitgestellt. In einer Erscheinungsform wird ein Verfahren zur Herstellung einer Kesterit-Dünnschicht einer Formel Cu2-xZn1+ySn(S1-zSez)4+q bereitgestellt, wobei 0 ≤ x ≤ 1; 0 ≤ y ≤ 1; 0 ≤ z ≤ 1 und –1 ≤ q ≤ 1. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte. Ein Substrat wird bereitgestellt. Auf dem Substrat wird eine Massen-Vorstufenschicht gebildet, welche Cu, Zn, Sn und mindestens eines aus S und Se aufweist. Auf der Massen-Vorstufenschicht wird eine Deckschicht gebildet, welche mindestens eines aus Sn, S und Se aufweist. Die Massen-Vorstufenschicht und die Deckschicht werden unter Bedingungen getempert, die ausreichend sind, um die Kesterit-Dünnschicht mit Werten von x, y, z und q für jeden gegebenen Teil der Dünnschicht herzustellen, welche um weniger als 20 Prozent von über die gesamte Dünnschicht gemittelten Werten von x, y, z und q abweichen.