公开(公告)号：DE112014004901T5

公开(公告)日：2016-07-28

申请号：DE112014004901

申请日：2014-12-08

Applicant: IBM

Inventor： RIEL HEIKE E ,  SCHMID HEINZ ,  BORG MATTIAS BENGT ,  MOSELUND KIRSTEN EMILIE

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/762

Abstract: Es werden Verfahren für ein Herstellen von Halbleiter-Nanodrähten 12, 40, 41, 45, 57 auf einem Substrat 1, 20, 50 bereitgestellt. Auf dem Substrat wird ein Nanodraht-Templat 3, 6; 22, 24; 31, 32 gebildet. Das Nanodraht-Templat definiert einen langgestreckten Tunnel 8, 26, 33, der sich lateral über dem Substrat zwischen einer Öffnung 7, 25 in dem Templat und einer Kristallkeim-Oberfläche 10, 27, 34 erstreckt. Die Kristallkeim-Oberfläche 10, 27, 34 ist zu dem Tunnel hin freigelegt und weist eine Fläche von bis zu etwa 2 × 104 nm2 auf. Der Halbleiter-Nanodraht wird über die Öffnung selektiv von der Kristallkeim-Oberfläche aus in dem Templat aufgewachsen. Die Fläche der Kristallkeim-Oberfläche 10, 27, 34 ist bevorzugt derart, dass sich das Aufwachsen des Nanodrahts von einem einzigen Nukleationspunkt auf der Kristallkeim-Oberfläche aus fortsetzt.