公开(公告)号：AU2021268448A1

公开(公告)日：2022-09-22

申请号：AU2021268448

申请日：2021-04-16

Applicant: IBM

Inventor： CHAKRABORTY SUDIPTO ,  JOSHI RAJIV

IPC: G06N10/00

Abstract: A quantum processing system includes a first set of control electronics operating at a first temperature. A second set of control electronics is communicatively coupled to the first set of control electronics and operating at a second controlled temperature that is lower than the first temperature. The second set of control electronics includes one or more circuits configured to perform a write and a read operation to one or more qubits. There is a qubit array that includes the one or more qubits and operating at a third controlled temperature that is lower than the second temperature. The qubit array is controlled by the second set of control electronics.

公开(公告)号：DE112020005221T5

公开(公告)日：2022-09-01

申请号：DE112020005221

申请日：2020-11-18

Applicant: IBM

Inventor： HOLMES STEVEN ,  DORIS BRUCE ,  GOTTWALD MATTHIAS GEORG ,  JOSHI RAJIV ,  CHAKRABORTY SUDIPTO

IPC: H01L39/22 ,  G06N10/00 ,  G11C11/44 ,  H01L39/02 ,  H01L39/24 ,  H01L43/02

Abstract: Eine Einheit zur Steuerung eines magnetischen Felds innerhalb eines Chips ist in der Nähe einer Josephson-Übergangs-Struktur (einer JJ-Struktur) ausgebildet. Die Einheit zur Steuerung eines magnetischen Felds innerhalb eines Chips weist Verdrahtungsstrukturen auf, die sich lateral benachbart zu der JJ-Struktur befinden. Bei einigen Ausführungsformen weist die Einheit zur Steuerung eines magnetischen Felds außerdem zusätzlich zu den Verdrahtungsstrukturen eine leitfähige Platte auf, die mit den Verdrahtungsstrukturen verbunden ist und die sich unterhalb der JJ-Struktur befindet. Die Verwendung eines elektrischen Stroms durch die Verdrahtungsstrukturen hindurch induziert entweder direkt oder indirekt ein magnetisches Feld in der JJ-Struktur. Die Stärke des Felds kann durch die Strommenge moduliert werden, die durch die Verdrahtungsstrukturen hindurch fließt. Das magnetische Feld kann bei Bedarf ausgeschaltet werden, indem das Zulassen, dass ein Strom durch die Verdrahtungsstrukturen hindurch fließt, beendet wird.

公开(公告)号：AU2020399273A1

公开(公告)日：2022-05-26

申请号：AU2020399273

申请日：2020-11-20

Applicant: IBM

Inventor： JOSHI RAJIV ,  CHAKRABORTY SUDIPTO

IPC: G06N3/063

Abstract: A structure of a memory device is described. The structure can include an array of memory cells. A memory cell can include at least one metal-oxide-semiconductor (MOS) element, where a source terminal of the at least one MOS element is connected to a drain terminal of the MOS element. The source terminal being connected to the drain terminal can cause the at least one MOS element to exhibit capacitive behavior for storing electrical energy. A first transistor can be connected to the at least one MOS element, where an activation of the first transistor can facilitate a write operation to the memory cell. A second transistor can be connected to the at least one MOS element, where an activation of the second transistor can facilitate a read operation from the memory cell.

公开(公告)号：DE102021125853A1

公开(公告)日：2022-05-19

申请号：DE102021125853

申请日：2021-10-05

Applicant: IBM

Inventor： CHAKRABORTY SUDIPTO ,  RICHETTA RAYMOND ,  ROSNO PAT

IPC: H03H11/12 ,  G06N10/00 ,  H03M1/66

Abstract: Ein Filterstufensystem umfasst ein zeitkontinuierliches Basisbandfilter Filterstufensystem, das eine Rückkopplungsschleife aufweist, die mindestens einen ersten Impedanzknoten und mindestens einen zweiten Impedanzknoten nutzt, wobei der mindestens eine erste Impedanzknoten eine höhere Impedanz als der mindestens eine zweite Impedanzknoten hat und wobei der mindestens eine erste Impedanzknoten eine dominante Polstelle bereitstellt und der mindestens eine zweite Impedanzknoten eine nichtdominante Polstelle bereitstellt und wobei das zeitkontinuierliche Basisbandfilter einen gefilterten Strom erzeugt und eine Spiegelungskomponente den gefilterten Strom auf einen Ausgang spiegelt.

公开(公告)号：DE112020005262T5

公开(公告)日：2022-07-28

申请号：DE112020005262

申请日：2020-11-20

Applicant: IBM

Inventor： JOSHI RAJIV ,  CHAKRABORTY SUDIPTO

IPC: G06N3/063

Abstract: Eine Struktur einer Speichereinheit wird beschrieben. Die Struktur kann ein Array von Speicherzellen enthalten. Eine Speicherzelle kann mindestens ein Metall-Oxid-Halbleiter-Element (MOS-Element) enthalten, wobei ein Source-Anschluss des mindestens einen MOS-Elements mit einem Drain-Anschluss des MOS-Elements verbunden ist. Der mit dem Drain-Anschluss verbundene Source-Anschluss kann das mindestens eine MOS-Element veranlassen, ein kapazitives Verhalten zum Speichern elektrischer Energie zu zeigen. Ein erster Transistor kann mit dem mindestens einen MOS-Element verbunden sein, wobei eine Aktivierung des ersten Transistors einen Schreibvorgang in die Speicherzelle ermöglichen kann. Ein zweiter Transistor kann mit dem mindestens einen MOS-Element verbunden sein, wobei eine Aktivierung des zweiten Transistors einen Lesevorgang aus der Speicherzelle ermöglichen kann.

公开(公告)号：DE112020005221B4

公开(公告)日：2025-03-06

申请号：DE112020005221

申请日：2020-11-18

Applicant: IBM

Inventor： HOLMES STEVEN ,  DORIS BRUCE ,  GOTTWALD MATTHIAS GEORG ,  JOSHI RAJIV ,  CHAKRABORTY SUDIPTO

IPC: H10N60/12 ,  G06N10/00 ,  G11C11/44 ,  H10N50/80 ,  H10N60/01 ,  H10N60/80

Abstract: Datenverarbeitungseinheit, die aufweist:eine leitfähige Platte (12; 52), die in einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats (10; 50) eingebettet ist;zumindest eine Josephson-Übergangs-Struktur, JJ-Struktur, die sich über der leitfähigen Platte befindet; underste Verdrahtungsstrukturen (18P, 18V; 58), die sich lateral benachbart zu der zumindest einen JJ-Struktur befinden, wobei eine von der leitfähigen Platte oder den ersten Verdrahtungsstrukturen so konfiguriert ist, dass ein magnetisches Feld in der zumindest einen JJ-Struktur induziert wird, wenn ein elektrischer Strom an diese angelegt wird, wobei:die zumindest eine JJ-Struktur einen ersten Bereich (22P) aus einem Supraleiter, einen Bereich (25P) aus Mn-Nanopartikel enthaltendem kristallinem Silicium sowie einen zweiten Bereich (26P) aus einem Supraleitermaterial aufweist; und/oderdie zumindest eine JJ-Struktur eine zylindrische Form aufweist; und/odersich die ersten Verdrahtungsstrukturen (18p, 18V) direkt in Kontakt mit einer Oberfläche der leitfähigen Platte (12) befinden, wobei die zumindest eine JJ-Struktur von der leitfähigen Platte beabstandet ist und die leitfähige Platte das magnetische Feld in der zumindest einen JJ-Struktur induziert.