公开(公告)号：WO2014068511A2

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：PCT/IB2013059814

申请日：2013-10-31

Applicant: IBM ,  IBM CHINA INVEST CO LTD ,  IBM RES GMBH

Inventor： CZORNOMAZ LUKAS ,  HOFRICHTER JENS ,  RICHTER MIRJA ,  RIEL HEIKE E

CPC classification number: G02B6/12004 ,  G02B6/122 ,  G02B6/1225 ,  G02B6/131 ,  G02B6/42 ,  G02B6/43 ,  H01L31/02327 ,  H01S5/005 ,  H01S5/026 ,  H01S5/105 ,  H01S5/183

Abstract: The present invention relates to a semiconductor device (1) for use in at least an optical application comprising: at least an optically passive aspect (2) that is operable in substantially an optically passive mode, and at least an optically active material (3) comprising at least a material that is operable in substantially an optically active mode, wherein: the optically passive aspect (2) further comprises at least a crystalline seed layer (4), the optically active material (3) being epitaxially grown in at least a predefined structure (5) provided in the optically passive aspect (2) that extends to at least an upper surface (4') of the crystalline seed layer (4), and the optically passive aspect (2) is structured to comprise at least a passive photonic structure (6), wherein the crystalline seed layer (4) comprises a crystalline wafer and wherein the optically active material (3) comprises at least one of: a III-V material and a II-VI material.

Abstract translation: 本发明涉及至少在光学应用中使用的半导体器件（1），其包括：至少可以基本上为光学无源模式操作的光学无源器件（2）和至少一种光学活性材料（3） 至少包括可以基本上为光学活性模式操作的材料，其中：所述光学被动方面（2）还包括至少晶体种子层（4），所述光学活性材料（3）至少外延生长 提供在光学无源方面（2）中的延伸到晶种（4）的至少上表面（4'）的预定结构（5），并且光学无源方面（2）被构造成包括至少一个 无源光子结构（6），其中所述结晶晶种层（4）包括晶体晶片，并且其中所述光学活性材料（3）包括III-V族材料和II-VI材料中的至少一种。

公开(公告)号：JP2007059903A

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：JP2006221924

申请日：2006-08-16

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： RIEL HEIKE E ,  BEIERLEIN TILMAN A ,  RIESS WALTER HEINRICH ,  KARG SIEGFRIED F ,  MUELLER PETER ,  RUHSTALLER BEAT ,  ALVARADO SANTOS F ,  CRONE BRIAN

IPC: H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5012 ,  H01L51/005

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescence device with a reduced deterioration rate and an enhanced efficiency.
SOLUTION: An electroluminescene device comprises a positive electrode, a hole-injection layer, an emission layer including an emitting material, an electron-injection layer, and a negative electrode which are formed sequentially. Furthermore, the emission layer comprises a stabilizing material having an energy-bandgap greater than energy-bandgap of the emitting material.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 解决的问题：提供具有降低的劣化率和提高的效率的有机电致发光器件。 解决方案：依次形成的正电极，空穴注入层，包括发光材料的发射层，电子注入层和负极的电致发光器件。 此外，发射层包括具有大于发射材料的能带隙的能带隙的稳定材料。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2004363104A

公开(公告)日：2004-12-24

申请号：JP2004163993

申请日：2004-06-02

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： KARG SIEGFRIED F ,  RIEL HEIKE E ,  RIESS WALTER H

IPC: H05B33/10 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L51/0004 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/56

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an electronic device having a pattern formed on the surface by deposition materials. SOLUTION: This is related to the method of forming an FET, especially, a high definition color (RGB) display. The forming method of the organic electronic device includes a process in which the deposition materials are heated and pressurized in order to form molten products and a process in which the molten deposition materials are layered on the surface using a phase-change printing technology or spraying technology. The molten deposition materials are coagulated on the surface. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

公开(公告)号：WO2012001600A3

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：PCT/IB2011052792

申请日：2011-06-24

Applicant: IBM ,  BANGSARUNTIP SARUNYA ,  BJOERK MIKAEL T ,  COHEN GUY M ,  RIEL HEIKE E ,  SCHMID HEINZ

Inventor： BANGSARUNTIP SARUNYA ,  BJOERK MIKAEL T ,  COHEN GUY M ,  RIEL HEIKE E ,  SCHMID HEINZ

IPC: H01L29/12 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/775 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/125 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/775 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696

Abstract: A method of forming a semiconductor is provided and includes patterning a pad and a nanowire onto a wafer, the nanowire being substantially perpendicular with a pad sidewall and substantially parallel with a wafer surface and epitaxially growing on an outer surface of the nanowire a secondary layer of semiconductor material, which is lattice mismatched with respect to a material of the nanowire and substantially free of defects.

Abstract translation: 提供了形成半导体的方法，并且包括将衬垫和纳米线图案化到晶片上，所述纳米线基本上与衬垫侧壁垂直并且基本上平行于晶片表面并且外延生长在纳米线的外表面上， 半导体材料，其相对于纳米线的材料而晶格失配并且基本上没有缺陷。

公开(公告)号：DE102014117584B4

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：DE102014117584

申请日：2014-12-01

Applicant: IBM

Inventor： SCHMIDT VOLKER ,  RIEL HEIKE E

IPC: H01L35/32

Abstract: Thermoelektrische Einheit (1) zum Transferieren von Wärme von einer Wärmequelle (2) zu einer Wärmesenke (3), die aufweist:wenigstens ein thermoelektrisches Schenkelpaar (10) mit einem ersten Schenkel (4), der ein Halbleitermaterial vom n-Typ beinhaltet, und einem zweiten Schenkel (5), der ein Halbleitermaterial vom p-Typ beinhaltet, wobei der erste Schenkel (4) und der zweite Schenkel (5) elektrisch in Serie gekoppelt sind;ein resistives Element (9), das den ersten Schenkel (4) und den zweiten Schenkel (5) zwischen der Wärmequelle (2) und der Wärmesenke (3) elektrisch koppelt,wobei die thermoelektrische Einheit (1) eine Mehrzahl von resistiven Elementen (9, 12, 13, 14) aufweist, die den ersten Schenkel (4) und den zweiten Schenkel (5) zwischen der Wärmequelle (2) und der Wärmesenke (3) elektrisch koppeln, wobei jedes resistive Element (9, 12, 13, 14) eine vorgegebene Konduktanz derart aufweist, dass die Konduktanz der resistiven Elemente (9, 12, 13, 14) in Richtung zu der Seite der Wärmequelle (2) zunimmt.

公开(公告)号：GB2500831B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：GB201310312

申请日：2011-11-02

Applicant: IBM

Inventor： GOTSMANN BERND W ,  KARG SIEGFRIED FRIEDRICH ,  RIEL HEIKE E

IPC: H01L29/423 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66 ,  H01L29/775 ,  H01L29/786

公开(公告)号：GB2494565B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：GB201221842

申请日：2011-05-23

Applicant: IBM

Inventor： RIEL HEIKE E ,  SCHMID HEINZ ,  BJOERK MIKAEL T

IPC: C30B11/10 ,  C30B11/12 ,  C30B13/18 ,  C30B15/08 ,  H01L31/18

公开(公告)号：DE112014004901T5

公开(公告)日：2016-07-28

申请号：DE112014004901

申请日：2014-12-08

Applicant: IBM

Inventor： RIEL HEIKE E ,  SCHMID HEINZ ,  BORG MATTIAS BENGT ,  MOSELUND KIRSTEN EMILIE

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/762

Abstract: Es werden Verfahren für ein Herstellen von Halbleiter-Nanodrähten 12, 40, 41, 45, 57 auf einem Substrat 1, 20, 50 bereitgestellt. Auf dem Substrat wird ein Nanodraht-Templat 3, 6; 22, 24; 31, 32 gebildet. Das Nanodraht-Templat definiert einen langgestreckten Tunnel 8, 26, 33, der sich lateral über dem Substrat zwischen einer Öffnung 7, 25 in dem Templat und einer Kristallkeim-Oberfläche 10, 27, 34 erstreckt. Die Kristallkeim-Oberfläche 10, 27, 34 ist zu dem Tunnel hin freigelegt und weist eine Fläche von bis zu etwa 2 × 104 nm2 auf. Der Halbleiter-Nanodraht wird über die Öffnung selektiv von der Kristallkeim-Oberfläche aus in dem Templat aufgewachsen. Die Fläche der Kristallkeim-Oberfläche 10, 27, 34 ist bevorzugt derart, dass sich das Aufwachsen des Nanodrahts von einem einzigen Nukleationspunkt auf der Kristallkeim-Oberfläche aus fortsetzt.

公开(公告)号：DE112011100856B4

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：DE112011100856

申请日：2011-05-23

Applicant: IBM

Inventor： BJOERK MIKAEL T ,  RIEL HEIKE E ,  SCHMID HEINZ

IPC: C30B11/10 ,  C30B11/12 ,  C30B13/18 ,  C30B15/08 ,  H01L31/18

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines monokristallinen Blatts (11) eines Halbleitermaterials, wobei das Halbleitermaterial ein elementares Halbleitermaterial ist, welches das Folgende umfasst: Bereitstellen von mindestens zwei Öffnungselementen (1, 2), welche zwischen sich eine Lücke (3) bilden; Bereitstellen einer geschmolzenen Legierung (4), welche das Halbleitermaterial umfasst, in der Lücke (3) zwischen den mindestens zwei Öffnungselementen (1, 2); Bereitstellen eines gasförmigen Vorstufenmediums (5), welches das Halbleitermaterial liefert, in Nachbarschaft der geschmolzenen Legierung (4); Bereitstellen eines Keimkristalls (6) des Halbleitermaterials in Nachbarschaft der geschmolzenen Legierung (4); In-Kontakt-Bringen des Keimkristalls (6) mit der geschmolzenen Legierung (4); Anordnen der Öffnungselemente (1, 2) und der geschmolzenen Legierung (4) derart, dass die geschmolzene Legierung (4) durch die Oberflächenspannung zwischen den Öffnungselementen (1, 2) gehalten wird; allmähliches Zurückziehen des Keimkristalls (6) aus der geschmolzenen Legierung (4), wobei das Halbleitermaterial aus dem gasförmigen Vorstufenmedium (5), welches das Halbleitermaterial umfasst, in die geschmolzene Legierung (4) freigesetzt wird, wodurch die geschmolzene Legierung (4) mit dem Halbleitermaterial übersättigt wird.

公开(公告)号：DE102014117584A1

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：DE102014117584

申请日：2014-12-01

Applicant: IBM

Inventor： SCHMIDT VOLKER ,  RIEL HEIKE E

IPC: H01L35/32 ,  H01L23/38

Abstract: Eine thermoelektrische Einheit (1) zum Transferieren von Wärme von einer Wärmequelle (2) zu einer Wärmesenke (3) weist wenigstens ein thermoelektrisches Schenkelpaar (10) mit einem ersten Schenkel (4), der ein Halbleitermaterial vom n-Typ beinhaltet, und einem zweiten Schenkel (5) auf, der ein Halbleitermaterial vom p-Typ beinhaltet. Der erste Schenkel (4) und der zweite Schenkel (5) sind elektrisch in Serie gekoppelt. Und ein resistives Element (9) koppelt den ersten Schenkel (4) und den zweiten Schenkel (5) zwischen der Wärmequelle (2) und der Wärmesenke (3) elektrisch.